Abstract:
The present statement relates to a method for manufacturing an absorber layer of a thin film solar cell, comprising the steps of: manufacturing an ink composition by mixing a solvent and one or more compounds selected from the amine type compounds containing sulfur; manufacturing a thin film containing one or more nano-particles which contains the ink composition and one or more among sulfur (S) and selenium (Se); and performing a heat treatment on the formed thin film with one or more of Se and S.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a light absorption layer of a compound semiconductor solar battery is provided to produce a solar battery of high efficiency by forming the light absorption layer of large area improving the uniformity of a thin film without overhead equipment. CONSTITUTION: A first precursor solution is formed by mixing a Cu precursor with one or more precursors among an indium precursor, a gallium precursor, a zinc precursor, or a tin precursor(S110). A second precursor solution is formed by mixing the first precursor solution with one or more precursors between a selenium precursor and a sulfur precursor(S120). Paste is manufactured by mixing the second precursor solution with an ink composite in which a binder and a solvent are mixed(S130). The paste is coated on base material(S140). A post-heating process is executed(S150).
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 염료감응 태양전지용 유기 염료 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지에 대한 것이다. [화학식 1]
상기 화학식에서, R 1 내지 R 3 는 각각 독립적으로 수소, C 1 -20 알킬기, C 2 -20 알케닐기 C 2 -20 알키닐기, C 2 -20 비닐기, 치환 또는 비치환된 C 6 -20 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C 2-20 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되며, A 1 내지 A 3 는 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C 1 -20 지방족 탄화수소, 치환 또는 비치환된 C 1 -20 방향족 탄화수소, 치환 또는 비치환된 C 2 -20 헤테로고리이며, 이 때, A 1 내지 A 3 중 적어도 하나가 전자 끄는 기로서 수소 결합이 가능한 산성인 수소를 포함하며, Y 1 내지 Y 3 는 각각 독립적으로 단일결합이거나, C 1 -20 알킬렌기, C 2 -20 알케닐렌기, C 2 -20 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C 6 -20 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C 2 - 20 의 헤테로아릴렌기며, 이 때 Y 1 내지 Y 3 중 적어도 하나가 치환 또는 비치환된 C 2-20 의 헤테로아릴렌기를 포함한다.