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公开(公告)号：KR1020150089455A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020140010099
申请日：2014-01-28
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은미세기포토출장치에대한것으로서, 특히펜스를이용하여미세기포를효과적으로수중에토출할수 있는미세기포토출장치에관한것이다. 본발명은펜스에장착되는가이드와, 상기가이드를따라이동하는이동체, 및상기이동체에장착되어미세기포를토출하는노즐을포함한다. 이에따라, 본발명은노즐이연결된이동체가펜스를따라이동하도록하여자연수계내 다양한구역에서동시다발적으로수중의조류와같은부유물들을부상시킬수 있는미세기포토출장치를제공할수 있다.
Abstract translation: 微气泡排出装置技术领域本发明涉及一种微气泡排出装置，更具体地说，涉及一种能够通过使用篱笆将微气泡有效地排放到水中的微气泡排出装置。 本发明的微气泡排出装置包括：安装在栅栏上的导向件; 沿导轨移动的移动物体; 以及安装在移动物体上以排出微气泡的喷嘴。 因此，本发明的微气泡排出装置能够使与喷嘴连动的移动物体沿着栅栏移动，从而同时在水系中的各个区域中提高水中的浮游物质。
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公开(公告)号：KR1020150059692A
公开(公告)日：2015-06-02
申请号：KR1020130143207
申请日：2013-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: B01J37/343 , B01J23/42
Abstract: 본발명은스퍼터링을이용한탄소담지백금촉매제조방법에관한것으로, 탄소담지체를고분자용액, 이온성액체또는이들의혼합물에분산시켜탄소담지체분산용액을제조하는단계; 및상기제조된탄소담지체분산용액상에백금(Pt)을스퍼터링하는단계;를포함하여구성되어간단하고효율적으로탄소담지백금촉매를합성할수 있으며, 상기탄소담지백금촉매를포함하는연료전지는성능이향상된다.
Abstract translation: 本发明涉及使用溅射的碳载铂催化剂的制造方法，包括以下步骤：通过将碳负载体分散在聚合物溶液，离子液体或其混合物中来制备碳载体分散液; 并在制造的碳载体分散液中溅射铂（Pt），从而以简单的方式有效地合成碳负载的铂催化剂，从而提高包括合成碳载铂催化剂的燃料电池的性能。
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公开(公告)号：KR102221244B1
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：KR1020190087517
申请日：2019-07-19
Applicant: 대한민국(질병관리청장) , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은마이코박테리움안얀젠스(Mycobacterium anyangense) 균주를포함하는결핵예방용백신조성물에관한것으로, 본발명의일 측면에서제공되는마이코박테리움안얀젠스(Mycobacterium anyangense) 균주기반결핵예방용백신조성물은현재결핵백신으로사용되고있는 M. bovis BCG에비해안정성과결핵예방효과가우수하므로, 종래결핵백신을대체하여더욱우수한예방효과를확보할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101980655B1
公开(公告)日：2019-05-22
申请号：KR1020180112229
申请日：2018-09-19
Applicant: 한화시스템 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H04W16/08 , H04W16/24 , H04B17/336
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公开(公告)号：KR101796693B1
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020160102341
申请日：2016-08-11
Applicant: 주식회사신도리코 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: B29C64/393 , B29C64/118 , B29C64/386 , B33Y10/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , G05B19/4099 , G05B2219/49007 , G06F17/50 , Y02P10/29
Abstract: 본발명은서로직교하는 3개의평면들을이용하여 3차원모델을슬라이싱하여유닛블록들을생성하는유닛블록생성부; 상기유닛블록들을위치에따라경계유닛블록과내부유닛블록으로분류하고, 상기경계유닛블록들을플랫루프영역의포함여부에따라플랫루프유닛블록과비-플랫루프유닛블록으로분류하는유닛블록분류부; 상기내부유닛블록들을병합하여결합블록을생성하는결합블록생성부; 상기결합블록의플랫루프포인트를판별하는플랫루프포인트판별부; 상기플랫루프포인트가포함된결합블록의일부를분할하는결합블록분할부; 및상기결합블록분할부에의해분할된결합블록들의분할면(또는접촉면)을내부지지형상으로결정하고, 출력시에상기내부지지형상에프린팅재료를출력하는내부지지형상결정부를포함하는 3D 프린터출력물의내부지지장치및 방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用三个相互正交的平面对三维模型进行切片来生成单位块的单位块生成单元; 判断的单元块作为边界的单元块，并根据该位置内部单元块，并且所述边界单元块扁平环形部块和与包括扁平环形区域逐单元块分类到分类到扁平环形部块的按照比例; 合并块生成单元，用于合并内部单元块以生成合并块; 平坦循环点鉴别单元，用于鉴别组合块的平坦循环点; 组合块划分单元，划分包括平坦循环点的组合块的一部分; 以及内部支撑形状确定单元，用于确定由接合块分割单元分割的接合块的分割表面（或接触表面）的内部支撑形状，并在输出时将打印材料输出到内部支撑形状， 更具体地说，
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101759093B1
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：KR1020150094159
申请日：2015-07-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , G01N27/416 , G01N33/487 , C12Q1/68
CPC classification number: G01N33/48721 , B81B2201/0214 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , B81C1/00087 , C12Q1/6869 , H01L21/465 , H01L29/24 , C12Q2565/631
Abstract: 본발명은절연성지지부재상에형성된나노포어구조를이용한나노포어구조체, 그제조방법및 나노포어구조를이용한이온소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른나노포어구조체는실리콘및 실리콘을함유하는화합물중 적어도하나를포함하여이루어지며중앙부에일측과타측을관통하는마이크로포어가형성되어있는절연성지지부재와, 질화실리콘(SiN)을포함하여이루어지며상기절연성지지부재상에배치되고중앙부에상기마이크로포어와연통되도록상기마이크로포어보다크기가작은나노포어가형성되어있는나노포어막을구비하고, 상기나노포어막과상기절연성지지부재는친수성표면처리에의해부착된다.
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公开(公告)号：KR1020150017991A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020130094337
申请日：2013-08-08
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/5256 , H01L51/0031 , H01L51/5237 , H01L51/56 , H05B33/04
Abstract: 표시장치를 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 기판; 상기 기판 상의 표시패널; 및 상기 표시패널을 밀봉하는 봉지막(encapsulation film)을 포함하며, 상기 봉지막은 적어도 하나의 유기층(organic layer), 적어도 하나의 무기층(inorganic layer) 또는 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층을 포함하고 적어도 한 쌍의 도전층(conductive layer)을 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种显示装置。 根据本发明的实施例的显示装置包括基板，形成在基板上的显示面板和封装显示面板的封装膜。 封装膜包括至少一个有机层，至少一个无机层，或至少一个有机层和至少一个无机层，以及至少一对导电层。
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公开(公告)号：KR101070998B1
公开(公告)日：2011-10-07
申请号：KR1020080126294
申请日：2008-12-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명에의할경우, 기준온도가최대 30 K/min 의속도로위아래로선형적으로변화되는동안약 1 μJ/K의정확도를가지고상온에서 700 K 까지넓은온도범위에서열용량을측정할수 있다. 또한, 동일한마이크로칼로리미터를이용해단 한번의센서교정만으로여러개의시료를교체하면서반복적으로고온에서의열용량측정을가능하게하여효율성을증대시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101023338B1
公开(公告)日：2011-03-18
申请号：KR1020080109060
申请日：2008-11-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 주석(Sn)과, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 주석(Sn)과 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물로 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 배치되는 게이트 절연막을 통하여 상기 활성층의 적어도 일부와 중첩되는 게이트 도전막; 및 상기 게이트 도전막에 의해 이격된 상기 활성층의 양 측부들에 각각 접속되는 소오스 및 드레인 전극들을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020100130019A
公开(公告)日：2010-12-10
申请号：KR1020090048665
申请日：2009-06-02
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/203 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/203 , H01L21/28061 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a metal oxide layer, a thin film transistor substrate thereof, and a manufacturing method thereof are provided to improve the surface roughness, charge mobility, and crystallization of a metal oxide layer by controlling chamber pressure. CONSTITUTION: A first metal oxide layer(11) is formed on a substrate(10). The first metal oxide layer has first charge mobility. A second metal oxide layer(12) is formed to be directly contacted on the first metal oxide layer. The second metal oxide layer has second charge mobility which is different from the first charge mobility.
Abstract translation: 目的：提供金属氧化物层的制造方法，其薄膜晶体管基板及其制造方法，通过控制室压力来提高金属氧化物层的表面粗糙度，电荷迁移率和结晶化。 构成：在基板（10）上形成第一金属氧化物层（11）。 第一金属氧化物层具有第一电荷迁移率。 形成第二金属氧化物层（12）以在第一金属氧化物层上直接接触。 第二金属氧化物层具有与第一电荷迁移率不同的第二电荷迁移率。
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