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公开(公告)号：KR101001185B1
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：KR1020080094241
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 수발광 일체형 소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 수광소자와 발광소자를 모노리틱(Monolithic)하게 형성하여 콤팩트한 모듈이 가능하며, 금속 그리드(Metal grid)의 형성으로 수광소자의 효율이 우수하고 발광소자에서 나온 광이 수광소자에 직접 입사되는 것을 방지하는 광분리층(Optical isolation layer)을 형성하여 수광소자와 발광소자 간의 크로스토크(Crosstalk)를 줄일 수 있는 수발광 일체형 소자에 관한 것이다.
본 발명의 수발광 일체형 소자는 기판, 상기 기판 하부에 형성되는 제1전극층, 상기 기판 상부에 형성되는 제1N형반도체층, 상기 제1N형반도체층 상부에 형성되는 제1P형반도체층, 상기 제1P형반도체층 상부에 형성되며 발광영역을 정의해주는 제2전극층, 상기 발광영역과 제2전극층이 존재하지 않는 영역에 존재하며 제1P형반도체층 상부에 형성되고 요부와 철부를 갖는 제2N형반도체층, 상기 제2N형반도체층의 철부에 형성되는 제2P형반도체층, 상기 제2N형반도체층의 요부에 형성되는 제3전극층 및 상기 제2P형반도체층 상부에 존재하며 제3전극층과 이격되어 존재하여 수광영역을 정의해주는 제4전극층을 포함함에 기술적 특징이 있다.
수발광, 일체, 모노리틱(monolithic), 크로스토그(crosstalk), 금속 그리드-
公开(公告)号：KR1020100034987A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020080094251
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A receiving light emitter monolithic device forms to be monolithic the light receiving element and emitting device. The simplification and compaction of system are realized. CONSTITUTION: A first distributed brag reflection layer and semiconductor layer are respectively formed in the lower part and top of substrate. A first electrode layer(230) is formed in the main part of the semiconductor layer. The light emission region defined in the summit of the semiconductor layer with the first reflection electrode layer(240). The second distributed brag reflection layer is formed in the summit of the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：接收光发射体单片装置形成为光接收元件和发射装置的单片。 实现了系统的简化和压缩。 构成：在基板的下部和顶部分别形成第一分布式布拉格反射层和半导体层。 第一电极层（230）形成在半导体层的主要部分中。 限定在半导体层的顶点与第一反射电极层（240）的发光区域。 第二分布式布拉格反射层形成在半导体层的顶点。
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公开(公告)号：KR101696298B1
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：KR1020140052556
申请日：2014-04-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01S3/04
Abstract: 레이저영상기기용백색레이저모듈이제공된다. 본발명의실시예에따른백색레이저모듈은, 제1 레이저광원, 제2 레이저광원및 제3 레이저광원을층계형으로배치하여함께냉각시킨다. 이에의해, 레이저광원모듈의소형화를이룰수 있게되고, 열전소자와칠러를통해레이저광원모듈을냉각시켜방열문제를해소시킬수 있게된다.
Abstract translation: 提供了一种用于激光图像装置的白色激光模块。 根据本发明的实施例的白色激光模块具有第一激光光源，第二激光光源和第三激光光源的阶梯型结构并将其冷却。 由此，能够实现激光光源模块的小型化。 热辐射问题可以通过冷却激光光源模块通过热电元件和冷却器来解决。
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公开(公告)号：KR101462392B1
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：KR1020130166323
申请日：2013-12-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04B10/071 , H04B10/40
CPC classification number: H04B10/40 , G02B7/02 , H04B10/071 , H04B10/25
Abstract: 본 발명은 광통신 선로의 상태를 감시하는 OTDR(Optical Time Domain Reflectometer)을 광통신 모듈인 OSA(Optical Sub Assemble)에 일체로 구현하여 광선로의 상태를 실시간으로 감시할 수 있도록 한 오티디알(OTDR) 기능이 포함된 광 트랜시버 내장형 오에스에이(OSA)에 관한 것으로, 광섬유를 향해 제1광을 발생하는 OTDR송신부와; 상기 OTDR송신부로부터 제공되는 제1광은 투과시키고, 광섬유로부터 후방산란 된 제2광은 반사시키기 위하여 홀이 형성된 OTDR필터와; 상기 광섬유와 마주보는 부분에 볼록면을 형성하여 OTDR필터를 통해 투과되는 빛을 광섬유로 조사하고, 광섬유로부터 후방으로 산란된 제2광을 상기 OTDR필터로 투과하는 포커싱렌즈와; 상기 포커싱렌즈를 투과하는 제2광을 수신하여 제2광에 의해 광선로의 상태를 진단하는 OTDR수신부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하며, OTDR 기능을 구성하는 지향성 커플러에 필터와 홀 구조에 광(Optics)fmf 적용함으써 기존 대비 향상된 효율을 얻을 수 있다. 또한 광통신 다이플렉서에 OTDR 기능이 집적화 되었으므로 상시 광선로의 상태를 진단할 수 있으며, 광 모듈의 소형화, 고 효율화, 저가격화의 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有光时域反射计（OTDR）功能的光收发器嵌入式光子组件（OSA），可通过集成OTDR来监视光学状态，实时监控光线的状态 具有作为光通信模块的OSA。 具有OTDR功能的光收发器嵌入式OSA包括：向光纤产生第一光的OTDR发送单元; OTDR滤波器，其具有用于透射从OTDR发送单元提供的第一光的孔，并将从光纤散射的第二光反射到其后部; 聚焦透镜，其在面向光纤的部分上具有凸表面，以允许光纤被透过OTDR滤光器的光照射，并将从光纤散射的第二光透射到OTDR滤光器 其后部; 以及OTDR接收单元，其接收穿过聚焦透镜的第二光，并且使用第二光来诊断光纤的状态。 与现有技术相比，通过将滤波器和孔结构应用于构成OTDR功能的定向耦合器可以获得光学效率。 此外，可以一直诊断光纤的状态，并且可以减小光学模块的尺寸，可以提高其效率，并且通过将OTDR功能与光通信双工器集成，可以以低成本制造光模块。
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公开(公告)号：KR101437437B1
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020120156221
申请日：2012-12-28
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: FBG 센서 시스템 및 그의 광 신호처리 모듈이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 광 센서 시스템은, 광 센서에서 반사된 광의 세기 및 파장을 전기 신호로 출력하는 광 신호처리 모듈과 광 신호처리 모듈에서 출력되는 광의 세기 및 파장의 비율을 외부 환경에 대한 센싱 정보로 출력하는 전기 신호처리 모듈을 포함한다. 이에 의해, FBG 센서 시스템 및 그에 적용가능한 광 신호처리 모듈에 대해, 구성을 간단화 시켜 제조가 용이하고, 부피를 축소시켜 소형화가 가능하며, 제조 단가를 낮추어 가격 경쟁력을 확보할 수 있게 된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101339762B1
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120089924
申请日：2012-08-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/475 , H01L29/2003 , H01L29/872
Abstract: A nitride semiconductor diode is disclosed. The nitride semiconductor diode according to one embodiment of the present invention includes: a nitride semiconductor substrate; and anode and cathode electrodes which are separately arranged on the nitride semiconductor substrate. The nitride semiconductor diode more includes a first nitride semiconductor layer formed between the nitride semiconductor substrate and the cathode electrode and doped in an n-type. The first nitride semiconductor layer includes an extended part which is formed by being extended in the anode electrode direction.
Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体二极管。 根据本发明的一个实施例的氮化物半导体二极管包括：氮化物半导体衬底; 以及分别布置在氮化物半导体衬底上的阳极和阴极电极。 氮化物半导体二极管还包括形成在氮化物半导体衬底和阴极之间并以n型掺杂的第一氮化物半导体层。 第一氮化物半导体层包括通过在阳极电极方向延伸而形成的延伸部分。
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公开(公告)号：KR101069197B1
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020090091354
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈에 관한 것으로, 이러한 본 발명은, 대상체에 대향하여 발광하는 발광 소자; 상기 발광에 따라 형광을 발산하는 대상체에 대향하여 상기 발광하는 발광 소자 및 상기 형광을 수광하는 수광 소자; 상기 수광 소자를 포함하며, 상면의 일부를 개구하는 홀을 구비하는 판형의 수광 소자 모듈; 및 상기 발광 소자를 포함하며, 상기 수광 소자 모듈의 홀을 통해 상기 발광 소자가 발광하도록 상기 홀 내부에 설치되는 발광 소자 모듈;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈을 제공한다.
발광 소자, 수광 소자, 패키지, 광디텍터, 레이저 다이오드-
公开(公告)号：KR101039100B1
公开(公告)日：2011-06-07
申请号：KR1020080130305
申请日：2008-12-19
IPC: H01L33/60
Abstract: 본 발명은 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 LED 상부와 측면에 각각 렌즈 및 미러를 구성하여 LED의 광 추출효율 및 광의 직진성 또는 집광성을 향상시키는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지에 관한 것이다.
본 발명에 따르는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지는, 기판상에 액티브 메사층과 전극을 구비한 LED; 상기 LED 상부에 접착된 렌즈; 상기 LED 측면에 구성되는 미러를 포함하고, 상기 미러는 상기 액티브 메사층의 측면에서 방출된 광을 상기 렌즈 방향으로 반사하는 것을 구성적 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따르는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지는, 기판상에 액티브 메사층과 전극을 구비한 LED; 상기 LED의 액티브 메사층 상부 및 측면을 모두 감싸도록 접착된 렌즈; 상기 렌즈의 측면에 구성되는 미러를 포함하고, 상기 미러는 상기 액티브 메사층의 측면에서 방출되어 상기 렌즈의 측면에 입사된 광을 상기 렌즈 방향으로 반사하는 것을 구성적 특징으로 한다.
렌즈, PVD, CVD, 미러, 액티브 메사-
公开(公告)号：KR1020110033744A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020090091354
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: An integrated luminous element and a photo-detector package module are provided to implement a light emitting operation and a light receiving operation by making a light emitting device and a light receiving device opposite to each other. CONSTITUTION: In an integrated luminous element and a photo-detector package module, a light emitting device(210) radiates light to a target. A light receiving device(110) receives fluorescent light from a target. A light receiving device module(100) includes an opening opens a part of the module. The light emitting device module(200) is installed in a hole to enable the light emitting device to radiate light through the hole of the light receiving device module. The light emitting device module includes a heat sink with holes on the top thereof.
Abstract translation: 目的：提供集成的发光元件和光电检测器封装模块，以通过使发光器件和光接收器件彼此相对地实现发光操作和光接收操作。 构成：在集成发光元件和光电检测器封装模块中，发光器件（210）将光辐射到目标。 光接收装置（110）从目标接收荧光。 光接收装置模块（100）包括开口部分的模块。 发光器件模块（200）安装在孔中以使得发光器件能够通过光接收器件模块的孔辐射光。 发光器件模块包括在其顶部具有孔的散热器。
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公开(公告)号：KR1020100070820A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129542
申请日：2008-12-18
Abstract: PURPOSE: A high efficiency heat emission resonance light-emitting diode package and a manufacturing method thereof are provided to efficiently discharge and amplify photons generated in an active layer by forming a DBR(Distributed Bragg Reflector) layer under a light emitting diode, thereby generating resonance effect. CONSTITUTION: A light emitting diode(200) comprises a DBR layer(230), a P-type semiconductor layer(240), an active layer(250), and a N type semiconductor layer(260). A substrate(210) is formed under the light emitting diode. A heat emission metal part(270) emits heat generated in the light emitting diode. A first electrode layer is formed in the lower part of the substrate including the heat emission metal part. A second electrode layer(290) is formed in the upper part the light emitting diode. A submount(310) is formed in the lower part of the first electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种高效率的发热共振发光二极管封装及其制造方法，通过在发光二极管下形成DBR（分布式布拉格反射器）层，有效地对有源层中产生的光子进行放电和放大，从而产生共振 影响。 构成：发光二极管（200）包括DBR层（230），P型半导体层（240），有源层（250）和N型半导体层（260）。 衬底（210）形成在发光二极管的下方。 发热金属部件（270）发射在发光二极管中产生的热量。 第一电极层形成在包括发热金属部分的基板的下部。 第二电极层（290）形成在发光二极管的上部。 在第一电极层的下部形成有基座（310）。
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