Abstract:
PURPOSE: A pixel structure of an active matrix organic LED(Light Emitting Diode) display is provided to improve non-uniformity of a threshold voltage of a TFT(Thin Film Transistor) by using only four TFTs and one capacitor. CONSTITUTION: A pixel structure of an active matrix organic LED(Light Emitting Diode) display includes a data line, a selection line, an organic LED, a capacitor(C1), the first transistor(T1), the second transistor(T2), and a threshold voltage correction portion(T3,T4). The capacitor(C1) is used for storing the data voltage applied to the data line. The first transistor(T1) is used for turning on or turning off the data voltage according to voltage applied to the selection line. The second transistor(T2) is used for transmitting the current corresponding to a data value of the capacitor to the organic LED. The threshold voltage correction portion(T3,T4) stores a voltage difference between the voltage applied to the data line and the threshold voltage of the second transistor(T2).
Abstract:
본 발명은 레벨 시프터에 대한 것으로서, 이 장치는 주기 신호인 제1 입력 신호 및 그 반전인 제2 입력 신호를 받아 상기 제1 입력 신호와 위상이 동일하고 상기 제1 입력 신호의 전압보다 높은 전압을 가지는 제1 출력 신호 및 상기 제1 입력 신호와 위상이 동일하고 상기 제1 입력 신호의 전압보다 낮은 전압을 가지는 제2 출력 신호를 생성하는 레벨 변환부, 그리고 상기 제1 출력 신호 및 상기 제2 출력 신호를 받아 상기 제1 입력 신호와 위상이 동일하고 상기 제1 입력 신호의 진폭보다 큰 진폭을 가지는 제3 출력 신호를 생성하는 증폭부를 포함한다. 따라서 입력 신호에 대하여 같은 위상을 가지면서도 그 진폭이 입력 신호보다 큰 출력 신호를 얻을 수 있다. 레벨 시프터, 액정 표시 장치, 트랜지스터
Abstract:
본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소는, 발광 소자, 축전기, 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 주사 신호에 따라 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키며 데이터 전압을 구동 트랜지스터에 공급하는 제1 스위칭부, 그리고 발광 신호에 따라 구동 전압을 구동 트랜지스터에 공급하고 발광 소자와 축전기를 구동 트랜지스터에 연결하는 제2 스위칭부를 포함한다. 이때 축전기는 제1 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 데이터 전압과 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 의존하는 제어 전압을 저장하고 제2 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 제어 전압을 구동 트랜지스터에 다시 공급한다. 본 발명에 의하면 구동 트랜지스터와 유기 발광 소자의 문턱 전압이 열화되더라도 이를 보상하여 화질 열화를 방지할 수 있다. 표시 장치, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 축전기, 문턱 전압, 열화
Abstract:
A method for fabricating a semiconductor nano structure is provided to easily adjust the focus of laser and maintain uniformity of a sample by performing a laser ablation process on a compound semiconductor powder dispersed to an aqueous medium. Metal oxide powder is dispersed to an aqueous solution containing surfactant(10). A laser beam is injected to the aqueous solution to perform an ablation process on the metal oxide powder(20). A dispersion solution of a compound semiconductor nano particles is gathered from the ablated aqueous solution(30). The gathered dispersion solution is dried to collect the compound semiconductor nano particles(40). While the laser beam is injected to the aqueous solution, ultrasonic vibration can be applied to the aqueous solution.
Abstract:
A level shifter and a driving method thereof are provided to generate an output signal having a greater amplitude than an input signal, but the same phase as the input signal. A level shifter includes a level shifting part(651) and an amplifying part(654). The level shifting part takes first and second input signals to generate first and second output signals, respectively. The first input signal is a cycle signal. The second input signal is an inverted first input signal. The first output signal is in phase with the first input signal and has a greater voltage than the first input signal. The second output signal is in phase with the second input signal and has a lower voltage than the second input signal. The amplifying part takes the first and second output signals to generate a third output signal. The third output signal is in phase with the first input signal and has greater amplitude than the first input signal.
Abstract:
A display device and a driving method thereof are provided to implement high resolution of the display device by minimizing the number of signal lines so as to increase PPI(Pixel Per Inch). A display device includes a light emitting element(OLED), a driving thin film transistor(Qd), a capacitor(Cst), and first and second switching units(SI,SII). The light emitting element is driven by a driving current(IOLED). The driving thin film transistor controls the magnitude of the driving current. The capacitor, which is charged with a voltage depending on threshold and data voltages of the driving thin film transistor, maintains a voltage corresponding to the difference between the data voltage and a gate voltage of the driving thin film transistor. The first switching unit supplies the data voltage to the capacitor in response to a scan signal. The second switching unit applies a light emitting signal to the driving thin film transistor.
Abstract:
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 유기발광 표시장치의 화소 회로에 있어서, 유기발광소자와, 게이트 선택 신호를 게이트 단에 인가받으며 데이터 신호를 입력받는 제1트랜지스터와, 제1트랜지스터와 게이트 단이 연결되며 유기발광소자의의 전류를 구동하는 제2트랜지스터와, 데이터 신호를 게이트 단에 인가받으며 제어 신호를 입력받는 제3트랜지스터와, 제3트랜지스터와 제2트랜지스터의 게이트 단을 연결하는 제1커패시터와, 제1커패시터와 직렬 구성을 가지며 양자간의 커패시턴스 비율에 따라 설정되는 스케일링 팩터를 구성하는 제2커패시터를 포함함을 특징으로 한다. OLED, 단위 화소, 구동, 전류 편차
Abstract:
본 발명은 아날로그 버퍼회로에 관한 것으로, 제1 전원전압(V DD )을 수신하며, 노드 A에서 게이트 전극과 드레인 전극이 접속된 제1 트랜지스터와; 상기 제1 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 직렬 접속되며, 제2 전원전압(V SS )을 수신하는 제2 트랜지스터와; 입력전압을 수신하고, 상기 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 노드 B에서 자신의 드레인 전극과 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극이 접속된 제3 트랜지스터와; 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 소스 전극이 상기 노드 A에 접속된 제4 트랜지스터와; 상기 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 상기 제1 전원전압(V DD )과 상기 노드 B 사이에 소스/드레인 전류통로가 접속된 제5 트랜지스터와; 상기 제1 전원전압(V DD )과 출력단 사이에 접속된 커패시터를 포함하며, 상기 출력단에서의 전압은 상기 입력전압과 함수관계에 있음을 특징으로 한다. 박막트랜지스터, 아날로그 버퍼회로, 포화영역, 함수관계
Abstract:
본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 축전기, 제어 단자와 입력 단자 및 출력 단자를 가지며 발광 소자가 발광하도록 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 주사 신호에 따라 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키며 데이터 전압을 축전기에 공급하는 제1 스위칭부, 그리고 발광 신호에 따라 구동 전압을 구동 트랜지스터에 공급하고 축전기를 구동 트랜지스터에 연결하는 제2 스위칭부를 각각 포함하는 복수의 화소를 포함한다. 이때, 축전기는 제1 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 데이터 전압과 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 의존하는 제어 전압을 저장하고 제2 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 제어 전압을 구동 트랜지스터에 공급한다. 본 발명에 의하면, 구동 트랜지스터와 유기 발광 소자의 문턱 전압이 열화되더라도 이를 보상하여 화질 열화를 방지할 수 있다. 표시 장치, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 축전기, 문턱 전압, 열화
Abstract:
본 발명은 게이트 절연막으로 사용되는 산화막의 특성을 향상시키기 위한 저온 화학기상증착법에 의한 게이트 산화막 형성방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 기판 위에 다결정 실리콘 박막을 형성하는 과정과; 상기 다결정 실리콘 박막 위에 저온 화학기상증착법에 의한 게이트 산화막을 형성하는 과정과; 엑시머 레이저 어닐링 공정을 통해 상기 게이트 산화막을 열처리하는 과정을 포함하며, 상기 게이트 산화막 열처리 과정은 상기 다결정 실리콘 박막이 녹지 않는 온도 범위 내에서 이루어짐을 특징으로 한다.