公开(公告)号：KR1020120010437A

公开(公告)日：2012-02-03

申请号：KR1020100071976

申请日：2010-07-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 채수희 ,  박영수 ,  민복기 ,  김준연 ,  홍현기

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a method of manufacturing the same are provided to increase light extraction efficiency by reducing the total reflection in the interface with outside. CONSTITUTION: In a light emitting device and a method of manufacturing the same, a metal layer(120) is formed on a substrate(110). A second type semiconductor layer(140) is formed on the metal layer. An active layer(150) is formed on the second type semiconductor layer. A first type semiconductor layer(160) is formed on the active layer. An output pattern layer(180) is formed on the first type semiconductor layer. An output pattern layer comprises an AlGaN layer(181) and an AlN layer(189).

Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，以通过减少与外界面的全反射来提高光提取效率。 构成：在发光器件及其制造方法中，在衬底（110）上形成金属层（120）。 在金属层上形成第二类型的半导体层（140）。 在第二类型半导体层上形成有源层（150）。 在有源层上形成第一类型的半导体层（160）。 输出图案层（180）形成在第一类型半导体层上。 输出图案层包括AlGaN层（181）和AlN层（189）。

公开(公告)号：KR1020050051920A

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：KR1020030085600

申请日：2003-11-28

Applicant: 광주과학기술원 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 성태연 ,  송준오 ,  임동석 ,  홍현기

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/42

Abstract: 본 발명은 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 플립칩형 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 있고, p형 클래드층 위에 안티몬, 불소, 인, 비소 중 적어도 하나의 첨가원소가 도핑된 주석산화물로 형성된 오믹콘택트층과, 오믹콘택트층 상부에 광을 반사하는 소재로 형성된 반사층을 구비한다. 이러한 플립칩형 질화물계 발광소자 및 제조방법에 의하면, 낮은 면저항과 높은 캐리어농도를 갖는 전도성 산화물 전극 구조체의 적용에 의해 전류-전압 특성이 개선되고 내구성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101650840B1

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：KR1020090079189

申请日：2009-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준연 ,  민복기 ,  홍현기 ,  이재원

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025 ,  Y10S977/893 ,  Y10S977/95

Abstract: 발광소자및 이의제조방법이개시된다. 개시된발광소자는실리콘기판; 상기실리콘기판상에형성된것으로, 금속성버퍼층과패턴된분산브래그반사층을포함하는반사버퍼층; 상기반사버퍼층위에형성된 GaN 기반의발광구조층;을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种发光器件及其制造方法。 所公开的发光器件包括硅衬底; 形成在所述硅衬底上的反射缓冲层，所述反射缓冲层包括金属缓冲层和图案化的分散布拉格反射层; 并且在反射缓冲层上形成GaN基发光结构层。

公开(公告)号：KR1020150094096A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：KR1020140014964

申请日：2014-02-10

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 이영훈 ,  김찬수 ,  권하일 ,  강창덕 ,  이종찬 ,  조광명 ,  차상호 ,  홍현기

IPC: C08G63/08 ,  C08G63/82 ,  C08G63/80

CPC classification number: C08G63/823

Abstract: 유기금속화합물(organometallic compound)을 포함하는 주촉매; 및 나노입자(nanoparticle)를 포함하는 조촉매;의 존재 하에, 락타이드를 개환 중합하는 단계를 포함하는 폴리락트산 제조방법, 상기 방법으로 제조된 폴리락트산수지, 상기 수지를 포함하는 수지조성물 및 폴리락트산 제조용 촉매 시스템이 제시된다.

Abstract translation: 公开了聚乳酸的制造方法，由其制造的聚乳酸树脂，包含该树脂的树脂组合物和制造聚乳酸的催化剂体系。 聚乳酸的制造方法包括在包括有机金属化合物的主催化剂和包含纳米颗粒的助催化剂存在下开环聚合丙交酯的步骤。

公开(公告)号：KR1020120081506A

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：KR1020110002870

申请日：2011-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민복기 ,  박영수 ,  채수희 ,  김준연 ,  홍현기 ,  탁영조

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0091 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405

Abstract: PURPOSE: A vertical light emitting device is provided to smoothly spread a current by forming a transparent electrode pattern in an intermediate region between metal electrode patterns. CONSTITUTION: A semiconductor layer includes an active layer for emitting light. A first electrode is arranged in one side of the semiconductor layer. A second electrode(70) is opposite to the semiconductor layer. One of the first and second electrodes includes a metal electrode pattern(80) and a transparent electrode pattern(85) in an intermediate region between the metal electrode patterns. The transparent electrode pattern is electrically connected to the metal electrode pattern.

Abstract translation: 目的：提供垂直发光装置，通过在金属电极图案之间的中间区域形成透明电极图案来平滑地扩展电流。 构成：半导体层包括用于发光的有源层。 第一电极布置在半导体层的一侧。 第二电极（70）与半导体层相对。 第一和第二电极中的一个在金属电极图案之间的中间区域中包括金属电极图案（80）和透明电极图案（85）。 透明电极图形电连接到金属电极图案。

公开(公告)号：KR1020120068394A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：KR1020100130001

申请日：2010-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준연 ,  채수희 ,  홍현기 ,  탁영조

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02304

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to reduce crack generation when a nitride semiconductor layer is grown by compensating for tensile stress with compressive stress. CONSTITUTION: A secondary seed layer(15) includes a first substance for masking and a second material for secondary seeding. A nucleation layer(20) is grown up on the secondary seed layer. A nitride semiconductor layer(25) is grown up on the nucleation layer. A buffer layer is formed between the nucleation layer and the nitride semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过利用压缩应力补偿拉伸应力来生长氮化物半导体层时的裂纹产生。 构成：次级种子层（15）包括用于掩蔽的第一物质和用于二次播种的第二种材料。 成核层（20）在次级种子层上长大。 在成核层上生长氮化物半导体层（25）。 在成核层和氮化物半导体层之间形成缓冲层。

公开(公告)号：KR1020110056866A

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：KR1020090113359

申请日：2009-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁영조 ,  김준연 ,  홍현기 ,  이재원 ,  정형수

IPC: H01L33/10 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: PURPOSE: A gallium nitride light emitting diode and a method for manufacturing the same are provided to increase light extraction efficiency by making one side of a pattern exposed to a reflective layer and covering the whole area of the silicon substrate with the reflective layer. CONSTITUTION: A buffer layer(120) and a first nitride layer(130) are successively formed on a silicon substrate(110). A pattern includes the sidewalls facing with each other by dry-etching the first nitride layer. A reflective film(140) is evaporated on the first nitride layer. An n-type nitride material from the exposed one side wall in horizontal to form an n-type nitride layer(150) covering a first nitride layer. A multi-quantum well activate layer(160) and a p-type nitride layer(170) are successively formed on the n-type nitride layer.

Abstract translation: 目的：提供一种氮化镓发光二极管及其制造方法，以通过使反射层的一侧暴露于反射层并用反射层覆盖硅基板​​的整个区域来提高光提取效率。 构成：在硅衬底（110）上依次形成缓冲层（120）和第一氮化物层（130）。 图案包括通过干蚀刻第一氮化物层而彼此面对的侧壁。 在第一氮化物层上蒸发反射膜（140）。 来自暴露的一个侧壁的n型氮化物材料，以形成覆盖第一氮化物层的n型氮化物层（150）。 在n型氮化物层上依次形成多量子阱活化层（160）和p型氮化物层（170）。