公开(公告)号：KR1020060014778A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：KR1020040063470

申请日：2004-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재훈 ,  김남덕 ,  이정수 ,  최범락 ,  임종선 ,  정창오

IPC: H05B33/00 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5221 ,  H01L2227/323

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에서는 절연 기판의 상부에 비정질 규소 또는 다결정 규소로 이루어진 제1 및 제2 반도체층을 형성하고, 제1 게이트 전극을 가지는 게이트선 및 제2 게이트 전극을 형성한다. 이어, 게이트선 및 제2 게이트 전극과 제1 및 제2 반도체층 사이에 게이트 절연막을 형성한 다음, 게이트 절연막 상부에 제1 및 제2 소스 전극, 데이터선, 제1 및 제2 드레인 전극, 전원 전압용 전극을 형성한다. 이어, 제1 및 제2 소스 전극, 데이터선, 제1 및 제2 드레인 전극, 전원 전압용 전극을 덮는 층간 절연막을 형성한 다음, 몰리브덴, ITO 또는 IZO의 제1 도전막과 반사도를 가지는 도전 물질의 제2 도전막을 적층하고 함께 패터닝하여 층간 절연막 상부에 제2 드레인 전극과 연결되는 응력 완충막과 화소 전극을 형성한다. 이어, 화소 전극을 드러내는 개구부를 격벽과 격벽에 의하여 구획된 화소 전극 위의 소정 영역에 유기 발광층을 형성하고, 유기 발광층과 접하는 공통 전극을 형성한다.
유기발광층, 격벽, 응력, 반사막

Abstract translation: 所述第一和第二以形成半导体层，栅线，并具有第一栅电极上的TFT阵列面板的绝缘基板的制造方法的顶部由非晶硅或多晶硅的根据本发明的一个实施例的第二栅电极 形式。 接着，栅极线和所述第二栅电极和所述第一和第二以形成栅极的半导体层之间，然后绝缘膜，栅极绝缘膜的第一和顶部上，所述数据线，所述第一和第二漏电极，所述电源的第二源电极 由此形成用于电压的电极。 然后，与第一和第二源电极，所述数据线，所述第一和第二漏电极，以形成层间绝缘膜覆盖了电源电压的电极上，然后，钼，ITO或第一导电膜的IZO和反射性导电材料 以及形成在与在层间绝缘膜具有上应力缓冲膜和象素电极的第二漏电极连接图案化第二导电层压膜构成。 接着，将有机发光层而形成的开口暴露在由分隔壁和隔壁限定的像素电极上面的一个预定区域中的像素电极，以及与所述有机发光层接触形成的公共电极。

公开(公告)号：KR1020050114399A

公开(公告)日：2005-12-06

申请号：KR1020040039611

申请日：2004-06-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조범석 ,  이제훈 ,  정창오

IPC: G02F1/136

Abstract: 절연 기판 위에 게이트선이 형성되어 있고, 게이트선을 덮는 게이트 절연막 상부에는 반도체가 형성되어 있으며, 적어도 둘 이상의 도전막을 포함하며 게이트선과 교차하는 데이터선 및 데이터선과 분리되어 있는 드레인 전극이 형성되어 있다. 이어, 데이터선 및 드레인 전극을 덮고 있으며, 드레인 전극 일부를 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지는 보호막이 형성되어 있고, 제1 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 연결되어 있으며, 게이트선과 데이터선으로 둘러싸인 화소 영역에 배치되어 있는 화소 전극이 형성되어 있다. 이때, 둘 이상의 도전막 중 가장 하부에 위치하는 하부 도전막은 반도체와 동일한 평면 패턴을 가진다.

公开(公告)号：KR100471770B1

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1019960070577

申请日：1996-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/136

Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 마이그레이션 레지스턴트 알루미늄 합금을 게이트 배선으로 사용한 액정 표시 장치에 관한 것이다.
박막 트랜지스터 기판의 게이트 전극 및 게이트 라인 등의 게이트 배선 물질로 Al-Nd, Al-Ti 등의 2원소 Al 합금에 마이그레이션을 방지할 Cu 또는 Pd 등의 제3원소를 참가한 합금을 사용한 것이 특징이다.

公开(公告)号：KR1020030060282A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：KR1020020000907

申请日：2002-01-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재갑 ,  강봉주 ,  조범석 ,  정창오

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: PURPOSE: A TFT substrate and a fabricating method thereof are provided to prevent the oxidation and enhance the adhesive strength by diffusing Zn element to form a ZnO layer using Ag. CONSTITUTION: A gate wiring(22,24,26) including a gate line(22) and a gate electrode(26) is formed on an insulating substrate(10). A gate insulating layer(30) is formed on the gate wiring. A semiconductor pattern is formed on the gate insulating layer. A data wiring is formed on the semiconductor pattern. The data wiring(65,66,68) includes a source electrode(65), a drain electrode(66), and a data line. A protective layer(70) has the first contact hole to expose the drain electrode. A pixel electrode(82) is formed on an upper portion of the protective layer. The pixel electrode is connected to the drain electrode through the first contact hole. One of the gate wiring and the data wiring is formed with Ag alloy.

Abstract translation: 目的：提供一种TFT基板及其制造方法，通过使用Ag扩散Zn元素形成ZnO层，防止氧化，提高粘合强度。 构成：在绝缘基板（10）上形成包括栅极线（22）和栅电极（26）的栅极布线（22,24,26）。 栅极绝缘层（30）形成在栅极布线上。 在栅极绝缘层上形成半导体图形。 在半导体图案上形成数据布线。 数据线（65,66,68）包括源电极（65），漏电极（66）和数据线。 保护层（70）具有第一接触孔以露出漏电极。 像素电极（82）形成在保护层的上部。 像素电极通过第一接触孔连接到漏电极。 栅极布线和数据布线之一由Ag合金形成。

公开(公告)号：KR1020030033835A

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：KR1020010065990

申请日：2001-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오

IPC: G02F1/1333

Abstract: PURPOSE: A TFT substrate and a method for fabricating the same are provided to form a photoresist film instead of an organic film for a concave-and-convex patterned film and carry out hard baking instead of curing, thereby removing the solvent and moisture from the photoresist, stabilizing pattern images, and reinforcing the connection structure of resin, the thermal resistance and the adhesive force. CONSTITUTION: A TFT substrate includes an insulating substrate, gate wires formed on the insulating substrate with gate electrodes(26) and gate lines(22), a gate insulating film covering the gate wires, a semiconductor pattern formed on the gate insulating film, data wires formed on the gate insulating film with data lines, and source and drain electrodes(65,66) respectively contacting the semiconductor pattern, a protecting film covering the data wires while exposing the drain electrodes partially, a photoresist layer(90) for concave and convex pattern to cover the entire surface of the substrate except the drain electrodes, and reflecting electrodes(102) formed on the photoresist layer connected to the drain electrodes electrically via contact holes(72,92).

Abstract translation: 目的：提供TFT基板及其制造方法以形成光致抗蚀剂膜而不是用于凹凸图案的膜的有机膜，并且进行硬烘烤而不是固化，从而从溶剂和湿气中除去溶剂和水分 光致抗蚀剂，稳定图案图像，以及加强树脂的连接结构，热阻和粘合力。 构成：TFT基板包括绝缘基板，在具有栅电极（26）和栅极线（22）的绝缘基板上形成的栅极线，覆盖栅极线的栅极绝缘膜，形成在栅极绝缘膜上的半导体图案，数据 形成在具有数据线的栅极绝缘膜上的布线以及分别接触半导体图案的源极和漏极（65,66），覆盖数据线的保护膜，同时部分地露出漏电极，用于凹陷的光致抗蚀剂层（90） 覆盖除了漏电极之外的基板的整个表面的凸形图案，以及通过接触孔（72,92）电连接到漏电极的光致抗蚀剂层上形成的反射电极（102）。

公开(公告)号：KR1020030024160A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：KR1020010057180

申请日：2001-09-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조범석 ,  정창오

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: Wires, a method for fabricating the same, a thin film transistor substrate including the wires, and a method for fabricating the TFT substrate are provided to improve the adhesion force between a conductive film for wires and a glass or silicon substrate by forming a thin film of Ag nitride or Ag alloy nitride before stacking a conductive material for the wires. CONSTITUTION: Wires are formed on a silicon or glass substrate(100) and include a first thin film(220) formed of Ag nitride or Ag alloy nitride as the thin film for wires and a second thin film(210) formed of Ag or Ag alloy as the thin film for adhesion. The first and second thin films are formed in a same chamber to be stacked on the substrate and patterned. The first thin film is subject to annealing at a temperature under vacuum or nitride or hydrogen atmosphere in the range of 250-500°C for 30 minutes to 2 hours.

Abstract translation: 目的：提供电线，其制造方法，包括导线的薄膜晶体管基板以及制造TFT基板的方法，以改善导线用导电膜与玻璃或硅基板之间的粘附力，形成 在叠层导线材料之前，先将Ag氮化物或Ag合金氮化物薄膜。 构成：电线形成在硅或玻璃基板（100）上，并且包括由Ag氮化物或Ag合金氮化物形成的第一薄膜（220）作为电线用薄膜和由Ag或Ag形成的第二薄膜（210） 合金作为粘合薄膜。 第一和第二薄膜形成在相同的室中以堆叠在基板上并被图案化。 第一薄膜在真空温度或氮气或氢气氛中在250-500℃范围内退火30分钟至2小时。

公开(公告)号：KR1020020011034A

公开(公告)日：2002-02-07

申请号：KR1020000044417

申请日：2000-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  이재갑 ,  조범석 ,  이원희

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53247 ,  H01L27/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A metal line for a display device is provided to improve adhesive strength and contact resistance, and also a thin film transistor substrate using the metal line is provided together with a method for fabricating the substrate. CONSTITUTION: The metal line is formed of an alloy of Ag and at least one alloying element such as Li, Mg, Al, Sm or Mn. The alloying element has a low melting point preferably not exceeding 1500K and a high diffusion coefficient preferably more than 1.5E12cm¬2/sec. Preferably, the total ratio of the alloying element does not exceed 10at% of the alloy. The Ag alloy may be used for a reflecting electrode of a liquid crystal display, or for a gate electrode, a gate line and a data line of the thin film transistor substrate.

Abstract translation: 目的：提供用于显示装置的金属线以提高粘合强度和接触电阻，并且还提供了使用该金属线的薄膜晶体管基板和制造基板的方法。 构成：金属线由Ag和至少一种合金元素如Li，Mg，Al，Sm或Mn的合金形成。 合金元素的熔点低，优选不超过1500K，高扩散系数优选大于1.5E12cm 2 / sec。 优选地，合金元素的总比例不超过合金的10at％。 Ag合金可以用于液晶显示器的反射电极，或薄膜晶体管基板的栅电极，栅极线和数据线。

公开(公告)号：KR1020010045360A

公开(公告)日：2001-06-05

申请号：KR1019990048622

申请日：1999-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same are to decrease the number of mask used for manufacturing the thin film transistor substrate, thereby enhancing the productivity and yield. CONSTITUTION: A gate wiring including a gate line(22) and a gate electrode(26) connected to the gate line is formed on an insulating substrate. A gate insulating film pattern(32) is formed on the resultant structure to cover the gate wiring. A semiconductor pattern(42) is formed on the gate insulating film pattern. A resistive contact layer pattern(52,55,56) is formed on the semiconductor pattern. A data wiring including a source electrode(65), a drain electrode(66) formed from the same layer as the source electrode and spaced apart from the source electrode, and a data line(62) connected to the source electrode is formed on the contact layer pattern. A passivation film pattern(72) covering the data wiring and having the first contact hole exposing the drain electrode is formed. A pixel electrode(82) is formed on the passivation film pattern such that it is connected to the drain electrode through the first contact hole. The gate insulating film pattern, the semiconductor pattern, the resistive contact layer pattern, the data wiring and the passivation film pattern are formed by a photolithography method using a photoresist film pattern.

Abstract translation: 目的：薄膜晶体管基板及其制造方法是减少用于制造薄膜晶体管基板的掩模数，从而提高生产率和产量。 构成：在绝缘基板上形成包括连接到栅极线的栅极线（22）和栅电极（26）的栅极布线。 在所得结构上形成栅极绝缘膜图案（32）以覆盖栅极布线。 半导体图案（42）形成在栅极绝缘膜图案上。 电阻接触层图案（52,55,56）形成在半导体图案上。 包括源电极（65），与源电极相同的层与源电极隔开形成的漏极（66）和与源电极连接的数据线（62）的数据布线形成在 接触层图案。 形成覆盖数据布线并具有露出漏电极的第一接触孔的钝化膜图案（72）。 像素电极（82）形成在钝化膜图案上，使得其通过第一接触孔连接到漏电极。 栅极绝缘膜图案，半导体图案，电阻接触层图案，数据布线和钝化膜图案通过使用光致抗蚀剂膜图案的光刻法形成。

公开(公告)号：KR1020010009015A

公开(公告)日：2001-02-05

申请号：KR1019990027140

申请日：1999-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor of a liquid crystal display device and a forming method therefor are provided to prevent disconnection in a contact for electrically connecting a drain electrode and a pixel electrode. CONSTITUTION: A gate pattern having a chromium layer(21) and an aluminum layer(24) is formed on a glass substrate(20) and covered with a gate insulating layer(22). After an amorphous silicon pattern(23) is formed, a chromium layer(25) and an aluminum layer(26) are stacked thereon to form source and drain electrodes. Then, the resultant structure is covered with a protective layer(27) and a photoresist layer. Thereafter, a contact part(29) and a pad part(30) are formed through exposure and development processes using separate masks having different tones, respectively. Therefore, while the upper chromium layer(25) is exposed in the contact part(29), the lower chromium layer(21) is exposed in the pad part(30). Then, a transparent electrode layer(31) is formed and patterned to form a pixel electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种液晶显示装置的薄膜晶体管及其形成方法，以防止用于电连接漏电极和像素电极的触点断开。 构成：在玻璃基板（20）上形成具有铬层（21）和铝层（24）的栅极图案，并被栅极绝缘层（22）覆盖。 在形成非晶硅图案（23）之后，在其上堆叠铬层（25）和铝层（26）以形成源电极和漏电极。 然后，所得到的结构被保护层（27）和光致抗蚀剂层覆盖。 此后，分别通过使用具有不同音调的分离的掩模的曝光和显影处理形成接触部分（29）和焊盘部分（30）。 因此，当上部铬层25暴露在接触部分29中时，下部铬层21露出在焊盘部30中。 然后，形成透明电极层（31）并图案化以形成像素电极。

公开(公告)号：KR1019990040842A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970061315

申请日：1997-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허명구 ,  정창오

IPC: G02F1/1343

Abstract: 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 배선은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막 및 질화 몰리브덴막 또는 질화 몰리브덴 합금막의 이중막으로 만들어진다. 이러한 배선을 만들기 위하여, 기판 위에 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막을 적층하고, 이어 반응성 스퍼터링 방식으로 질화 몰리브덴 또는 질화 몰리브덴 합금막을 적층한 후 동시에 패터닝함으로써 형성된다. 이때, 반응성 스퍼터링의 표적으로는 0.1 ~20 원자 %의 함량비를 가지는 텅스텐, 크롬, 지르코늄, 또는 니켈 중 하나의 성분이 포함되어 있는 몰리브덴 합금을 사용하며 아르곤 기체에 대해 질소 기체를 0.5 배 이상으로 유입하여 ITO 식각액에 대한 식각비가 작은 질화 몰리브덴 합금막을 형성한다.