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公开(公告)号：KR1020010095837A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：KR1020000019255
申请日：2000-04-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A phase shift mask for controlling transmissivity of a wavelength using an energy trap and a method for manufacturing the same are provided to form a phase shifter material of high transmissivity with a wavelength longer than an exposure light with a short wavelength. CONSTITUTION: An energy trap is formed around the energy level of a test light having a wavelength longer than the wavelength of an exposure light by using a semitransparent phase shift material for an exposure light with a predetermined wavelength as a main material on a transparent substrate. A phase shift layer is formed by adding a material for reducing transmissivity of the test light. A shielding layer is formed on the phase shift layer in order to shield the exposure light. The main of the phase shift material includes Cr, Al, and O. Er is used as the material for forming the energy trap around wavelength of the test light.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制使用能量阱的波长透射率的相移掩模及其制造方法，以形成具有比具有短波长的曝光光的波长更长的高透射率的移相器材料。 构成：通过在透明基板上使用具有预定波长的曝光光作为主要材料的半透射相移材料，围绕具有比曝光光的波长更长的波长的测试光的能量水平形成能量阱。 通过添加用于降低测试光的透射率的材料来形成相移层。 为了屏蔽曝光光，在相移层上形成屏蔽层。 相移材料的主要材料包括Cr，Al和O.Er被用作围绕测试光的波长形成能量阱的材料。
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公开(公告)号：KR100253087B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970039308
申请日：1997-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/02063
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing semiconductor devices is provided to reduce the fabrication time and increase the cleaning efficiency to increase productivity and reliability. CONSTITUTION: The method for manufacturing semiconductor devices comprises removing a predetermined region of the photoresist remaining on a semiconductor substrate(10) using a dry etching process. The dry etching process applies a mixture of nitrogen and oxygen gases. Preferably, the dry etching process is carried out between 50 to 3,600 seconds. After the well is formed and the photoresist is removed from the substrate(10), the substrate is cleaned using a cleaning composition. The cleaning composition comprises 25 to 35 weight percent isopropyl alcohol(IPA), 2.0 to 4.0 weight percent hydrogen peroxide(H2O2), 0.05 to 0.25 weight percent hydrofluoric acid(HF), and a remaining weight percent deionized water. Preferably, the cleaning composition includes deionized water, 100 percent of IPA, 30 percent of H2O2, and 50 percent of HF mixed in order. Additionally, the cleaning composition is preferably applied at a temperature between 20 to 30 deg.C.
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，以减少制造时间并提高清洁效率，从而提高生产率和可靠性。 构成：半导体器件的制造方法包括使用干蚀刻工艺去除保留在半导体衬底（10）上的光致抗蚀剂的预定区域。 干蚀刻工艺应用氮气和氧气的混合物。 优选地，干蚀刻处理在50至3600秒之间进行。 在形成阱并从衬底（10）去除光致抗蚀剂之后，使用清洁组合物清洁衬底。 清洁组合物包含25至35重量％的异丙醇（IPA），2.0至4.0重量％的过氧化氢（H 2 O 2），0.05至0.25重量％的氢氟酸（HF）和剩余重量百分比的去离子水。 优选地，清洁组合物包括去离子水，100％的IPA，30％的H 2 O 2和50％的HF按顺序混合。 此外，清洁组合物优选在20〜30℃的温度下进行。
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公开(公告)号：KR100252212B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970011899
申请日：1997-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/31111
Abstract: PURPOSE: An etch composition and a method for etching a silicon nitride film are provided to be capable of rapidly and easily etching a silicon nitride film. CONSTITUTION: An etch composition comprises fluorine acid of 10 - 90 weight% and phosphoric acid salt solution of 10 - 90 weight%. A method for etching a silicon nitride film injects a wafer for manufacturing semiconductor devices in which a silicon nitride film is formed into an etch chamber containing the etch composition comprising fluorine acid and phosphoric acid salt solution and heats/vaporizes the etch composition to expose the wafer to the etch composition so that the silicon nitride film can be etched.
Abstract translation: 目的：提供蚀刻组合物和蚀刻氮化硅膜的方法，以能够快速且容易地蚀刻氮化硅膜。 构成：蚀刻组合物包含10-90重量％的氟酸和10-90重量％的磷酸盐溶液。 用于蚀刻氮化硅膜的方法将用于制造其中形成氮化硅膜的半导体器件的晶片注入包含含有氟酸和磷酸盐溶液的蚀刻组合物的蚀刻室中，并加热/蒸发蚀刻组合物以暴露晶片 蚀刻组合物，使得可以蚀刻氮化硅膜。
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公开(公告)号：KR1019990033658A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970055074
申请日：1997-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조용 케미컬배스에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체장치의 제조공정에 이용되는 케미컬을 수용하는 배스부; 상기 배스부가 밀폐되도록 상기 배스부의 상부에 구비되는 실링부; 상기 배스부에 케미컬을 공급하도록 상기 실링부를 관통하여 상기 배스부의 저면까지로 연장시켜 구비되는 케미컬공급라인; 상기 배스부에 수용되는 케미컬 등에서 발생하는 가스가 외부로 배기되도록 상기 실링부에 구비되는 배기부; 및 상기 배기부가 저온상태를 유지할 수 있도록 상기 배기부의 주변에 구비되어 냉각수를 공급하는 냉각수공급라인을 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 배스부를 밀폐시킴으로써 안정성을 확보할 수 있고, 케미컬이 자연적으로 감소되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 케미컬의 농도변화로 인한 불량 등을 방지할 수 있어 생산성이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980038791A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960057719
申请日：1996-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은, 특정 반도체소자 제조공정이 진행된 웨이퍼에 파티클을 강제오염시켜 이를 제거하기 위한 방법을 모색하는 반도체 웨이퍼 파티클 분석방법에 관한 것이다.
본 발명은, 특정 파티클을 이소프로필알콜(IPA : Isopropyle Alcohol)에 혼합시키는 단계, 이소프로필알콜에 혼합된 상기 특정 파티클을 순수가 담긴 저장조 내부에 투입하는 단계 및 상기 저장조 내부에 실험용 웨이퍼를 투입한 후, 이를 인출하고 분석하는 단계로 이루어진다.
따라서, 폴리스티렌 라텍스 파티클과 공정과정에 발생하는 여러종류의 파티클 들을 웨이퍼 상에 균일하게 부착시킨 후, 이를 제거하기 위한 실험의 기준을 정할 수 있으므로 실험값에 정확성을 기할 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102254183B1
公开(公告)日：2021-05-24
申请号：KR1020150077496
申请日：2015-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/08 , H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 집적회로장치가제공된다. 상기집적회로장치는제 1 커패시터및 상기제 1 커패시터와다른제 2 커패시터를포함하는디커플링구조체를포함하고, 상기디커플링구조체는수직방향으로각각연장하는복수의제 1 도전패턴들, 상기수직방향으로각각연장하는제 2 도전패턴들, 상기제 1 도전패턴들및 상기제 2 도전패턴들을구조적으로지지하고수평방향으로연장하는통합지지구조체및 상기제 1 도전패턴들사이및 상기제 2 도전패턴들사이에제공되는공통전극을포함한다. 상기제 1 도전패턴들및 상기공통전극은상기제 1 커패시터의전극들을포함하고, 상기제 2 도전패턴들및 상기공통전극은상기제 2 커패시터의전극들을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170004108A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020150094007
申请日：2015-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F21/34 , G06F21/31 , G06F21/316 , G06F21/35 , G06F21/45
Abstract: 인증방법에있어서, 인증요청을수신하는단계; 상기인증요청이수신됨에따라, 복수의외부디바이스중 적어도하나로부터사용자를인증하기위한인증데이터를획득하는단계; 상기획득된인증데이터및 인증데이터의타입에미리할당된신뢰도정보에기초하여, 인증점수를획득하는단계; 및상기획득된인증점수에따라추가인증여부를결정하는단계를포함하는인증방법이개시된다.
Abstract translation: 关于认证方法，公开了一种认证方法，其包括以下步骤：接收认证请求; 当接收到认证请求时，从多个外部设备中的至少一个获取认证用户的认证数据; 基于预先分配给获取的认证数据的可靠性信息和认证数据的类型获取认证分数; 以及根据获取的认证分数确定是否进行进一步认证。
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