Abstract:
본 발명의 압력 센서용 신호 처리 회로는 제1 이온 주입 저항과 제2 이온 주입 저항을 가지며 압력 센서의 옵셋 전압 및 옵셋 전압의 온도 드리프트를 조정하기 위한 옵셋 조정부와, 압력 센서의 제1 출력이 제1 단자에 입력되고 옵셋 전압이 제2 단자에 입력되는 제1 연산 증폭기와, 압력 센서의 제2 출력이 제1 단자에 입력되고 제1 연산 증폭기의 출력 전압이 제2 단자에 입력되는 제2 연산 증폭기와, 제1 연산 증폭기의 제2 단자와 제2 증폭기의 제2 단자에 연결되어 상기 압력 센서의 스팬 및 스팬의 온도 조정을 하며 서로 다른 온도 계수를 갖는 제3 이온 주입 저항과 제4 이온 주입 저항을 가지는 스팬 조정부로 이루어진다. 본 발명에 의해 옵셋 전압 및 스팬의 조정과 옵센 전압 및 스팬의 온도 보상을 행할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A skin characteristic measuring apparatus is provided to measure thickness, density, and components of the skin easily in optical method by analyzing the difference of optical property of the skin. CONSTITUTION: At least one or more light source(120) irradiates the light into a skin. A plurality of cells(111-115) is formed in radiating shape centered on the light source. The straight distance from the light source of each cell to the outer circumference is differently formed. By differently forming the straight distance, the size of inner space of each cell is formed differently.
Abstract:
A scanning type device for measuring thickness of subcutaneous fat is provided to arrange a plurality of light sources and a plurality of light receiving units in one band and measure thickness of subcutaneous fat in a scan mode, thereby easily providing cross sectional distribution of subcutaneous fat by a simple operation. A plurality of light sources(101) emits a near infrared ray. A plurality of light receiving units(102) corresponds to the plurality of light sources. In one side of a band(103), the plurality of light sources and the plurality of light receiving units are arranged. A controller(104) controls the plurality of light sources. The controller receives, analyzes a signal from the light receiving units and outputs the analyzed signal. The light source applies a near infrared ray on a surface of a target material. The light receiving unit receives the near infrared ray to output a signal. The plurality of light receiving units is arranged in a lower part of the band. The light sources correspond to the light receiving units.
Abstract:
본 발명에 따른 온도센서를 포함하는 세포 대사정보 측정장치는 복수의 웰이 배열된 마이크로 플레이트, 복수의 웰 내부에 각각 침지되어 배양액 혹은 세포의 온도를 측정하기 위한 복수의 온도센서를 포함하는 온도 측정부, 온도 측정부를 통하여 측정된 온도를 신호처리하여 배양액 혹은 세포의 온도를 산출하기 위한 온도 데이터 처리부를 포함하고, 이와 더불어 마이크로 플레이트에 빛을 조사하기 위한 광원, 광원으로부터 조사되어 복수의 웰을 거친 빛을 감지하기 위하여 복수의 수광소자가 복수의 웰 각각에 대응되어 배치된 측정 플레이트 및 복수의 수광소자로부터 받은 신호를 처리하여 세포의 대사정보를 산출하고 출력하기 위한 수광 데이터 처리부를 더 포함하는 구성이다. 따라서, 본 발명에 의한 온도센서를 포함하는 세포 대사정보 측정장치는 각각의 웰 내부에 존재하는 세포 대사정보의 측정과 함께 배양액 혹은 세포의 온도를 용이하게 측정할 수 있을 뿐 아니라, 정밀한 해상도를 유지하면서도 실시간으로 세포 대사정보 및 웰 내부온도를 동시에 측정할 수 있는 것이다. 온도센서, 써미스터, 광학적 센서, pH 변화, 산소 농도 변화
Abstract:
A pad for ion-transmission and an excessive sweating treatment device using the same are provided to obtain a pad for ion-transmission that is able to be applied to a user's face. A pad for ion-transmission includes an absorbing pad(100), a negative pole(110), positive poles(120a,120b,120c) and a controller(130). The absorbing pad absorbs ion gel. The negative pole has the shape of a net or the shape of plural branches that are connected to each other, and is formed on the absorbing pad. The positive poles are formed on the absorbing pad area without negative pole. The controller supplies current to the negative pole and the positive pole. The absorbing pad is attached to a user's skin and makes the ion of the ion gel absorbed into the user's skin.
Abstract:
A gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to increase supply and discharge speed of gas by using a micro-piezoelectric pump to improve gas sensing speed. A gas sensor includes a substrate(100), an insulation film(110), a sensing electrode(211), a heater electrode(212), a sensing film(251), a through-hole(101), a covering substrate(500), and a micro-pump(400). The insulation film, the sensing electrode and the heater electrode are sequentially disposed on the substrate. The sensing film is disposed on the insulation film, covering the sensing electrode and the heater electrode. The through-hole is disposed in a portion of the substrate corresponding to the sensing film, allowing a lower part of the insulation film to be exposed. The covering substrate is in contact with the insulation film, and has a gas communication channel(510), and first and second grooves which are disposed on a lower surface of the covering substrate. The micro-pump is disposed on an upper surface of the covering substrate corresponding to the second groove.
Abstract:
A gas sensor is provided to improve sensing sensitivity of hydrogen gas by forming a sensitivity improving layer on a sensing electrode, and to allow only the hydrogen gas to be passed through by forming a porous film on the sensitivity improving layer. A gas sensor comprises a substrate(100), a source(110) and a drain(120), an oxidation film(130), a sensing electrode(140) and a sensitivity improving layer(150). The substrate is doped with impurities having a first polarity. The source and the drain are spaced to each other on the substrate, and diffused with the impurities having the second polarity opposite to the first polarity. The oxidation film is formed between the source and the drain. The sensing electrode is formed on the oxidation film and made of Pt or Pd. The sensitivity improving layer is formed on the sensing electrode and includes Pt or Pd particles.
Abstract:
본 발명은 N 비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환 장치(SAR ADC)에 관한 것으로서, 상기 아날로그 신호를 입력받고, N 비트의 디지털 코드에 따라 기준 전압을 분배하여 입력 신호와 비교하며, 상기 비교 결과에 따라 입력 신호에 대응하는 N 비트의 디지털 코드를 비트별로 순차적으로 판정하는 N 비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환기와, 상기 N 비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환기에 의해 N 비트의 디지털 코드 판정이 완료되면, 판정 오차를 N 비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환기에 입력하고 상기 기준 전압을 2 N 배로 분주하며, 상기 M 비트 디지털 코드의 판정이 완료될 때까지 후속 비트를 순차적으로 판정하도록 상기 N 비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환기를 제어하는 제어 수단과, N 비트 판정이 완료되면, 상기 제어 수단의 제어에 의하여 상기 판정 오차를 인출하여 저장하고, 그 저장된 전압을 상기 N 비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환기의 캐패시터 어레이에 입력하는 저장 수단을 포함한다.본 발명에 따르면, SAR ADC를 단위 블록으로 사용하여 보다 큰 해상도의 SAR ADC를 용이하게 구현할 수 있으며, SAR ADC에서 사용되는 캐패시터의 수와 면적을 감소시켜서 높은 해상도의 SAR ADC를 적은 면적으로 구현할 수 있다. 아날로그-디지털 변환, 축차 근사, 이진 가중, 캐패시터 어레이, ADC, SAR
Abstract:
본 발명은 멤스(MEMS)를 이용한 반도체 공정을 통해 제조된 비대칭 차압 센서 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 다이아프램이 상부전극 또는 하부전극 방향으로 편중되게 형성되어 비대칭 구조로 이루어지는 센싱 플레이트를 갖는 비대칭 차압 센서에 관한 것이다. 본 발명은 이러한 구조적 특징으로 인해 다이아프램의 과대변위로 인한 파손을 방지하고, 식각 기울기가 없는 다이아프램을 형성하기 위한 식각 방법을 제공하여 칩의 초소형화를 실현하는 효과를 제공한다. 차압센서, 다이아프램, 비대칭, 멤스(MEMS)
Abstract:
본 발명은 인체영상센서의 격벽 구조물 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 변환 물질을 코팅한 후 격벽구조물을 형성시키도록 부분적으로 식각하는 인체영상센서의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 인체영상센서의 격벽 구조물 제조 방법은 기판 상에 변환물질을 코팅하는 단계; 상기 코팅된 변환물질 상부에 패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴을 마스크로 사용하여 변환물질을 식각하는 단계; 상기 식각된 변환물질 상에 격벽재료를 증착하는 단계; 상기 격벽재료를 평탄화하는 단계 및 상기 기판을 제거하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 인체영상센서의 격벽 구조물 제조 방법은 좁고 긴 터널 형태의 격벽구조물에 변환물질을 채워넣는 것이 아닌 변환물질을 코팅한 후 격벽형태를 만들어 격벽구조물을 채우는 형태로서, 격벽구조를 만들 때 사용하는 LIGA 공정과 같이 광가속기를 이용할 필요없이 건식 식각장치만을 이용하기 때문에 제조 방법이 용이한 장점이 있고, 공정시간도 단축되는 효과가 있다. 인체영상센서, 식각, 제조