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公开(公告)号：KR100377454B1
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：KR1020010021944
申请日：2001-04-24
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: PURPOSE: A method for removing a sacrificial layer of a functional micro device is provided to easily manufacture a micro device having a levitation-shaped functional film by effectively removing the sacrificial layer of a silicon. CONSTITUTION: A functional film is formed on a silicon wafer(20). A protection film for protecting the functional film is formed on the functional film. The silicon wafer(20) is exposed by selectively etching the functional film. A levitation-shaped functional film is then formed by etching the exposed silicon wafer(20) using XeF2 gas. Preferably, the levitation-shaped functional film is used as a micro piezo-electric cantilever comprising a silicon oxide(21), a lower electrode(22), a piezo-electric film(23) and an upper electrode(24).
Abstract translation: 目的：提供一种去除功能微器件的牺牲层的方法，以通过有效地去除硅的牺牲层来容易地制造具有悬浮形功能膜的微器件。 构成：功能膜形成在硅晶片（20）上。 在功能膜上形成用于保护功能膜的保护膜。 通过选择性地蚀刻功能膜来暴露硅晶片（20）。 然后通过使用XeF2气体蚀刻暴露的硅晶片（20）来形成悬浮形功能膜。 优选地，悬浮形功能膜用作包括氧化硅（21），下电极（22），压电膜（23）和上电极（24）的微压电悬臂。
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公开(公告)号：KR100295992B1
公开(公告)日：2001-10-26
申请号：KR1019980033000
申请日：1998-08-14
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/14
Abstract: 본 발명은 비 냉각 볼로미터형 적외선 센서로 사용될 수 있는 Pb(Mg
⅓ Nb
⅔ )O
3 계 완화형 강유전체 조성물에 관한 것이다.
Pb(Mg
⅓ Nb
⅔ )O
3 계 강유전체 조성물인 (1-x)Pb(Mg
⅓ Nb
⅔ )O
3 - x PbTiO
3 (0.03≤x≤0.09) 및 (1-x)Pb(Mg
⅓ Nb
⅔ )O
3 - x PbTiO
3 - y NiO(0.01≤x≤0.20, 0.005≤y≤0.10)를 합성하기 위하여 출발원료로 PbO와 TiO
2 와 MgNb
2 O
6 그리고 NiO를 평량한 다음, 증류수를 첨가하여 교반기에서 혼합한다. 혼합된 시료는 건조, 하소, 분쇄한 다음, 분말 상태의 시료를 유압프레스를 이용하여 원판형태로 성형한다. 성형된 시편들은 PMN-PT의 경우 1000 내지 1250℃에서 PMN-PT-yNiO 의 경우에는 900℃에서 2시간동안 소결하였다.-
公开(公告)号：KR1020010036173A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990043075
申请日：1999-10-06
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L41/22
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a shape structure of a supersonic wave transducer array is provided to a shape structure of a supersonic wave transducer array by using an LIGA(Lithographie, Galvanoformung, Abformung) method. CONSTITUTION: A photoresist layer is formed on a conductive substrate. The photoresist layer is exposed through a mask. A photoresist structure is formed by developing the photoresist layer to expose an upper face of the conductive substrate. A metal mold(240) is formed by performing a plating process for the photoresist structure. A supersonic wave transducer array pattern is formed on a PZT(Pb(Zr,Ti)O3) plate(250) by pressing the metal mold(240) on the PZT plate(250). A firing process for the PZT plate(250) is performed.
Abstract translation: 目的：通过使用LIGA（Lithographie，Galvanoformung，Abformung）方法将超声波换能器阵列的形状结构制造方法提供给超声波换能器阵列的形状结构。 构成：在导电性基板上形成光致抗蚀剂层。 光刻胶层通过掩模曝光。 通过显影光致抗蚀剂层以暴露导电基底的上表面形成光致抗蚀剂结构。 通过对光致抗蚀剂结构进行电镀工艺来形成金属模具（240）。 通过压制PZT板（250）上的金属模（240），在PZT（Pb（Zr，Ti）O3）板（250）上形成超声波换能器阵列图案。 执行PZT板（250）的烧制工艺。
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公开(公告)号：KR1020010010469A
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990029367
申请日：1999-07-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a silicon membrane is to measure only a change of a reflecting light due to removal of a reflecting film, therefor obtaining a uniform thickness of the silicon membrane independent of a temperature of an etching solution. CONSTITUTION: A method of manufacturing a silicon membrane comprises the steps of: forming at least one of an etching area by etching a portion of the first surface of a silicon substrate(100); depositing a reflecting film on the etching area; forming a protecting film(300) on the first surface and the second surface opposite to the first surface; forming the first opening as a measuring area and the second opening as an active area by etching the portion of the protecting film on the second surface; and etching the measuring area and the active area using the remaining protecting film as an etching mask until all of the metal film is etched.
Abstract translation: 目的：制造硅膜的方法是仅测量由于去除反射膜而导致的反射光的变化，从而获得与膜的温度无关的硅膜的均匀厚度。 构成：制造硅膜的方法包括以下步骤：通过蚀刻硅衬底（100）的第一表面的一部分来形成蚀刻区域中的至少一个; 在蚀刻区域上沉积反射膜; 在与第一表面相对的第一表面和第二表面上形成保护膜（300）; 通过蚀刻第二表面上的保护膜的部分，形成作为测量区域的第一开口和第二开口作为有源区域; 并使用剩余的保护膜作为蚀刻掩模蚀刻测量区域和有源区域，直到蚀刻所有金属膜。
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公开(公告)号：KR1020000031873A
公开(公告)日：2000-06-05
申请号：KR1019980048124
申请日：1998-11-11
Applicant: 전자부품연구원
IPC: B41J2/005
Abstract: PURPOSE: An ink jet printer head is provided to increase a yield rate and a resolution degree using a production technique of a semiconductor in a production process for producing an ink chamber unit and an ink channel and a nozzle necessary for producing an ink jet printer head, also to enable to produce a printer head of a high brightness with a low price. CONSTITUTION: A production method of an ink jet printer head comprises the steps of: forming a porous silicon area in a silicon wafer(101), forming a lower electrode(113) at the opposite surface of the silicon wafer, forming a piezoelectric film(115) on an upper end of the lower electrode, forming an upper electrode(117) on the upper end of the piezoelectric film, spreading a photoresist on the silicon wafer surface, removing the photoresist except the part bonded with the porous silicon, plating metal on the silicon wafer surface, and removing the porous silicon and the photoresist to produce the ink jet printer head. After removing the photoresist, a nozzle(122), an ink storage tank(123), an ink supply channel(125), and an ink chamber(127) are formed by etching the porous silicon area.
Abstract translation: 目的：提供一种喷墨打印机头，用于在用于生产墨水室单元和油墨通道的制造过程中使用半导体的生产技术提高成品率和分辨度，以及用于制造喷墨打印机头所需的喷嘴 ，也可以以低价格生产高亮度的打印机头。 构成：喷墨打印头的制造方法包括以下步骤：在硅晶片（101）中形成多孔硅区域，在硅晶片的相对表面形成下电极（113），形成压电膜（ 115），在压电薄膜的上端形成上部电极（117），在硅晶片表面上涂布光致抗蚀剂，除去与多孔硅结合的部分以外的光致抗蚀剂，电镀金属 在硅晶片表面上，并且去除多孔硅和光致抗蚀剂以产生喷墨打印头。 在除去光致抗蚀剂之后，通过蚀刻多孔硅区域形成喷嘴（122），墨水储存箱（123），墨水供应通道（125）和墨水室（127）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100243357B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970050372
申请日：1997-09-30
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명의 적외선 센서 어레이는 복수개의 홀을 갖고, 상기 홀마다 대응하여 도전성 페이스트가 채워진 마이크로 홀을 갖는 상부 그린 쉬트와, 상기 상부 그린 쉬트의 하부에 상기 홀에 대응하여 표면에 상부 전극이 형성되어 있고, 배면에는 하부 전극이 형성되어 있고, 상기 상부 전극은 상기 마이크로 홀에 연결되는 중간 그린 쉬트와, 상기 중간 그린 쉬트의 하부에 상기 중간 그린 쉬트에 대향하여 형성되고, 상기 하부 전극에 대향한 복수개의 홀을 갖고, 상기 홀마다 상기 하부 전극과 연결되고 도전성 페이스트가 채워진 마이크로 홀을 갖는 하부 그린 쉬트와, 상기 상부 그린 쉬트의 상부에 형성되는 필터를 포함한다. 본 발명의 적외선 센서 어레이는 테이프 캐스팅 방법을 이용하여 배선층이 포함된 세라믹 소자 및 필터를 직접 적층하는 일체형이기 때문에 세라믹 소자의 불필요한 배선에 의해 발생되는 기생 임피던스 성분을 최소화할 수 있고 PCB기판에 실장이 용이하다.
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公开(公告)号：KR1020170044826A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：KR1020150144408
申请日：2015-10-16
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본발명은동적인상태에서도생체신호의측정이가능한웨어러블디바이스에관한것으로, PPG(photoplethysmographic) 신호를검출하기위한 PPG신호검출부와, 동적움직임신호를검출하기위한가속도센서와, 상기 PPG 신호와동적움직임신호를증폭및 디지털변환하기위한신호처리부와, 디지털변환된상기 PPG 신호와동적움직임신호를무선통신규격에따라처리하여전송하는무선통신부를포함하되, 상기초소형배터리, 상기 PPG신호검출부, 상기가속도센서, 상기신호처리부및 상기무선통신부는유연기판에실장되어전기적배선을통해상호연결되며, 상기유연기판은착용자의신체에부착혹은착용됨을특징으로한다.
Abstract translation: 的，因为即使一个可佩戴装置上的本发明的铜来测量生物信号的状态，PPG（光体积描记）和用于检测的信号中的PPG信号检测单元，以及用于检测动态运动信号的加速度传感器，以及所述动态运动PPG信号 以及用于放大和转换的数字信号的信号处理器，但PPG信号的数字转换和所述动态运动信号包括无线通信单元，用于传送到处理根据无线通信标准，紧凑的电池中，所述PPG信号检测单元，所述加速度传感器 时，信号处理单元和所述无线通信单元是将被安装在柔性基板上，并通过电线，其被附接到或戴在佩戴者的身体特征的柔性基板互连。
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公开(公告)号：KR1020160035781A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：KR1020140127519
申请日：2014-09-24
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01N21/783 , G01N27/12 , H01L27/02
Abstract: 본발명은다종(多種)의가스감지가가능한가스센서어레이에관한것으로, 일부가식각된실리콘기판상부에멤브레인층이형성되고, 상기멤브레인층상부에복수의가열전극패드와각 가열전극패드로부터뻗어있는가열전극패턴들및 상기각 가열전극패턴을통해공급되는전원에의해가열되는복수의가열부가형성되어있으며, 상기가열전극패턴들및 복수의가열부를감싸는절연층상부에쌍을이루는감지전극패턴과상기감지전극패턴일부를감싸는복수의감지막이형성되되, 상기복수의가열부에병렬방식의전원이공급되도록상기복수의가열부각각은상기가열전극패턴들과병렬연결됨을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够感测各种气体的气体传感器阵列。 即使形成在膜上的部分加热电极图案被损坏，气体传感器阵列能够通过使得能够将功率正常提供给其它加热电极图案来执行正常的气体检测操作。 在有机硅基板的上部形成有膜层，其中蚀刻有一部分。 多个加热电极焊盘，从每个加热电极焊盘延伸的加热电极图案和由每个加热电极图案提供的电力加热的多个加热单元形成在膜层的上部。 包围检测电极图案和检测电极图案的一部分的多个检测层形成在封闭加热单元和加热电极图案的绝缘层的上部。 每个加热单元连续地连接到加热电极图案，以将并联方式的功率供给到加热单元。
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公开(公告)号：KR1020140146248A
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：KR1020130068150
申请日：2013-06-14
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N27/16
Abstract: The present invention relates to a contact combustion type gas sensor for detecting a combustible gas and a method of manufacturing the gas sensor, and more particularly, to a gas sensor having a simple structure and is capable of efficiently detecting a low concentration gas with low power consumption and a method of manufacturing the same. Thus, the contact combustion type gas sensor according to the present invention includes: a detection device contacting the combustible gas and emitting heat by the supplied current; an electrode disposed on each of both side surfaces of the detection device to supply the current to the detection device; a membrane disposed on a lower end of each of the detection device and the electrode; and a silicone substrate disposed on a lower end of the membrane and of which a portion is etched.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于检测可燃气体的接触式燃烧式气体传感器及其制造方法，更具体地说，涉及一种结构简单，能够有效检测低功率低浓度气体的气体传感器 消费及其制造方法。 因此，根据本发明的接触式燃烧式气体传感器包括：与可燃气体接触并通过供给电流发热的检测装置; 设置在所述检测装置的两侧面的每一侧的电极，用于向所述检测装置供给电流; 设置在所述检测装置和所述电极中的每一个的下端的膜; 以及设置在膜的下端上并且其一部分被蚀刻的硅氧烷衬底。
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