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公开(公告)号：KR101424680B1
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：KR1020120119419
申请日：2012-10-26
Applicant: 에쓰대시오일 주식회사 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01G11/22
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 본 발명은 슈퍼커패시터용 전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로 전도성 전극기판 및 전도성 전극의 적어도 일면에 금속산화물과 보조전해질을 포함하는 금속산화물 용액이 전착된 금속산화물층을 포함함으로써, 종래에 비하여 공정단계를 줄일 수 있으며 전극의 비축전용량을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 금속산화물의 전착시간을 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR101819825B1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：KR1020160073440
申请日：2016-06-13
Applicant: 아주대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/28 , C23C18/165 , C23C18/2086 , C23C18/405 , C23C28/322 , C23C28/345 , H01L21/02172 , H01L21/02266 , H01L21/02631 , H01L21/44 , H01L21/76874 , H01L51/0097 , H01L51/5203
Abstract: 플렉시블전극의제조방법이개시된다. 플렉시블전극의제조방법은플라스틱기판을세정하는단계, 플라스틱기판상에스퍼터링공정을통해금속산화물시드층을형성하는단계및 금속산화물시드층상에금속무전해도금층을형성하는단계를구비한다.
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公开(公告)号：KR101812752B1
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：KR1020150120640
申请日：2015-08-27
Applicant: 아주대학교산학협력단 , 스마트전자 주식회사
Abstract: 서지흡수장치의제조방법이개시된다. 서지흡수장치를제조하기위해, 세라믹튜브의내부관통공간이노출되는단부면에도금층을형성한후 브레이징링을이용하여도금층에밀봉전극을부착할수 있다. 이때, 도금층은세라믹튜브의단부면을식각한후 무전해도금촉매층을형성하고, 이어서세라믹튜브의단부면에무전해도금의방법으로금속층을형성한후 이를열처리함으로써형성될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种浪涌吸收装置的制造方法。 为了制造浪涌吸收装置，可以在通孔所通过的陶瓷管的端面上形成镀层，然后可以使用钎焊环将密封电极附着到镀层。 此时，可以通过蚀刻陶瓷管的端面形成非电解催化剂层，然后通过无电镀在陶瓷管的端面上形成金属层，然后热处理金属层来形成电镀层。
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公开(公告)号：KR101735999B1
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020160016292
申请日：2016-02-12
Applicant: 아주대학교산학협력단
Abstract: 본발명의이중구조산화주석박막및 이의제조방법에서, 본발명의이중구조산화주석박막은메쉬(mesh)형오목패턴(pattern)이형성된제1 산화주석(tin oxide) 박막, 상기오목패턴내에귀금속으로형성된귀금속메쉬패턴및 상기제1 산화주석박막층의표면및 귀금속메쉬패턴의표면에형성된제2 산화주석박막층을포함한다.
Abstract translation: 在本发明的双结构氧化锡薄膜及其制造方法中，本发明的双结构氧化锡薄膜是具有网状凹图案和贵金属的氧化锡薄膜 以及在第一氧化锡薄膜层的表面和贵金属网格图案的表面上形成的第二氧化锡薄膜层。
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公开(公告)号：KR101623654B1
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：KR1020140165011
申请日：2014-11-25
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/30655 , H01L21/76825 , H01L21/76826
Abstract: 실리콘기판의원하는부분을식각하는실리콘기판식각방법에있어서, 본발명의실리콘기판식각방법은실리콘기판상에식각마스크를형성하는단계; 할로겐기초가스, 불화탄소가스및 산소를포함하는제1 가스를준비하는단계; 및상기제1 가스를상기기판상에플라즈마처리하여상기기판을식각하는단계;를포함할수 있다.
Abstract translation: 在使用等离子体气体蚀刻硅衬底以蚀刻硅衬底的期望部分的方法中，根据本发明的用于蚀刻硅衬底的方法可以包括在硅衬底上形成蚀刻掩模的步骤; 制备包括卤素基础气体，氟化碳气体和氧气的第一气体的步骤; 以及通过对衬底上的第一气体进行等离子体处理来蚀刻衬底的步骤。 因此，可以提供具有优异性能的各向异性蚀刻的硅衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150015130A
公开(公告)日：2015-02-10
申请号：KR1020130090733
申请日：2013-07-31
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: C23C18/22 , C23C18/31 , C23F4/00 , H01L21/3065
CPC classification number: C23F1/12 , B22F1/0018 , B22F1/0044 , B22F9/02 , B22F2001/0037 , B22F2304/05 , B81C1/00492 , B81C2201/0187 , B81C2201/034 , C23C18/1605 , C23C18/1657 , C23C18/1893 , C23C18/405 , C23F4/00 , H01J2237/0203 , H01J2237/3341 , H01L21/288 , Y10T29/49982
Abstract: The present invention relates to a method of forming a three-dimensional copper nanostructure which includes steps of: manufacturing a test piece in a structure including an SiO2 mask; etching a plasma inclined in multiple directions to form a three-dimensional etching structure layer on the test piece; coating to enable metal to be filled in the portion in which the plasma inclined in multiple directions is etched; removing an overcoated portion and the SiO2 mask from the metal; and removing portions besides the metal which is the three-dimensional etching structure layer from the surface of the test piece. According to the present invention, to overcome a limitation of a focused ion beam etching (FIBE) method for manufacturing a copper nanostructure, a high-density plasma is used for etching the plasma inclined in multiple directions on a large test piece arranged on a faraday box, a copper film is formed on a gap of the etched test piece, and the overcoated copper film and the SiO2 mask are removed, thereby forming uniform arrays of a copper nanostructure, and being able to randomly control a diameter of the copper nanostructure for high applicability.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成三维铜纳米结构的方法，包括以下步骤：在包括SiO 2掩模的结构中制造试片; 蚀刻沿多个方向倾斜的等离子体，在试片上形成三维蚀刻结构层; 涂覆以使金属能够被填充在其中等离子体在多个方向上倾斜的部分被蚀刻; 从金属中除去外涂部分和SiO 2掩模; 从该试片的表面除去作为三维蚀刻结构层的金属以外的部分。 根据本发明，为了克服用于制造铜纳米结构的聚焦离子束蚀刻（FIBE）方法的限制，使用高密度等离子体在布置在法拉第的大型试片上蚀刻沿多个方向倾斜的等离子体 在蚀刻试验片的间隙上形成铜膜，除去外涂铜膜和SiO 2掩模，形成均匀的铜纳米结构体阵列，能够随机控制铜纳米结构体的直径 适用性高。
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公开(公告)号：KR1020160012750A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020140094858
申请日：2014-07-25
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: B01J35/10 , B01J37/08 , B01J20/02 , B01J20/30 , B82B3/00 , C01G25/02 , C01B33/113 , C01B31/04 , C01G41/02
CPC classification number: B01J35/10 , B01J20/02 , B01J20/30 , B01J37/08 , B82B3/00 , C01B32/20 , C01B33/113 , C01G25/02 , C01G41/02
Abstract: 2차원템플레이트, 이의제조방법, 다공성나노시트, 이의제조방법및 전극구조체에서, 2차원템플레이트는 2차원탄소층및 2차원탄소층상에형성되고, 지르코늄(Zr) 및실리콘(Si)을포함하는 2원계복합산화물로이루어진다공성층을포함한다.
Abstract translation: 提供二维模板，其制造方法，多孔纳米片，其制造方法和电极结构。 二维模板包括二维碳层; 和形成在二维碳层上的多孔层，由包含锆（Zr）和硅（Si）的二元复合氧化物制成。 本发明的目的是提供具有高化学，热和物理稳定性并且具有增加的孔径的薄膜结构载体的二维模板; 及其制造方法。
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28.发明授权
公开(公告)号：KR101466310B1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：KR1020130107919
申请日：2013-09-09
Applicant: 아주대학교산학협력단
CPC classification number: H01M4/364 , C01B32/184 , H01G11/36 , H01G11/38 , H01G11/42 , H01G11/86 , H01M4/0404 , H01M4/0409 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/24 , H01M4/362 , H01M4/52 , H01M4/523 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M4/623 , H01M4/661 , Y02E60/13 , B82B3/0009 , B82B1/008 , C01B32/192 , C01B32/194
Abstract: 본 발명은 금속산화물-그래핀 나노복합체의 제조방법 및 금속산화물-그래핀 나노복합체를 이용한 전극 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은, 나노복합체의 합성 재료를 준비하는 단계; 상기 합성 재료를 전처리하여 그래핀 플레이크(graphene flake)를 형성하는 단계; 및 상기 전처리한 합성 재료를 수열합성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 기존의 산화제와 환원제, 고온의 열을 이용한 그래핀 방법에서 벗어나 계면활성제만을 이용하여 한 번의 공정(one-step)으로 값싼 그래파이트로부터 금속산화물-그래핀 나노복합체를 제조 가능하다는 장점을 가지며, 이는 공정단계를 개선함과 동시에 공정비용의 경제성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 전극 제조시 기존의 활물질, 도전재, 바인더를 사용하는 방법에서 벗어나 그래핀으로 인한 낮은 전기저항을 그대로 살려 도전재를 첨가하지 않는 공정을 통해 효율성을 가져올 수 있는 효과가 있다. 또한, 순도가 높은 그래핀을 단시간에 제조함과 동시에 에너지 저장장치에 응용 가능한 다양한 금속산화물 활물질을 단성분계, 이성분계, 다성분계 금속산화물을 한 번의 공정으로 제조가능하며, 원하는 중량비, 필요로 하는 산화물{산화코발트(CoO), 사산화삼코발트(Co3O4), 수산화코발트[Co(OH)
2 ] 등}을 손쉽게 제조할 수 있어 매우 넓은 응용범위(이차전지 및 가스 센서 등)를 기대할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种金属氧化物/石墨烯纳米复合材料的制造方法和使用金属氧化物/石墨烯纳米复合材料制造电极的方法。 本发明包括以下步骤：制备纳米复合材料的合成材料; 预处理合成材料以形成石墨烯薄片; 并对预处理的合成材料进行水热合成。 根据本发明，本发明的优点是能够通过仅使用表面活性剂的一步法从廉价的石墨制造金属氧化物/石墨烯纳米复合材料，与使用氧化剂的常规石墨烯法相比， 还原剂和高温热，一步法可以减少工艺步骤的数量，并且在工艺成本方面提高经济可行性。 此外，当制造电极时，通过脱离使用活性材料，导电材料和粘合剂的常规方法，本发明可以通过利用石墨烯的低电阻的优点而产生效率，而不添加 导电材料。 此外，由于可以在短时间内制备高纯度石墨烯，所以也可以以一步法制备作为能量储存装置的各种活性物质的单组分，双组分金属氧化物， 并且所需的氧化物（氧化钴（CoO），四氧化四钴（Co 3 O 4），氢氧化钴[Co（OH）2]等}可以容易地以所需的重量百分比制造，应用范围非常广泛 二次电池和气体传感器等）。
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公开(公告)号：KR101409387B1
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020130005075
申请日：2013-01-16
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: B81C1/00031 , B81B2203/0361 , G02B1/005 , H01J37/32403 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , H01L21/288 , H01L21/3212 , H01L21/32134 , H01L21/32137
Abstract: The present invention relates to a method for fabricating a slanted copper nanorod. The method for fabricating a slanted copper nanorod includes the following steps: fabricating a sample having a structure including an etch stop layer on a wafer; etching the sample by positioning the sample in a slanted form; forming a copper film on the slanted sample by plating; removing an excessively plated part of the copper film; and removing a poly silicon except for copper from a surface of the sample. According to the present invention, the slanted copper nanorod can be fabricated in a larger size as compared with an existing method so that a nanostructure having superior processing yield and a uniform array can be formed. An angle and a diameter of a copper nanorod can be freely controlled so that applicability of the copper nanorod is very high. The present invention is applicable to a process of manufacturing various devices such as semiconductor devices, micro electro mechanical systems (MEMS), optical devices, gas detectors, and display devices.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造倾斜铜纳米棒的方法。 制造倾斜铜纳米棒的方法包括以下步骤：在晶片上制造具有包括蚀刻停止层的结构的样品; 通过将样品定位为倾斜形式来蚀刻样品; 通过电镀在倾斜样品上形成铜膜; 去除铜膜过电镀部分; 以及从所述样品的表面除去除了铜之外的多晶硅。 根据本发明，与现有方法相比，可以制造更大尺寸的倾斜铜纳米棒，从而可以形成具有优异加工成品率和均匀阵列的纳米结构。 可以自由地控制铜纳米棒的角度和直径，使得铜纳米棒的适用性非常高。 本发明可应用于制造诸如半导体器件，微机电系统（MEMS），光学器件，气体检测器和显示器件的各种器件的工艺。
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30.发明授权그라파이트에 금속 산화물이 전착된 슈퍼커패시터 전극의 제조방법 및 이를 이용한 슈퍼커패시터 有权用于制造用于超级电容器电极的石墨膜电沉积金属氧化物和包含该电极的超级电容器的超级电容器的方法
公开(公告)号：KR101391136B1
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：KR1020120052519
申请日：2012-05-17
Applicant: 에쓰대시오일 주식회사 , 아주대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 그라파이트 상에 금속 산화물층을 전기화학적으로 전착하는 단계를 포함하는 슈퍼커패시터용 금속 산화물/그라파이트 전극의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면 종래의 도전제와 바인더를 사용하여 전극을 제조하는 방법과 달리 그라파이트에 직접 금속 산화물을 전착하여 금속산화물/그라파이트 복합재 전극을 제조하고, 이를 전극으로 그대로 사용할 수 있기 때문에 제조 공정이 간단하고, 동시에 공정비용을 절감 효과를 가져온다. 또한, 그라파이트 전극 위에 전착되는 금속 산화물의 종류, 크기와 두께를 다양하게 조절하여 성능이 보다 향상된 전극의 제조가 가능하여, 슈퍼커패시터와 이차전지 등 다양한 분야에 활용할 수 있다.
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