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公开(公告)号：KR1020160028303A
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：KR1020140117254
申请日：2014-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: A61B5/021 , A61B5/0295
CPC classification number: A61B5/021 , A61B5/0002 , A61B5/0059 , A61B5/02416 , A61B5/02438 , A61B5/0261 , A61B5/0295 , A61B5/6803 , A61B5/681 , A61B5/7235 , A61B2562/0233 , A61B2562/046 , A61B2562/12
Abstract: 혈압을모니터링하는장치및 방법은, 피검부위내의혈관을향하여레이저를조사하고, 피검부위로부터조사된레이저의산란현상에의해발생된레이저스펙클(laser speckle)을검출하고, 검출된레이저스펙클을이용하여혈관의용적변화를나타내는생체신호를획득하고, 획득된생체신호에기초하여혈압을추정한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种监测血压的装置和方法，以及具有监测血压功能的可穿戴装置。 监测血压的方法是朝向要检查的身体部位的血管发射激光，检测由被检测的身体部位发射的激光散射引起的最后的斑点，使用检测到的最后的斑点获取生物 - 指示血管的体积变化的信号，并且基于所获取的生物信号来估计血压。
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公开(公告)号：KR1020150081149A
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020140000835
申请日：2014-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L31/0304 , G02B5/1876 , H01L31/02327 , H01L31/085 , H01L31/09 , Y02E10/544
Abstract: 광전도안테나가개시된다. 개시된광전도안테나는반도체기판과, 이반도체기판의일면에형성된금속성안테나와, 금속성안테나와같은면에형성되어표면파나후방산란파를억제하는제1패턴구조체를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明，公开了一种光电导天线。 所公开的光电导天线包括半导体衬底; 形成在所述半导体衬底的表面上的金属天线; 以及形成在与金属天线相同的表面上以抑制表面波或反向散射波的第一图案结构。 光电导天线能够通过在半导体衬底的另一表面上额外包括第二图案结构来获得准直的电磁波并且减少发射的电磁波的发射度。
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23.发明授权
公开(公告)号：KR101433899B1
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020080052712
申请日：2008-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C23C14/16 , C23C14/022 , C23C14/5806 , H01L21/30655 , H01L2924/0002 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 기판의 식각부에 금속층을 형성하는 방법을 제공한다. 구체적으로, 기판의 식각부에 금속층을 형성하는 방법은, 기판을 식각하여 수직면을 갖는 식각부를 형성하는 단계, 식각부의 표면에 확산 물질층을 형성하는 단계, 확산 물질층을 열처리하여, 일부가 상기 식각부의 표면 아래로 확산된 씨드층을 형성하는 단계, 및 씨드층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기한 방법에 따르면, 씨드층에 의해 기판 식각부의 표면 특성이 개선되므로, 식각부의 수직면에 접착성이 우수하고 균일한 두께의 금속층을 형성할 수 있다.
기판, 식각, 금속층, 스캘럽, DRIE, 열처리, 확산-
公开(公告)号：KR101336962B1
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020070053705
申请日：2007-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01P7/00
CPC classification number: H03H9/2463 , B82Y15/00 , H03H9/02244 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/724 , Y10S977/932
Abstract: 복합 구조의 빔을 이용한 나노 공진기가 개시된다. 본 발명은 나노 빔을 이용하는 공진기에 있어서, 실리콘 카바이드 빔; 상기 실리콘 카바이드 빔 위에 증착된 희생층; 및 상기 희생층 위에 증착된 저밀도의 금속 전도체를 포함하는 복합 구조의 빔을 이용한다. 본 발명에 의하면, 나노 빔의 전기적 전도성을 높이고, 초전도 자력선을 필요로 하지 않고 실온, 준공진의 조건에서도 충분한 공진이 가능하여 실용화가 용이하고, 양호도를 향상시킬 수 있으며, 기가 헤르쯔 이상의 고주파 영역에서의 동작이 용이하다.
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公开(公告)号：KR101301157B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020070114456
申请日：2007-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H03B28/00 , B44C1/227 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2924/0002 , H01L2924/1903 , H01L2924/00
Abstract: 제1 기판의 어느 한 면에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제1 기판을 식각하여 홀을 형성하는 단계; 제2 기판의 어느 한 면에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제2 기판을 미리 설정된 깊이만큼 식각하여 홀을 형성하는 단계; 상기 제1 기판의 식각된 면이 상기 제2 기판의 식각된 면에 접합되도록 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합하는 단계; 상기 제2 기판에 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제3 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제2 기판을 식각하여, 상기 제2 기판을 관통하는 홀을 형성하는 단계를 포함하는 다단계 기판 식각 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다단계 기판 식각 방법을 사용하면, 식각 후 바닥면에 곡률 반경이 생기거나 단차면에서 오버행(overhang) 구조가 생성되는 것을 방지할 수 있어 식각 품질을 개선할 수 있고, 각 기판에 위치한 얼라인 키를 사용하여 기판을 정교하게 접합할 수 있으며, 다층(multi-layer) 공정이 가능한 이점이 있다.
식각, 발진기, 테라헤르츠, 공융-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110018764A
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：KR1020090076389
申请日：2009-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L21/20 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02603 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/18 , Y02E10/547 , Y02E10/548
Abstract: PURPOSE: A solar cell with a nano wire and a method for manufacturing the nano wire are provided to improve efficiency by absorbing a broadband wavelength of sunlight. CONSTITUTION: A plurality of nano wires(380) are arranged to successively increase diameters along the incident direction of sunlight. A coating layer(390) is formed on the nano wires and forms a p-n junction with nano wires. A first electrode is electrically connected to the nano wires. A second electrode(320) is electrically connected to the coating layer. The coating layer surrounds the nano wires.
Abstract translation: 目的：提供具有纳米线的太阳能电池和制造纳米线的方法，以通过吸收太阳光的宽带波长来提高效率。 构成：多个纳米线（380）布置成沿着太阳光的入射方向依次增加直径。 在纳米线上形成涂层（390）并与纳米线形成p-n结。 第一电极电连接到纳米线。 第二电极（320）电连接到涂层。 涂层围绕纳米线。
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27.发明公开
公开(公告)号：KR1020090105775A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：KR1020080052712
申请日：2008-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C23C14/16 , C23C14/022 , C23C14/5806 , H01L21/30655 , H01L2924/0002 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal layer of a substrate etching unit, a substrate with the metal layer of the substrate etching unit, and a substrate thereof are provided to improve the thin film characteristic of the metal layer of the substrate etching unit. CONSTITUTION: An etching unit has a vertical surface(51) by etching a substrate(10). A diffusion material layer is formed on a surface of an etching unit. A seed layer(60') is formed by thermally processing the diffusion material layer. A metal layer(70) is formed on the seed layer. The etching unit is formed with a groove type and a hole type. The diffusion material layer is formed by depositing the metal with a physical or chemical vapor deposition method.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成基板蚀刻单元的金属层的方法，具有基板蚀刻单元的金属层的基板及其基板，以改善基板蚀刻单元的金属层的薄膜特性。 构成：蚀刻单元通过蚀刻基板（10）具有垂直表面（51）。 在蚀刻单元的表面上形成扩散材料层。 通过热处理扩散材料层形成晶种层（60'）。 在种子层上形成金属层（70）。 蚀刻单元形成为凹槽型和孔型。 通过用物理或化学气相沉积方法沉积金属形成扩散材料层。
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公开(公告)号：KR1020070107500A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：KR1020060040082
申请日：2006-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09G3/32 , G09G3/2014 , G09G2310/0256 , G09G2310/066 , G09G2320/043
Abstract: A method of driving a field emission device and an aging method using the same are provided to enhance uniformity of electron emission by preventing arcing in an electron beam emission. A field emission device includes a cathode electrode having an electron emission source and an anode electrode, which is formed opposite to the cathode electrode. A driving voltage for electron emission utilizes an AC(Alternating Current) voltage(Vc1). The AC voltage is a waveform, which a voltage is varied according to time elapses, in the electron emission. The waveform of the AC voltage is a sine wave or a triangle wave. The AC voltage is a digital signal, which a voltage is varied according to time elapses, in the electron emission.
Abstract translation: 提供驱动场致发射器件的方法和使用其的老化方法，以通过防止电子束发射中的电弧而提高电子发射的均匀性。 场发射器件包括具有电子发射源的阴极电极和与阴极相对形成的阳极电极。 用于电子发射的驱动电压利用AC（交流）电压（Vc1）。 交流电压是电子发射中随时间而变化的波形。 交流电压的波形是正弦波或三角波。 AC电压是电子发射中随时间而变化的数字信号。
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公开(公告)号：KR1020170038521A
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020150138004
申请日：2015-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/24 , H01S5/0206 , H01S5/0425 , H01S5/0653 , H01S5/1017 , H01S5/1032 , H01S5/1042 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3211 , H01S5/343 , H01S2301/16 , H01S2301/176
Abstract: 외부로부터에너지를흡수하여레이저광을발생시키는반도체레이저공진기가개시된다. 반도체레이저공진기는반도체물질을포함하며, 적어도하나의트렌치에의해상부에돌출되게마련되는적어도하나의돌출부를포함하는이득매질층을구비한다. 여기서, 상기적어도하나의돌출부중 적어도하나의내부에상기레이저광이정상파로구속될수 있다.
Abstract translation: 公开了从外部吸收能量以产生激光的半导体激光共振器。 半导体激光共振器包括半导体材料并且具有增益介质层，该增益介质层包括至少一个突起，该突起被设置为通过至少一个沟槽向上突出。 这里，激光可以被限制在至少一个突起中的至少一个内的驻波。
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