Abstract:
환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브(CNT)를 제조하는 방법과 이러한 방법을 통하여 제조된 탄소 나노튜브 및 그를 포함하는 전기 소자를 개시한다. 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브는 환원제 처리 조건을 변화시킴으로써 탄소 나노튜브의 도핑 정도와 띠 간격 등의 전자적 특성을 광범위하고 용이하게 조절할 수 있는 특징이 있다. 탈도핑, 탄소 나노튜브, 환원제
Abstract:
PURPOSE: A method for producing carbon nano tube by injecting an electron into a nano tube which is doped with p-type is provided. CONSTITUTION: A method for producing CNT(carbon nano tube) composition in which an electron is injected comprises: a step of reacting the CNT with a reductant to obtain the CNT in which an electron with more than 1 of S11/S22 optical extinction ratio is injected; a step of centrifuging the CNT from the reacted mixture. The reductant is selected from metal hydride, organic reduction solvent or hydrogen gas.
Abstract:
A manufacturing method of a CNT thin film processed by a chemical substance having a functional group receiving electronics is provided to decrease a constant resistance between CNTs and to improve a conductivity of an electrode including a CNT thin film. A manufacturing method of a CNT thin film comprises steps of: preparing a CNT; processing the CNT with a chemical substance having a functional group receiving electronics; preparing a CNT dispersed solution by mixing the CNT processed by the chemical substance with a dispersing agent or a dispersion solvent; and forming the CNT thin film by using the CNT dispersed solution. A number of functional groups of the chemical substance having a functional group receiving the electronics is one or greater.
Abstract:
본 개시의 일 측면에 따라, 매우 우수한 전하 이동도 뿐만 아니라 밴드갭을 갖는 그래핀 적층체를 제공한다. 본 개시의 제1 측면에 따른 그래핀 적층체의 일 구현예는, 음전하 대전면 및 양전하 대전면을 갖는 제1 압전재료 층; 상기 제1 압전재료 층의 아래에 위치하는 제1 그래핀 층으로서, 상기 제1 압전재료 층의 양전하 대전면과 접하고 있는 제1 그래핀 층; 상기 제1 그래핀 층의 아래에 위치하는 제2 그래핀 층; 및 상기 제2 그래핀 층의 아래에 위치하며 음전하 대전면 및 양전하 대전면을 갖는 제2 압전재료 층으로서, 상기 제2 압전재료 층의 음전하 대전면이 상기 제2 그래핀 층과 접하고 있는, 제2 압전재료 층;을 포함한다.