公开(公告)号：KR100878236B1

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：KR1020020032884

申请日：2002-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철 ,  조홍제 ,  박애나 ,  박봉옥 ,  정창오

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28008 ,  G03F7/0047 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32051 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0015 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0545

Abstract: 본 발명은 금속 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것으로서 금속을 포함하는 유기 금속 착제를 도포하여 유기 금속층을 형성하고, 유기 금속층을 광 마스크를 통하여 노광하고 현상하여 금속 패턴을 형성한다.
박막트랜지스터기판, 유기금속착제, 배선, 반사전극

公开(公告)号：KR100848107B1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：KR1020010051819

申请日：2001-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박애나 ,  강성철 ,  조홍제

IPC: G03F7/42

Abstract: 본 발명은 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알칸올아민 및 유기용매를 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 있어서, 물 및 불소계 비이온성 계면활성제를 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 종래 유기계 스트리퍼 조성물에 소량의 물과 불소계 비이온성 계면활성제를 첨가하여 포토레지스트 용해 성능 및 스트립성이 우수하고, 게이트 공정 라인에서 하드 베이크와 애슁 공정을 생략할 수 있으며, Cr(제2도전막)의 식각 시간을 단축함으로써 액정표시장치회로 또는 반도체 집적회로의 게이트 배선 공정을 단순화할 수 있다.
물, 불소계 비이온성 계면활성제, 포토레지스트용 스트리퍼 조성물, 스트립성, 게이트 공정의 단순화

Abstract translation: 本发明的照片作为抗蚀剂的剥离剂组合物，更特别是链烷醇胺，并在光致抗蚀剂的剥离剂组合物包含有机溶剂，在剥离剂组合物为光致抗蚀剂，其包含水和氟化非离子表面活性剂 会的。

公开(公告)号：KR100783608B1

公开(公告)日：2007-12-07

申请号：KR1020020010284

申请日：2002-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철 ,  조홍제 ,  박봉옥 ,  박애나

IPC: G02F1/13

Abstract: MoW에 대한 침식이 거의 없는 IZO 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조방법이 개시되어 있다. 이러한 조성물은 1∼10 중량%의 염산, 1∼20 중량%의 초산, 1∼500 ppm의 저해제(inhibitor) 및 70∼98중량%의 물을 포함하여 이루어진다. 이러한 IZO 식각액 조성물을 사용하여 MoW-IZO 시스템의 TFT 기판을 용이하게 제조할 수 있다. TFT 기판의 형성을 위한 다양한 공정에 모두 적용될 수 있으며, MoW 금속막에 대하여 전혀 침식을 일으키지 않기 때문에 콘택 저항이 낮은 MoW-IZO 시스템을 적용한 TFT 기판을 용이하게 제조할 수 있다. 이에 더하여, 장시간 보관에 대하여도 안정하며 침전물의 발생이 없이 스프레이 작업을 용이하게 적용할 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1020060019315A

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020040067932

申请日：2004-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조홍제 ,  임관택

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1288

Abstract: 동일한 금속의 상·하층 사이에 이종 금속층이 삽입된 형태의 다층 금속막을 이용한 금속 배선의 제조 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법을 제공한다. 금속 배선의 제조 방법은 기판 상에 동일한 금속의 상·하층 사이에 이종 금속층이 삽입된 형태로 금속층을 적층한 후 포토레지스트 패턴을 형성한 다음 습식 식각하고 포토레지스트 패턴을 애싱한 다음 건식 식각하는 단계를 포함한다. 또한, 다층 금속막으로서 Mo/Al(AlNd)/Mo를 이용한 금속 배선 제조 방법 및 이러한 금속 배선 제조 방법을 이용하는 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법을 또한 제공한다.
액정 표시 장치, Mo/Al(AlNd)/Mo, 금속 배선, 박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020050048776A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030082488

申请日：2003-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재경 ,  최동욱 ,  조홍제

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은, 박막트랜지스터 기판의 전극 패턴 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 전극 패턴 형성방법은 기판 상에 알루미늄과 니켈을 포함하는 합금층을 증착 형성하는 단계; 상기 합금층 위에 상기 합금층의 에칭에 사용되는 에칭용액에 에칭되지 않는 금속층을 증착 형성하는 단계; 상기 금속층 위에 감광액을 도포하고 감광액 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광액 패턴을 마스크로 하여 상기 금속층을 에칭하여 상기 금속층의 패턴을 형성하는 단계; 상기 금속층의 패턴을 마스크로 하여 상기 합금층을 에칭하는 단계; 상기 합금층의 에칭 후에 상기 금속의 패턴을 제거하여 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 알루미늄과 니켈을 포함하는 합금을 현상액에 의한 부식 없이 전극 패턴으로 사용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050011290A

公开(公告)日：2005-01-29

申请号：KR1020030050307

申请日：2003-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조홍제 ,  강성철

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A TFT-LCD is provided to make the taper angle of gate electrodes smooth and use dual metal layers of different reflexibility for the gate electrodes thereby minimizing the blurring of screen. CONSTITUTION: A TFT-LCD includes gate electrodes formed of upper and lower metal layers. The upper metal layer is formed of Mo and the lower metal layer is formed of alloy of Al and Nd, wherein a reflexibility of Mo is lower than the alloy of Al and Nd by about 80%. Therefore, a line width of the upper metal layer is much smaller than that of the lower metal layer.

Abstract translation: 目的：提供TFT-LCD以使栅电极的锥角平滑，并且对栅电极使用具有不同反射性的双金属层，从而最小化屏幕的模糊。 构成：TFT-LCD包括由上金属层和下金属层形成的栅电极。 上金属层由Mo形成，下金属层由Al和Nd的合金形成，其中Mo的反射性低于Al和Nd的合金约80％。 因此，上金属层的线宽比下金属层的线宽小得多。

公开(公告)号：KR1020040074770A

公开(公告)日：2004-08-26

申请号：KR1020030010166

申请日：2003-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조홍제 ,  강성철 ,  박애나

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A forming method of molybdenum thin film patterns is provided to etch a formed molybdenum thin film to make molybdenum thin film patterns, and to cleanly fabricate the molybdenun thin film patterns without residuals, stains or step differences, thereby improving the quality of a substrate. CONSTITUTION: Gate lines consisting of the first gate line layers(221,241) and the second gate line layers(222,242) are formed on an insulating substrate(10). The gate lines include gate lines(22), gate line ends(24), and gate electrodes. Maintenance electrode lines(28) are formed on the insulating substrate(10) in parallel with the gate lines(22). The maintenance electrode lines(28) consist of the first gate line layer(281) and the second gate line layer(282). Data line layers(62,64,68) made of molybdenum-tungsten alloy films are formed on resistive contact layer patterns(55).

Abstract translation: 目的：提供钼薄膜图案的形成方法来蚀刻形成的钼薄膜以制造钼薄膜图案，并且清洁地制造钼残片，不残留，污渍或阶差，从而提高基板的质量 。 构成：在绝缘基板（10）上形成由第一栅极线层（221,241）和第二栅极线层（222,242）构成的栅极线。 栅极线包括栅极线（22），栅极线端部（24）和栅极电极。 维护电极线（28）与栅极线（22）平行地形成在绝缘基板（10）上。 维护电极线（28）由第一栅线层（281）和第二栅线层（282）构成。 由钼 - 钨合金膜制成的数据线层（62,64,68）形成在电阻性接触层图案（55）上。

公开(公告)号：KR1020040061670A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：KR1020020087955

申请日：2002-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박애나 ,  강성철 ,  박홍식 ,  조홍제 ,  박봉욱

IPC: G01N27/00

Abstract: PURPOSE: A sample and a method for testing detergency are provided to reduce the time for developing a detergent and to accurately check the properties of a detergent by varying the elements contained in the detergent during a test. CONSTITUTION: A detergency testing sample(100) comprises a substrate(10), a gate electrode(20) formed on the substrate and made of a mono silicon doped with metal or ion, a gate insulating film(30) formed on the gate electrode and made of SiO2, a channel layer(40) formed on the upper face of the gate electrode and made of amorphous silicon or poly silicon, a source electrode(50) placed on the upper face of the channel layer and made of mercury, and a drain electrode(60) placed on the upper face of the channel layer and made of mercury.

Abstract translation: 目的：提供一种用于测试洗涤力的样品和方法，以减少洗涤剂的显影时间，并通过在测试期间改变洗涤剂中所含的元素来精确地检查洗涤剂的性质。 洗涤力测试样品（100）包括基板（10），形成在基板上并由掺杂有金属或离子的单硅制成的栅电极（20），形成在栅电极上的栅极绝缘膜（30） 由SiO 2制成，沟道层（40），形成在栅电极的上表面上，由非晶硅或多晶硅构成，源电极（50）放置在沟道层的上表面并由汞制成，以及 漏极电极（60），放置在沟道层的上表面并由汞制成。

公开(公告)号：KR1020040026802A

公开(公告)日：2004-04-01

申请号：KR1020020058392

申请日：2002-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성철 ,  박홍식 ,  박애나 ,  조홍제

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K13/04 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26

Abstract: PURPOSE: An etchant composition for a liquid crystal display device and a liquid crystal display device prepared by using the composition are provided, to prevent the photoresist attack in etching by controlling the content of nitric acid and acetic acid for obtaining a desired pattern and to allow a Mo/Al-alloy dual layer, a pure Mo single layer and a Mo/Al-alloy/Mo triple layer to be etched at a time. CONSTITUTION: The etchant composition comprises 50-70 wt% of phosphoric acid; 6-7 wt% of nitric acid; 10-16 wt% of acetic acid; and the balance of deionized water. The liquid crystal display device contains the pattern which is etched by using the etchant composition. Optionally the composition comprises further a surfactant.

Abstract translation: 目的：提供通过使用该组合物制备的液晶显示装置和液晶显示装置的蚀刻剂组合物，以通过控制硝酸和乙酸的含量以获得期望的图案来防止蚀刻中的光致抗蚀剂侵袭，并允许 Mo / Al合金双层，纯Mo单层和一次蚀刻的Mo / Al合金/ Mo三层。 构成：蚀刻剂组成包含50-70重量％的磷酸; 6-7重量％硝酸; 10-16重量％的乙酸; 和去离子水的平衡。 液晶显示装置包含通过使用蚀刻剂组合物进行蚀刻的图案。 任选地，组合物还包含表面活性剂。

公开(公告)号：KR1020040024993A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：KR1020020056767

申请日：2002-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조홍제 ,  박애나 ,  박홍식 ,  강성철

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136 ,  B32B2457/202 ,  G02B1/14 ,  G02F1/133345 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/124

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and its fabrication method are provided to form an interconnection line having low resistance. CONSTITUTION: The thin film transistor comprises an insulation substrate, and a gate line(121) which is formed on the insulation substrate to transfer a scanning signal. And a data line is formed to cross with the gate line and transfers an image signal. At least one of the gate line or the data line is formed with a tri-layer where the first molybdenum layer and an aluminum neodymium layer and the second molybdenum layer are stacked in sequence.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法以形成具有低电阻的互连线。 构成：薄膜晶体管包括绝缘基板和形成在绝缘基板上以传送扫描信号的栅极线（121）。 并且形成数据线与栅极线交叉并传送图像信号。 栅极线或数据线中的至少一个由三层形成，其中第一钼层和铝钕层和第二钼层依次层叠。