公开(公告)号：KR101006480B1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：KR1020080088091

申请日：2008-09-08

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 윤의준 ,  김현우 ,  박성현 ,  김동혁

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 반도체 기판 위에 격자 상수나 열팽창 계수가 반도체 기판과 다른 이종 반도체 박막을 형성한 이종 접합 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것으로서, 표면을 평탄하게 유지하며 낮은 결함밀도를 갖는 반도체 박막을 형성하는 동시에 반도체 박막 구조의 형성 후 냉각시 열팽창 계수 차이에 의한 기판의 휘어짐을 방지할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 반도체 기판 상에 저온에서 반도체 기판과 격자 상수나 열팽창 계수가 다른 이종 반도체 물질로 이루어진 박막을 형성시켜 완충층으로 사용하고, 고온에서 저온에서와 동일한 물질을 갖는 박막을 형성하여 에피층으로 사용하는 2단계 성장법을 이용한다. 또한 2단계 성장 중 저온 성장 및 고온 성장시 중 적어도 어느 한 때에 탄소 함유층을 삽입하도록 한다. 탄소 함유층은 격자불일치(misfit) 전위의 생성 에너지를 낮추고 관통 전위 등의 결함이 탄소 함유층 내부에 고착될 수 있게 한다. 이로써 고온 성장한 반도체 박막은 낮은 결함밀도를 가질 수 있고, 성장 이후 온도 하강시 기판과 박막의 열팽창 계수 차이로 인한 휘어짐을 탄소 함유층 내부의 격자불일치 전위 생성을 통해 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR101209487B1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：KR1020100068136

申请日：2010-07-14

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 윤의준 ,  안성훈 ,  이재철

IPC: H01L33/12

Abstract: 사파이어기판상에 GaN계반도체층을성장시킬때 열팽창계수의차로인해기판의휨 또는깨짐현상이발생하는것을방지하여우수한특성을갖는반도체발광소자를제조하기위한본 발명의일 측면에따른반도체발광소자의제조방법은, 사파이어기판; 상기사파이어기판의하면에형성된박막; 상기사파이어기판의상면상에형성된제1 GaN계반도체층; 상기제1 GaN계반도체층상에형성된활성층; 상기활성층상에형성된제2 GaN계반도체층; 상기활성층및 상기제2 GaN계반도체층이형성되지않은상기제1 GaN계반도체층상에형성된제1 전극; 및상기제2 GaN계반도체층상에형성된제2 전극을포함한다.

公开(公告)号：KR1020120007394A

公开(公告)日：2012-01-20

申请号：KR1020100068136

申请日：2010-07-14

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 윤의준 ,  안성훈 ,  이재철

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/0242 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32

Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a method manufacturing thereof are provided to prevent the deformation of a sapphire substrate due to a difference in a thermal expansion coefficient by forming a thin film or a groove by using a material in which a thermal expansion coefficient is smaller than a sapphire in a lower part of a sapphire substrate. CONSTITUTION: A thin film(112) is formed in a lower part of a sapphire substrate(110). A first GaN system semiconductor layer(120) is formed on an upper part of the sapphire substrate. An active layer(130) is formed on the first GaN system semiconductor layer. A second GaN system semiconductor layer(140) is formed on the active layer. A first electrode(170) is formed on the first GaN system semiconductor layer in which the active layer and the second GaN system semiconductor layer are not formed. A second electrode(160) is formed on the second GaN system semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以通过使用热膨胀系数为1的材料形成薄膜或沟槽来防止由于热膨胀系数的差异而导致的蓝宝石衬底的变形 小于蓝宝石衬底下部的蓝宝石。 构成：在蓝宝石衬底（110）的下部形成薄膜（112）。 第一GaN系半导体层（120）形成在蓝宝石衬底的上部。 在第一GaN系半导体层上形成有源层（130）。 在有源层上形成第二GaN系半导体层（140）。 第一电极（170）形成在不形成有源层和第二GaN系半导体层的第一GaN系半导体层上。 第二电极（160）形成在第二GaN系半导体层上。

公开(公告)号：KR101101780B1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：KR1020090083292

申请日：2009-09-04

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 윤의준 ,  차국헌 ,  김종학 ,  오세원 ,  우희제

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 본 발명은 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 질화물이 아닌 기판 위에 질화물 박막을 형성하게 되면 기판과 질화물 박막간의 격자상수 차이에 의하여 많은 결함이 생기게 된다. 또한 기판과 질화물 박막간의 열팽창 계수 차이에 의하여 기판이 휘어지는 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하고자, 속이 비어 있는 입자, 즉 중공 구조물을 기판 상에 도포한 다음 그 위에 질화물 박막을 성장시킨 박막 구조 및 그 형성 방법을 제안한다. 본 발명에 따르면, 중공 구조물에 의한 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 효과를 얻을 수 있어 고품질의 질화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 구조 안의 굴절률이 조절됨에 따라 본 발명에 따른 박막 구조를 LED와 같은 발광 소자로 제작시 광추출 효율이 증가되는 효과가 있다. 뿐만 아니라 기판의 열팽창 계수가 질화물 박막에 비하여 더 큰 경우에는 질화물 박막 안의 중공 구조물 압축에 따라 질화물 박막의 전체 응력이 감소되어 기판의 휘어짐을 방지하는 효과도 있다.

公开(公告)号：KR1020100029346A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：KR1020080088091

申请日：2008-09-08

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 윤의준 ,  김현우 ,  박성현 ,  김동혁

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A semiconductor film structure and a method of formation thereof, even though the complex process of the existing board manufacture technology or the ELO method is not used, the problem that 2 step growth method has in the different substrate can be solved altogether with the simple method of the eutectic phase, it economics, the loss can be reduced sharply. CONSTITUTION: A semiconductor film structure and a method of formation thereof comprise a compound semiconductor buffer layer(110), a carbon-contained layers(130), and a compound semiconductor layer(120). A compound semiconductor buffer layer is formed on a substrate(100). A carbon-contained layer is at least inserted among a buffer layer inside and layer inside into one place. A compound semiconductor epi layer is formed on the buffer layer.

Abstract translation: 目的：半导体膜结构及其形成方法即使不使用现有的板制造技术或ELO方法的复杂工艺，二步生长方法在不同基板中的问题也可以与 共晶相的简单方法，它的经济性，损失可以大大降低。 构成：半导体膜结构及其形成方法包括化合物半导体缓冲层（110），含碳层（130）和化合物半导体层（120）。 在基板（100）上形成化合物半导体缓冲层。 至少将含碳层插入到内部的内部的缓冲层和内部的缓冲层之中。 化合物半导体外延层形成在缓冲层上。

公开(公告)号：KR1020090076101A

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020080001861

申请日：2008-01-07

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 권성훈 ,  윤의준 ,  박욱

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/48 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

Abstract: A light emitting diode coating method is provided, which enables to easily control the thickness of the fluorescent substance and the molding. A plurality of LEDs(120) are arranged on the substrate(110). The photoresist(140) is applied on substrate and plurality of LEDs. The first coating is formed in the surface of a plurality of LEDs by selectively exposing the light to photoresist. The photoresist is equipped with the fluorescent substance. In the surface of a plurality of LEDs, the second coating equipped with the fluorescent substance is formed. The light is selectively exposed to photoresist by using the mask(150).

Abstract translation: 提供了一种发光二极管涂覆方法，其能够容易地控制荧光物质的厚度和成型。 多个LED（120）布置在基板（110）上。 光致抗蚀剂（140）被施加在基板和多个LED上。 通过选择性地将光曝光到光致抗蚀剂上，在多个LED的表面中形成第一涂层。 光刻胶配有荧光物质。 在多个LED的表面中，形成配备有荧光物质的第二涂层。 通过使用掩模（150）将光选择性地暴露于光致抗蚀剂。