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公开(公告)号：KR1020170020658A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020150114801
申请日：2015-08-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/076 , G06F11/0727 , G06F11/0772 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3459
Abstract: 본발명의실시예에따른불휘발성메모리장치의프로그램검증방법은복수의스테이지들중 제1 스테이지에대한제1 페일비트카운팅동작을수행하여제1 페일비트누적값을생성하는단계, 생성된제1 페일비트누적값및 제1 페일기준값을비교하여프로그램페일여부를판별하는단계, 생성된제1 페일비트누적값이제1 페일기준값보다작은경우, 복수의스테이지들중 제2 스테이지에대한제2 페일비트카운팅동작을수행하여제2 페일비트누적값을생성하는단계, 및제2 페일기준값및 생성된제2 페일비트누적값을비교하여프로그램페일여부를판별하는단계를포함한다.
Abstract translation: 非易失性存储器件的程序验证方法包括执行关于第一级的第一故障位计数操作以产生第一故障位累加值，并将第一故障位累加值和第一故障参考值进行比较以确定程序故障。 当第一故障位累加值小于第一故障参考值时，执行第二级的第二故障位计数操作以产生第二故障位累加值。 将第二故障位累加值与第二参考值进行比较以确定程序故障。 第二个故障参考值与第一个故障参考值不同。
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公开(公告)号：KR1020160025076A
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020140110864
申请日：2014-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C2211/5621
Abstract: 본발명의실시예에따른복수의메모리셀들을프로그램하는불휘발성메모리장치의프로그램검증방법은복수의검증전압들을인가하는단계; 및상기복수의검증전압들중 하나의검증전압을기반으로상기복수의메모리셀들중 서로다른목표문턱전압산포범위들을각각갖는메모리셀들의프로그램완료여부를판별하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及对多个存储单元进行编程的非易失性存储器件的程序验证方法，其包括以下步骤：应用多个验证电压; 以及基于所述多个验证电压的一个验证电压，确定在所述多个存储器单元中具有不同目标阈值电压分布范围的存储器单元的编程是否完成。 根据本发明，减少了在验证步骤中施加的验证电压的数量，以缩短验证时间。
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公开(公告)号：KR101398666B1
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020070123002
申请日：2007-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 플래시 메모리 장치를 제공한다. 상기 장치는 제 1 도전형을 갖는 반도체 기판으로부터 돌출되어 일 방향으로 연장되는 반도체 핀, 상기 반도체 핀의 상부(upper portion) 및 상기 반도체 핀의 하부(lower portion)에 각각 제공되어 서로 수직으로 이격된 제 2 도전형의 제 1 도핑층 및 제 2 도핑층, 및 상기 일 방향과 교차하도록 상기 반도체 핀의 표면 상으로 연장하는 복수의 워드 라인들을 포함한다. 상기 반도체 핀과 상기 워드 라인들 사이에 터널 절연막, 전하저장막 및 블로킹 절연막이 개재한다. 상기 복수개의 워드 라인들은 상기 제 1 도핑층 및 상기 제 2 도핑층과 중첩되어, 상기 플래시 메모리 장치를 수직 채널을 갖도록 한다.
수직 채널, 반도체 핀, 플래시, 집적도, 셀프 부스팅-
公开(公告)号：KR1020170101000A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160023629
申请日：2016-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/3427 , G11C16/3459
Abstract: 메모리장치의프로그램방법및 이를적용하는메모리시스템에관하여개시한다. 메모리장치의프로그램방법은프로그램커맨드가수행될선택워드라인에인접한워드라인의메모리셀들에유효한데이터가저장되어있는지를판단하는단계, 상기선택워드라인에인접한워드라인의메모리셀들에유효한데이터가저장되어있지않은경우에상기선택워드라인에라이트될 데이터에기초하여상기선택워드라인에인접한워드라인에서프리-프로그램동작을수행하는단계및, 상기프리-프로그램동작을수행하고나서상기프로그램커맨드에기초하여상기선택워드라인에서프로그램동작을수행하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种存储器件的编程方法和应用其的存储器系统。 所述存储器装置的编程方法是有效的数据，相位，所选择的字线，以确定程序命令是否是在所选择的字线相邻的字线的存储器单元的有效数据的相邻字线的存储器单元存储将被执行 基于要被写入在从所选择的字线相邻的字线自由选择的字线，如果未存储该数据 - 基于程序指令执行编程操作之后的预执行编程操作和 并对选定的字线执行编程操作。
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公开(公告)号：KR1020170073800A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150181882
申请日：2015-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5671 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/3481 , G11C2211/562 , G11C2211/5621 , G11C2211/5644
Abstract: 본발명에따른불휘발성메모리장치는복수의메모리셀들을포함하는메모리셀 어레이, 검증동작시 상기메모리셀들중 선택된메모리셀들에검증전압을제공하는어드레스디코더, 그리고특정시점이후의검증동작에서상기검증전압를변경하도록제어하는제어로직을포함하되, 상기제어로직은제 1 프로그램루프의검증동작의결과에기초하여상기검증전압이변경되는제 2 프로그램루프를검증전압오프셋시점으로결정한다.
Abstract translation: 根据本发明的非易失性存储器件包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元;地址解码器，用于在验证操作期间向所述存储器单元的选定存储器单元提供验证电压; 其中控制逻辑基于第一编程循环的验证操作的结果确定第二编程循环，其中验证电压被改变为验证电压偏移时间点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150138599A
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020140066677
申请日：2014-06-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/08 , G11C11/5628 , G11C16/12
Abstract: 비휘발성메모리장치는제1 워드라인, 제2 워드라인, 제1 메모리셀들, 제2 메모리셀들및 어드레스디코더를포함한다. 제2 워드라인은제1 워드라인에이웃한다. 제1 메모리셀들은제1 워드라인에연결된다. 제2 메모리셀들은제2 워드라인에연결되고, 제1 메모리셀들과각각연결된다. 어드레스디코더는, 제1 메모리셀들의오버프로그램구간에서, 제1 및제2 메모리셀들의프로그램전압보다높은제1 전압을제1 워드라인에인가하고, 제1 및제2 메모리셀들의패스전압보다낮은제2 전압을제2 워드라인에인가한다.
Abstract translation: 非易失性存储器件包括第一字线，第二字线，第一存储器单元，第二存储器单元和地址解码器。 第二个字线与第一个字线相邻。 第一个存储单元连接到第一个字线。 第二存储单元连接到第二字线和相应的第一存储器单元。 地址解码器将第一和第二存储器单元的编程电压高于第一存储器单元的过程编程部分中的第一字线的第一电压施加到低于第一和第二存储器单元的通过电压的第二电压 存储单元到第二个字线。
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公开(公告)号：KR1020130101376A
公开(公告)日：2013-09-13
申请号：KR1020120022481
申请日：2012-03-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03K3/012 , H03K3/356104
Abstract: PURPOSE: A dynamic latch and a data output device including the same improve the efficiency of the dynamic latch by exchanging data only between a storage node and a floating node. CONSTITUTION: A dynamic latch (100) includes a floating node (FN), a storage node (SN), a write transistor (WTR), and a read transistor (RTR). The write transistor is connected to the floating node and the storage node and writes data of the floating node on the storage node. The read transistor is connected to the floating node and reads data of the storage node. The write transistor is directly connected to the floating node.
Abstract translation: 目的：动态锁存器和包括该锁存器的数据输出设备通过仅在存储节点和浮动节点之间交换数据来提高动态锁存器的效率。 构成：动态锁存器（100）包括浮动节点（FN），存储节点（SN），写入晶体管（WTR）和读取晶体管（RTR）。 写晶体管连接到浮动节点和存储节点，并将浮动节点的数据写入存储节点。 读取晶体管连接到浮动节点并读取存储节点的数据。 写晶体管直接连接到浮动节点。
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公开(公告)号：KR100538246B1
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：KR1020040000363
申请日：2004-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/20
CPC classification number: G03G15/2053 , G03G2215/2016 , G03G2215/2035
Abstract: 화상형성장치의 정착장치가 개시된다. 개시된 화상형성장치의 정착장치는 정착되는 인쇄매체와 접촉되는 직선부를 구비한 도전성 부재와, 상기 도전성 부재의 외측면에 슬라이딩하는 정착필름과, 상기 정착필름과 상기 직선부 영역에서 접촉하여 정착닙 영역을 형성하며 상기 정착필름을 회전시키는 가압롤러와, 상기 도전성 부재를 유도가열하여 발열시키는 유도가열부를 구비하며, 상기 정착닙 영역의 상기 도전성 부재의 두께는 다른 영역의 상기 도전성 부재의 두께 보다 얇게 형성된 것을 특징으로 한다.
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