박막 태양전지의 광흡수층 제조 방법 및 이를 이용한 박막 태양전지
    21.
    发明公开
    박막 태양전지의 광흡수층 제조 방법 및 이를 이용한 박막 태양전지 有权
    薄膜太阳能电池吸收层的制造方法及其制造的薄膜太阳能电池

    公开(公告)号:KR1020140061617A

    公开(公告)日:2014-05-22

    申请号:KR1020120128270

    申请日:2012-11-13

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/042 H01L31/072 H01L31/18

    Abstract: The present statement relates to a method for manufacturing an absorber layer of a thin film solar cell, comprising the steps of: manufacturing an ink composition by mixing a solvent and one or more compounds selected from the amine type compounds containing sulfur; manufacturing a thin film containing one or more nano-particles which contains the ink composition and one or more among sulfur (S) and selenium (Se); and performing a heat treatment on the formed thin film with one or more of Se and S.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造薄膜太阳能电池的吸收层的方法,包括以下步骤:通过混合溶剂和一种或多种选自含硫的胺类化合物的化合物来制造油墨组合物; 制造含有一种或多种含有油墨组合物和硫(S)和硒(Se)中的一种或多种的纳米颗粒的薄膜; 并用Se和S中的一种或多种对形成的薄膜进行热处理。

    화합물 반도체 태양전지의 광흡수층 제조방법
    23.
    发明公开
    화합물 반도체 태양전지의 광흡수층 제조방법 有权
    制备化合物半导体太阳能电池的光吸收层的方法

    公开(公告)号:KR1020120075827A

    公开(公告)日:2012-07-09

    申请号:KR1020100137694

    申请日:2010-12-29

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/04 H01L31/0216

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a light absorption layer of a compound semiconductor solar battery is provided to produce a solar battery of high efficiency by forming the light absorption layer of large area improving the uniformity of a thin film without overhead equipment. CONSTITUTION: A first precursor solution is formed by mixing a Cu precursor with one or more precursors among an indium precursor, a gallium precursor, a zinc precursor, or a tin precursor(S110). A second precursor solution is formed by mixing the first precursor solution with one or more precursors between a selenium precursor and a sulfur precursor(S120). Paste is manufactured by mixing the second precursor solution with an ink composite in which a binder and a solvent are mixed(S130). The paste is coated on base material(S140). A post-heating process is executed(S150).

    Abstract translation: 目的:提供一种制造化合物半导体太阳能电池的光吸收层的方法,通过形成大面积的光吸收层,提高薄膜的均匀性而无需架空设备,从而高效率地制造太阳能电池。 构成:通过在铟前体,镓前体,锌前体或锡前体中混合Cu前体与一种或多种前体形成第一前体溶液(S110)。 通过将第一前体溶液与硒前体和硫前体之间的一种或多种前体混合形成第二前体溶液(S120)。 通过将第二前体溶液与其中混合有粘合剂和溶剂的油墨复合物混合来制造浆料(S130)。 将糊状物涂覆在基材上(S140)。 执行后加热处理(S150)。

    정공전달 물질, 이를 이용한 무-유기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법
    25.
    发明授权
    정공전달 물질, 이를 이용한 무-유기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법 有权
    - 使用其的孔转移材料无机有机混合太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101703570B1

    公开(公告)日:2017-02-07

    申请号:KR1020150021474

    申请日:2015-02-12

    Abstract: 본발명은화학식 1로표시되는정공전달용화합물이개시된다. 또한, 본발명은제 1전극, 반도체층, 광흡수층, 정공전달층, 및제 2전극을포함하는무-유기하이브리드태양전지가개시되며, 이때상기정공전달층은상기화학식 1로표시되는정공전달용화합물을포함한다. 또한, 본발명은상기무-유기하이브리드태양전지의제조방법이개시된다.

    Abstract translation: 公开了用于空穴转移的化学式1表示的化合物。 此外,还公开了包含第一电极,半导体层,光吸收层,空穴转移层和第二电极的无机 - 有机混合太阳能电池。 空穴转移层包括由化学式1表示的空穴传递化合物。另外,公开了无机 - 有机混合太阳能电池的制造方法。 用于空穴转移的化合物可以应用于各种厚度,并且可以容易地调节能量水平。

    정공전달 물질, 이를 이용한 무-유기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법
    26.
    发明公开
    정공전달 물질, 이를 이용한 무-유기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법 有权
    空穴转移材料,无机有机混合太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160096372A

    公开(公告)日:2016-08-16

    申请号:KR1020150017909

    申请日:2015-02-05

    CPC classification number: C07D471/12 C07D409/04 H01L51/42

    Abstract: 본발명은화학식 1로표시되는정공전달용화합물이개시된다. 또한, 본발명은제 1전극, 반도체층, 광흡수층, 정공전달층, 및제 2전극을포함하는무-유기하이브리드태양전지가개시되며, 이때상기정공전달층은상기화학식 1로표시되는정공전달용화합물을포함한다. 또한, 본발명은상기무-유기하이브리드태양전지의제조방법이개시된다.

    Abstract translation: 公开了由化学式1表示的空穴转移化合物。此外,公开了一种无机 - 有机混合太阳能电池,其包括第一电极,半导体层,光吸收层,空穴转移层和第二电极 电极,其中空穴转移层包括由化学式1表示的空穴转移化合物。另外,公开了一种无机 - 有机混合太阳能电池的制造方法。

    트리페닐-벤젠트리아민 염료 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지
    30.
    发明授权
    트리페닐-벤젠트리아민 염료 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지 有权
    三苯基苯并噻吩染料和含有其的染料敏化太阳能电池

    公开(公告)号:KR101494603B1

    公开(公告)日:2015-02-26

    申请号:KR1020130031116

    申请日:2013-03-22

    CPC classification number: Y02E10/542

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 염료감응 태양전지용 유기 염료 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지에 대한 것이다.
    [화학식 1]

    상기 화학식에서,
    R
    1
    내지 R
    3 는 각각 독립적으로 수소, C
    1
    -20 알킬기, C
    2
    -20 알케닐기 C
    2
    -20 알키닐기, C
    2
    -20 비닐기, 치환 또는 비치환된 C
    6
    -20 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C
    2-20 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
    A
    1 내지 A
    3 는 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C
    1
    -20 지방족 탄화수소, 치환 또는 비치환된 C
    1
    -20 방향족 탄화수소, 치환 또는 비치환된 C
    2
    -20 헤테로고리이며, 이 때, A
    1 내지 A
    3 중 적어도 하나가 전자 끄는 기로서 수소 결합이 가능한 산성인 수소를 포함하며,
    Y
    1 내지 Y
    3 는 각각 독립적으로 단일결합이거나, C
    1
    -20 알킬렌기, C
    2
    -20 알케닐렌기, C
    2
    -20 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C
    6
    -20 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C
    2
    -
    20 의 헤테로아릴렌기며, 이 때 Y
    1 내지 Y
    3
    중 적어도 하나가 치환 또는 비치환된 C
    2-20 의 헤테로아릴렌기를 포함한다.

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