公开(公告)号：KR1020070027875A

公开(公告)日：2007-03-12

申请号：KR1020050079745

申请日：2005-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종현

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1303 ,  B81C1/00563 ,  G02F1/1313

Abstract: An apparatus and a method for determining an etch end point are provided to improve etch quality by accurately determine the etch end point. An apparatus for determining an etch end point includes a plurality of light sources(41), a plurality of sensors(42), and a controller(46). The plurality of light sources irradiate laser beams to a plurality of points on a display substrate having a display area and non-display area. The plurality of sensors sense the intensity of laser beams that have passed through the display substrate. The controller determines an etch end point according to the sensing result of the plurality of sensors. The light sources irradiate the laser beams to the non-display area. The controller receives signals representing laser intensities corresponding to the points of the display substrate from the sensors, calculates an average laser intensity and compares the average laser intensity with a predetermined reference intensity to determine the etch end point.

Abstract translation: 提供了用于确定蚀刻终点的装置和方法，以通过精确地确定蚀刻终点来提高蚀刻质量。 用于确定蚀刻终点的装置包括多个光源（41），多个传感器（42）和控制器（46）。 多个光源将激光束照射到具有显示区域和非显示区域的显示基板上的多个点。 多个传感器感测穿过显示基板的激光束的强度。 控制器根据多个传感器的感测结果确定蚀刻终点。 光源将激光束照射到非显示区域。 控制器从传感器接收表示对应于显示基板的点的激光强度的信号，计算平均激光强度并将平均激光强度与预定参考强度进行比较以确定蚀刻终点。

公开(公告)号：KR1020060131038A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：KR1020050050880

申请日：2005-06-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 도희욱 ,  정종현

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/1343 ,  G02F1/133514 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/136222

Abstract: An LCD and a method for manufacturing a color filter substrate are provided to reduce the texture generating around a cutout, thereby improving the aperture ratio of a pixel, by forming a stepped portion at the edge of the cutout of a common electrode. A field generating electrode(191) is formed above a first substrate(110), wherein the field generating electrode has cutouts(91,92a,92b). A second substrate(210) is disposed to face the first substrate. A second field generating electrode(270) is formed above the second substrate, wherein the field generating electrode has cutouts(71,72a,72b). A liquid crystal layer(3) is positioned between the first field generating electrode and the second field generating electrode. In the first field generating electrode, the boundary portions of the cutouts are thinner than any other portions.

Abstract translation: 提供了一种LCD和制造滤色器基板的方法，以通过在公共电极的切口的边缘处形成台阶部分来减少围绕切口的纹理，从而提高像素的开口率。 场产生电极（191）形成在第一基板（110）的上方，其中场产生电极具有切口（91,92a，92b）。 第二基板（210）设置成面向第一基板。 第二场产生电极（270）形成在第二衬底的上方，其中场产生电极具有切口（71,72a，72b）。 液晶层（3）位于第一场产生电极和第二场产生电极之间。 在第一场产生电极中，切口的边界部分比任何其它部分薄。

公开(公告)号：KR1020060122275A

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：KR1020050044609

申请日：2005-05-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종현

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

Abstract: An apparatus for supplying processing liquid of a liquid crystal display is provided to improve etching uniformity by using a supplying amount controller for controlling spraying amount of the processing liquid. A main pipe receives processing liquid from the outside. Plural sub-pipes(220) are branched from the main pipe. The sub-pipes inject the processing liquid supplied from the main pipe to a substrate(10) through plural nozzles(220a). A supplying amount controller(230) is formed at a side of the nozzle of the sub-pipe and controls spraying amount of the processing liquid. A detecting sensor(250) detects distribution state of the processing liquid injected to the substrate from the sub-pipes to transmit it to the supplying amount controller.

Abstract translation: 提供一种用于提供液晶显示器的处理液的设备，以通过使用用于控制处理液的喷射量的供给量控制器来提高蚀刻均匀性。 主管从外部接收处理液。 多个副管道（220）从主管分支。 分管将从主管供给的处理液体通过多个喷嘴（220a）注入基板（10）。 供给量控制器（230）形成在副管的喷嘴的一侧，并控制处理液的喷射量。 检测传感器（250）检测从副管道喷射到基板的处理液体的分布状态，将其发送到供给量控制器。

公开(公告)号：KR1020060053497A

公开(公告)日：2006-05-22

申请号：KR1020040093548

申请日：2004-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신원석 ,  박홍식 ,  정종현

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  G02F1/1365 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 본 발명은, 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법에 있어서, 절연기판 상에 게이트 라인 및 이와 연결된 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 위에 반도체층 패턴을 형성하는 단계와; 상기 반도체층 패턴 위에 저항성 접촉층 패턴을 형성하는 단계와; 상기 저항성 접촉층 위에 상호 분리 형성되며 동일한 층으로 만들어진 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결된 데이터 라인을 포함한 데이터 배선을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 분리는 제1 감광막 패턴을 이용한 제1 습식 식각공정과, 상기 제1 습식 식각공정으로 인해 노출된 상기 데이터 배선을 커버하도록 추가의 감광막이 코팅된 제2 감광막 패턴을 이용한 제2 습식 식각공정을 통해서 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 감광막 패턴을 이용한 사진 식각 공정을 통해 박막 트랜지스터의 채널 영역을 형성하는 과정에서 추가의 감광막을 코팅하여 습식식각으로 인해 데이터 배선의 선폭이 감소되는 것을 최소화하여 이로 인한 불량의 발생을 억제한 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 제공할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020060048092A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050044153

申请日：2005-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  김시열 ,  정종현 ,  신원석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136

Abstract: 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 개시한다. 상기 제조방법은 기판 상에 트랜지스터 박막 패턴을 형성하는 단계, 보호막을 형성하는 단계, 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 화소영역을 형성하는 단계, 서로 분리된 화소전극 및 도전막을 형성하는 단계, 스트립핑 조성물을 이용하여 포토레지스트 패턴을 스트립핑하고 상기 포토레지스트 표면에 증착된 도전막을 기판으로부터 분리하는 스트립핑 단계 및 도전막 용해 단계를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터의 제조방법에 따르면 박막트랜지스터 기판의 제조시 제조 공정의 효율을 향상시킬 수 있으며, 상기 스트립핑 조성물은 재활용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060020057A

公开(公告)日：2006-03-06

申请号：KR1020040068787

申请日：2004-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성진 ,  박홍식 ,  정종현 ,  신원석

IPC: G02F1/13 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: G02F1/1313 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/1316 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67086

Abstract: 식각액의 잔류를 방지하기 위한 세정 장치와 이를 갖는 식각 장치를 개시한다. 세정장치는 세정 용기의 일측에 체결되어 세정액을 공급하는 샤워봉 및 샤워봉의 일측에 위치하여 세정될 기판의 데이터 라인과 실질적으로 평행하게 세정액을 분사하는 분사노즐을 구비한다. 이에 따라, 식각액을 포함하는 세정액이 데이터 라인의 측벽 하부에 잔류를 방지하기 위해 데이터 라인과 평형하게 세정액을 분사함으로써 데이터 라인의 언더컷을 억제할 수 있다.
데이터 라인, 언더컷, 식각액, 세정 장치

公开(公告)号：KR101136026B1

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：KR1020040077501

申请日：2004-09-24

Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  윤석일 ,  김성배 ,  김위용 ,  허순범 ,  김병욱 ,  정종현

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458

Abstract: 본 발명은, 5 내지 20중량%의 알코올아민, 40 내지 70중량%의 글리콜에테르, 20 내지 40중량%의 N-메틸피롤리돈 및 0.2 내지 6중량%의 킬레이트제를 포함하는 포토레지스트용 박리제를 이용하여 포토레지스트 박리 공정을 수행함으로써 포토레지스트 박리 공정에서 발생하는 금속층 내의 언더컷(undercut) 또는 오버행(overhang)과 같은 배선의 프로파일을 변형시키는 문제점을 해결할 수 있다.
포토레지스트용 박리제, 킬레이트제, 알루미늄, 언더컷

公开(公告)号：KR1020100067814A

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：KR1020080126367

申请日：2008-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도현 ,  정종현 ,  최영주 ,  박홍식 ,  인태형 ,  이동훈 ,  윤필상 ,  박제형 ,  정창오 ,  이제훈 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  이병진 ,  서남석

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

Abstract: PURPOSE: A display substrate and a method of manufacturing the same are provided to prevent a defect due to a step during following processes of a patterning process. CONSTITUTION: A deformation preventing layer(105) is formed on the lower surface of a base substrate(101). A gate line is formed on the upper side of the base substrate. A data line is formed on the base substrate on which the gate line is formed. A pixel electrode is formed on the base substrate on which the data line is formed. The deformation preventing layer and the gate line respectively have tensile stress.

Abstract translation: 目的：提供显示基板及其制造方法，以防止在图案化处理的后续处理中由于步骤而导致的缺陷。 构成：在基底（101）的下表面上形成变形防止层（105）。 栅极线形成在基底基板的上侧。 在形成有栅极线的基底基板上形成数据线。 在形成数据线的基底基板上形成像素电极。 变形防止层和栅极线分别具有拉伸应力。

公开(公告)号：KR1020080058869A

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：KR1020060133048

申请日：2006-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병진 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  신원석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/306

Abstract: A method of manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) array substrate is provided to form a pixel electrode through wet etch using a diluted etchant to reduce an etch rate, thereby decreasing CD skew and preventing residue after etching. A gate line(22) is formed on an insulating substrate(10). A data line(62) is insulated from the gate line and intersects the gate line. A transparent conductive oxide layer(81) is connected to a part of the data line and does not include indium. The transparent conductive oxide layer is wet-etched by using a basic etchant and a diluted etchant mixed with deionized water to form a pixel electrode.

Abstract translation: 提供一种制造TFT（薄膜晶体管）阵列基板的方法，以通过使用稀释蚀刻剂的湿蚀刻形成像素电极，以降低蚀刻速率，从而减少CD偏斜并防止蚀刻后的残留。 栅极线（22）形成在绝缘基板（10）上。 数据线（62）与栅极线绝缘并与栅极线相交。 透明导电氧化物层（81）连接到数据线的一部分，不包括铟。 通过使用碱性蚀刻剂和与去离子水混合的稀释蚀刻剂来湿式蚀刻透明导电氧化物层以形成像素电极。

公开(公告)号：KR1020080041333A

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：KR1020060109287

申请日：2006-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김봉균 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  신원석 ,  이병진

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02068 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1288

Abstract: A method for fabricating a TFT(thin film transistor) substrate is provided to suppress generation of corrosion byproducts and remove an organic material by performing an ultraviolet cleaning process in etching a source/drain metal layer using a copper interconnection with low resistance. A thin film is coated on a substrate(101). A photoresist pattern is formed on the thin film. The thin film is etched by using the photoresist pattern. The photoresist pattern is stripped. An ultraviolet cleaning process is performed in one of the etch process or the strip process. A process for forming a second conductive pattern group can include the following steps. A gate insulation layer(112), a semiconductor pattern(115) and a source/drain metal layer using copper are continuously deposited on a first conductive pattern group. A photoresist pattern is formed on the source/drain metal layer by using a mask. The source/drain metal layer is etched by using the photoresist pattern to form the semiconductor pattern including an active layer(114) and an ohmic contact layer(116) . The photoresist pattern is ashed. The source electrode(108) and the drain electrode(110) exposed through the ashed photoresist pattern are separated. The active layer between the separated source and drain electrodes is exposed. The photoresist pattern is stripped.

Abstract translation: 提供了制造TFT（薄膜晶体管）基板的方法，以通过使用具有低电阻的铜互连来蚀刻源极/漏极金属层，通过进行紫外线清洁处理来抑制腐蚀副产物的产生并去除有机材料。 将薄膜涂覆在基板（101）上。 在薄膜上形成光刻胶图形。 通过使用光致抗蚀剂图案来蚀刻薄膜。 剥离光致抗蚀剂图案。 在蚀刻工艺或剥离处理之一中进行紫外线清洁处理。 用于形成第二导电图案组的工艺可以包括以下步骤。 使用铜的栅极绝缘层（112），半导体图案（115）和源极/漏极金属层连续地沉积在第一导电图案组上。 通过使用掩模在源极/漏极金属层上形成光致抗蚀剂图案。 通过使用光致抗蚀剂图案来蚀刻源极/漏极金属层，以形成包括有源层（114）和欧姆接触层（116）的半导体图案。 光刻胶图案灰化。 通过灰化光刻胶图案曝光的源电极（108）和漏电极（110）被分离。 分离的源极和漏极之间的有源层被暴露。 剥离光致抗蚀剂图案。