公开(公告)号：KR1020010084068A

公开(公告)日：2001-09-06

申请号：KR1020000008837

申请日：2000-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  정호현

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A method for controlling a handler of an APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) system using a belt method is provided to control automatically options of a handler by using a belt method. CONSTITUTION: Information about A lead wafer, a trail wafer, and a monitor slot is set up on a monitor parameter menu window of a handler option menu window.(S72) The sum of the information about the lead wafer, the trail wafer, and the monitor slot is compared with a value obtained by adding 1 to total wafer number of a monitor cassette.(S74) A wafer loading process is stopped by interlocking if the sum of the information about the lead wafer, the trail wafer, and the monitor slot is larger than the value obtained by adding 1 to total wafer number of the monitor cassette.(S76) The wafer is loaded if the sum of the information about the lead wafer, the trail wafer, and the monitor slot is larger than the value obtained by adding 1 to total wafer number of the monitor cassette(S78).

Abstract translation: 目的：提供一种使用带式方法控制APCVD（大气压化学气相沉积）系统的处理器的方法，以通过使用带式方法来自动控制处理器的选项。 构成：在处理器选项菜单窗口的监视器参数菜单窗口上设置关于引线晶片，轨迹晶片和显示器插槽的信息（S72）有关铅晶片，轨迹晶片和 将监视器插槽与通过将监视器盒的总晶片数加1来获得的值进行比较（S74）如果关于引线晶片，轨迹晶片和监视器的信息之和，则通过互锁来停止晶片加载处理 槽大于通过将1加到监视盒的总晶片数而获得的值（S76）如果关于引线晶片，轨迹晶片和监视器槽的信息的总和大于该值，则加载晶片 通过将1加到监视器盒的总晶片数来获得（S78）。

公开(公告)号：KR100842515B1

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：KR1020060131810

申请日：2006-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  이양운

IPC: H04B1/38

CPC classification number: G06F1/1679 ,  G06F1/1615 ,  G06F1/1647 ,  G06F1/1652 ,  G06F1/1671 ,  G09F9/301 ,  H04M1/0268 ,  H04M2250/22

Abstract: 본 발명은 휴대용 단말기에 있어서, 연성 표시부의 일부를 인입/일출 가능하게 내장하는 제1하우징과 상기 제1하우징과 대면하거나 분리 가능하고, 상기 연성 표시부의 다른 일부를 인입/인출 가능하게 내장하는 제2하우징으로 구성되어 있고 상기 연성 표시부를 노출 및 숨길 수 있게 제1하우징과 제2하우징을 고정하는 락킹부를 상기 제1하우징과 제2하우징의 일측면에 구비함을 특징으로 하는 휴대용 단말기에 관한 것이다.
연성 표시부, 플렉시블 LCD

公开(公告)号：KR100799930B1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：KR1020050108296

申请日：2005-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  복일근 ,  김정효

IPC: H04M1/2745

CPC classification number: H04M1/27455 ,  H04M1/274508

Abstract: 본 발명은 이동통신 단말기에서 단축 번호 저장 방법에 관한 것으로서, 특정 사용자에 대한 하나 이상의 전화번호를 포함하는 주소록을 편집하는 상태에서 상기 전화번호의 단축 번호 설정을 위한 키 입력이 감지되는 경우, M ×N 배열로 번호를 순차적 나열한 단축번호 설정 팝업창을 표시하는 과정과, 상기 단축번호 설정 팝업창 내 소정 번호를 선택하는 과정과, 상기 선택된 번호가 특정 전화번호의 단축번호로 기설정된 번호인 경우, 해당 전화번호에 대한 정보를 포함하는 다른 팝업창을 표시하는 과정과, 상기 특정 전화번호의 단축번호로 기설정되어 있는 번호에 대한 설정해제 키 입력이 감지되는 경우, 상기 특정 전화번호의 단축번호로 기설정되어 있는 번호에 대한 단축번호 설정을 해제하는 과정을 포함하여, 단축 번호 설정 상황을 한눈에 알아볼 수 있으며, 특정 전화번호에 대한 단축 번호의 설정/해제를 더 쉽게 변경할 수 있는 이점이 있다.
단말, 단축 번호, 사용자 인터페이스, 주소록, 전화번호

公开(公告)号：KR100678254B1

公开(公告)日：2007-02-02

申请号：KR1020040090582

申请日：2004-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이철환 ,  정우찬

IPC: G01C21/34 ,  G08G1/0969

CPC classification number: G01C21/3415

Abstract: 본 발명은 네비게이션 장치에 있어서, 이동체의 현재위치부터 목적지까지의 다중경로에 대한 주행정보를 포함하는 RGI 데이터와 상기 이동체의 현재 위치를 이용하여 상기 이동체의 주행상태를 추적하고, 상기 이동체가 경로 이탈하면 이탈 정보와 상기 이동체의 현재 위치를 출력하는 주행상태 추적부와, 상기 이탈 정보 및 차량의 현재 위치와 상기 다중경로에 대한 주행정보를 이용하여 이탈 위치부터 상기 다중경로 각각까지의 부분 경로들을 탐색하고 상기 각 부분 경로들을 이용하여 상기 목적지까지의 경로를 리-라우팅하는 리-라우팅부를 포함한다. 이러한 네비게이션 장치는 기존에 탐색된 경로들을 모두 무시하고, 이탈한 지점부터 목적지까지의 경로를 리-라우팅 했을 때보다 새로운 경로를 재탐색하는데 시간이 적게 걸리고, 이에 따라 이탈 시에도 목적지까지의 경로를 신속히 제공할 수 있는 효과가 있다.
네비게이션 시스템, 네비게이션 장치, 경로 이탈, 리-라우팅

公开(公告)号：KR100642309B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020050108304

申请日：2005-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병걸 ,  정우찬

IPC: H04B1/40

Abstract: A method for using a bookmark in a mobile communication terminal is provided to edit or array the bookmark in the mobile communication terminal using wireless Internet, thereby easily editing the bookmark according to the preference of a user and enabling a user to more efficiently use the bookmark by arraying a bookmark list. In a bookmark array method in a mobile communication terminal capable of using wireless Internet, the method comprises the following steps of: displaying array menus for arraying displayed bookmark lists in a state that the bookmark is displayed(203); and re-arraying the bookmark lists according to a selected array mode when an array menu is selected from the array menus, and displaying the re-arrayed bookmark lists(217,219). The displayed bookmark lists are arrayed according to the array menu which is basically set.

Abstract translation: 提供了一种在移动通信终端中使用书签的方法，以使用无线互联网在移动通信终端中编辑或排列书签，从而根据用户的偏好容易地编辑书签并使用户能够更高效地使用书签 通过排列书签列表。 在能够使用无线互联网的移动通信终端中的书签阵列方法中，该方法包括以下步骤：在显示书签的状态下，显示用于排列显示的书签列表的排列菜单（203）; 并且当从阵列菜单中选择阵列菜单时，根据选择的阵列模式重新排列书签列表，并且显示重新排列的书签列表（217,219）。 显示的书签列表根据基本设置的数组菜单排列。

公开(公告)号：KR100631919B1

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：KR1020000065821

申请日：2000-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  전진호 ,  최병덕 ,  김경태

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 밀폐된 소정 공정챔버 내에 요구되는 진공압 상태를 보다 용이하고 신속하게 형성하도록 하는 진공압시스템 및 그 운영방법에 관한 것으로서, 이를 구현하기 위한 구성의 특징은, 선택적으로 기밀이 유지되는 챔버와; 스로틀밸브를 구비한 배관을 통하여 상기 챔버에 연통 연결되어 선택적으로 진공압을 제공하는 진공펌프와; 상기 챔버 내의 진공압 상태를 측정하는 센서와; 상기 챔버에 연결관으로 연통 연결됨을 통해 상기 챔버 내에 소정 가스를 공급토록 하는 가스공급부와; 상기 연결관 상에 설치되어 상기 챔버로 소정 가스의 유동량을 제어하는 차폐부; 및 상기 센서의 측정 신호를 통해 상기 스로틀밸브, 진공펌프, 차폐부의 구동을 제어하는 컨트롤러를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 챔버에 대한 진공펌프의 구동 효율을 높이게 되어 보다 빠르게 그 내부를 정도 이상의 진공압으로 형성하게 되고, 이어 가스공급부와 컨트롤밸브의 제어에 의해 요구되는 진공압 상태의 챔버를 이루게 됨에 따라 챔버 내부의 진공압 형성 시간이 단축되어 그에 따른 공정시간이 단축되고, 설비의 가동 효율이 높아지는 효과가 있다.
진공압, 로드락챔버, 트랜스퍼챔버, 공정챔버, 진공펌프

公开(公告)号：KR100403638B1

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：KR1020030056426

申请日：2003-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  이종구

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to be capable of improving gap-filling between gates and reliability by using a sputter etching when forming an interlayer dielectric. CONSTITUTION: After forming an isolation layer(101) on a semiconductor substrate(100), a plurality of gates(120) are formed. The first interlayer dielectric is partially filled into gaps between the gates. The first interlayer dielectric is firstly etched by using sputtering and secondly etched by using isotropic etching. Then, the second interlayer dielectric(130) is entirely filled into the gaps. A silicon oxide layer having good step coverage and deposition speed is used as the first interlayer dielectric and deposited using HDP(High Density Plasma) CVD.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，其能够在形成层间电介质时通过使用溅射蚀刻来改善栅极之间的间隙填充和可靠性。 构成：在半导体衬底（100）上形成隔离层（101）之后，形成多个栅极（120）。 第一层间电介质被部分填充到栅极之间的间隙中。 首先通过溅射刻蚀第一层间电介质，然后用​​各向同性刻蚀进行第二次刻蚀。 然后，第二层间电介质（130）被完全填充到间隙中。 使用具有良好阶梯覆盖率和沉积速度的氧化硅层作为第一层间电介质并使用HDP（高密度等离子体）CVD沉积。

公开(公告)号：KR100403630B1

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：KR1020010040686

申请日：2001-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  이종구

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/823425 ,  Y10S438/958

Abstract: A method for fabricating a semiconductor device and forming an insulating film used therein, includes forming an isolation insulating film on a semiconductor wafer and forming gates, separated by gaps having a predetermined distance, on an active region. Next, a first interlayer dielectric film is deposited to a predetermined thickness on the semiconductor wafer having the gates, so that the gaps between the gates are not completely filled. Then, a sputtering etch is performed entirely on a surface of the first interlayer dielectric film. Thereafter, the first interlayer dielectric film is partially removed through isotropic etching. Next, a second interlayer dielectric film is deposited on the first interlayer dielectric film so that the gaps between the gates are completely filled. According to the above method, a gap between gate patterns can be completely filled without a void by performing sputtering etch on interlayer dielectric films formed on gate patterns, thereby enhancing the reliability of a semiconductor device.

Abstract translation: 一种用于制造半导体器件并在其中形成绝缘膜的方法包括：在半导体晶片上形成隔离绝缘膜，并且在有源区上形成由具有预定距离的间隙隔开的栅极。 接下来，在具有栅极的半导体晶片上沉积第一层间介电膜至预定厚度，使得栅极之间的间隙未被完全填充。 然后，完全在第一层间介电膜的表面上执行溅射蚀刻。 之后，通过各向同性蚀刻部分地去除第一层间电介质膜。 接下来，在第一层间电介质膜上沉积第二层间电介质膜，使得栅极之间的间隙被完全填充。 根据上述方法，通过对在栅极图案上形成的层间绝缘膜进行溅射蚀刻，能够在没有空隙的情况下完全填充栅极图案之间的间隙，从而提高半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：KR1020020082285A

公开(公告)日：2002-10-31

申请号：KR1020010021470

申请日：2001-04-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  송래형

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: An APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) apparatus of a conveyor system is provided to previously prevent a safety accident generated in HF supply due to handling. CONSTITUTION: An APCVD apparatus(100) using a belt conveyor comprises a conveyor belt(110), a load part(112), an unload part(114), a process muffle(120), a belt cleaner(130), and a dryer(140). The process muffle(120) is located at the upper of the conveyor belt(110) for depositing a deposited material to a wafer. The belt cleaner(130) further includes a cleaning bath(132) and a fluorine vapor generator(134) for generating a fluorine ions. Thereby, the belt cleaner(130) is to be capable of removing unnecessary thin film deposited on the conveyor belt(110) during the APCVD processing by using the fluorine ions.

Abstract translation: 目的：提供输送系统的APCVD（大气压化学气相沉积）装置，以防止由于处理而在HF供应中产生的安全事故。 构成：使用带式输送机的APCVD装置（100）包括传送带（110），负载部分（112），卸载部分（114），过程马弗炉（120），带式清洁器（130）和 机（140）。 处理马弗炉（120）位于传送带（110）的上部，用于将沉积的材料沉积到晶片上。 带清洁器（130）还包括用于产生氟离子的清洗槽（132）和氟蒸汽发生器（134）。 因此，带式清洁器（130）能够通过使用氟离子在APCVD处理期间去除沉积在传送带（110）上的不必要的薄膜。

公开(公告)号：KR1020020081735A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：KR1020010021067

申请日：2001-04-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  전진호 ,  임전식 ,  이종승

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/56

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an insulating layer and a method for fabricating a semiconductor device are provided to fabricate a BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass) layer as the insulating layer by using an oxygen gas, a nitrogen gas, a helium gas, TEOD(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate), TEB(Tri-Ethyl-Borate), and TEPO(Tri-Ethyl-Phosphaste). CONSTITUTION: A substrate(20) is located in the inside of a chamber. An oxygen gas of 4,500sccm, a nitrogen gas of 3,000sccm, and a helium gas of 4,000sccm are provided to the inside of the chamber. A pressure atmosphere is formed in the inside of the chamber by using a pumping member connected with the chamber. The oxygen gas of 9,500sccm, the nitrogen gas of 3,000sccm, and the helium gas of 4,000sccm are provided to the inside of the chamber under the pressure atmosphere. The pressure atmosphere is stabilized after an operation of the pumping member is stopped. A BPSG layer(22) as an insulating layer is formed by providing TEOD of 800sccm, TEB of 170sccm, and TEPO of 55sccm to the inside of the chamber under a process atmosphere including the gas atmosphere, the pressure atmosphere, and a stabilization atmosphere.

Abstract translation: 目的：制造绝缘层的方法和制造半导体器件的方法被提供以通过使用氧气，氮气，氦气，TEOD（制造绝缘层）制造BPSG（硼硅磷酸盐玻璃）层作为绝缘层 四乙基 - 正硅酸盐），TEB（三乙基硼酸盐）和TEPO（三乙基 - 磷酸盐）。 构成：衬底（20）位于腔室的内部。 将4,500sccm的氧气，3,000sccm的氮气和4000sccm的氦气提供到室的内部。 通过使用与室连接的泵送构件，在室的内部形成压力气氛。 将950sccm的氧气，3,000sccm的氮气和4000sccm的氦气在压力气氛下向室内提供。 在泵送构件的操作停止之后，压力气氛稳定。 通过在包括气体气氛，压力气氛和稳定气氛的处理气氛下，向室内提供800sccm的TEOD，170sccm的TEB和55sccm的TEPO，形成作为绝缘层的BPSG层（22）。