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公开(公告)号：KR100755436B1
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：KR1020060039039
申请日：2006-04-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/76802
Abstract: A method for manufacturing a through hole type electrode of a semiconductor substrate is provided to minimize stress applied on the semiconductor substrate by not performing a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process. A semiconductor substrate(300) is etched to form a through hole(310). A metal layer(330) is formed on a glass substrate(320). The semiconductor substrate and the glass substrate are joined so that the metal layer is located on a lower surface of the through hole. The through hole is coated to bury a coating layer into the through hole. The glass substrate and the metal layer are removed in order. The joining is performed as common joining by 350°C to 420°C and piston pressure. The glass substrate is removed by dipping a glass layer remaining after grinding in a diluted HF.
Abstract translation: 提供一种用于制造半导体衬底的通孔型电极的方法，以通过不进行CMP（化学机械抛光）工艺来最小化施加在半导体衬底上的应力。 蚀刻半导体衬底（300）以形成通孔（310）。 金属层（330）形成在玻璃基板（320）上。 半导体基板和玻璃基板接合，使得金属层位于通孔的下表面。 通孔被涂覆以将涂层掩埋在通孔中。 依次去除玻璃基板和金属层。 接合是通过350°C至420°C的共同连接和活塞压力进行的。 通过将研磨后剩余的玻璃层浸入稀释的HF中来除去玻璃基板。
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公开(公告)号：KR100722837B1
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050083448
申请日：2005-09-07
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/81
Abstract: 본 발명은 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 MEMS 구조물을 전송선로가 형성된 감광제상에 탑제하여 구성하는 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 웨이퍼 레벨 패키지는 MEMS 디바이스에 있어서, 기둥이 형성된 상부기판, 하부기판상에 증착된 씨드층, 상기 씨드층상에 도포된 감광제, 상기 감광제상에 탑제된 MEMS 구조물 및 상기 상부기판과 하부기판을 결합하는 접합수단을 포함한다.
따라서, 본 발명의 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법은 감광제를 이용하여 관통 홀을 제작함으로써 홀의 형상이 수직하며, 벽면조도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 감광제에 전송선로를 형성시키기 위해 일반적인 노광공정 및 전주도금 공정을 이용함으로써 제조 원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.
웨이퍼레벨패키징, SU-8, 실드캐비티, MEMS-
公开(公告)号：KR100678346B1
公开(公告)日：2007-02-05
申请号：KR1020050056800
申请日：2005-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01H59/00
Abstract: 본 발명은 멤스 알에프 스위치를 개시한 것으로서, 기판 상부로부터 소정 간격 이격되도록 지지된 접촉단자부의 회전운동에 의해 접촉단자부와 입력단자 및 출력단자를 능동적으로 연결하거나 단선시키도록 접촉단자부를 구동시키는 제 1 구동기와, 스위치의 연결 상태를 저전력으로 유지하도록 정전인력형 구동기로 이루어진 제 2 구동기로 구성된다.
이러한 구성에 의하면, 능동적으로 스위치를 단락시키고, 전력소모를 최소화하며, 접극자와 입출력단자 사이의 절연성을 증대시킴으로써, 스위치의 작동 신뢰성을 향상시킬 수 있는 멤스 알에프 스위치를 제공할 수 있다.
멤스, 알에프 신호, 스위치, 열 구동기, 압전 구동기, 정전인력 구동기-
公开(公告)号：KR1020060105246A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020050027859
申请日：2005-04-04
Applicant: 두온 시스템 (주) , 전자부품연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 멤스(MEMS)를 이용한 반도체 공정을 통해 제조된 비대칭 차압 센서 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 다이아프램이 상부전극 또는 하부전극 방향으로 편중되게 형성되어 비대칭 구조로 이루어지는 센싱 플레이트를 갖는 비대칭 차압 센서에 관한 것이다. 본 발명은 이러한 구조적 특징으로 인해 다이아프램의 과대변위로 인한 파손을 방지하고, 식각 기울기가 없는 다이아프램을 형성하기 위한 식각 방법을 제공하여 칩의 초소형화를 실현하는 효과를 제공한다.
차압센서, 다이아프램, 비대칭, 멤스(MEMS)-
公开(公告)号：KR100620254B1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020040037937
申请日：2004-05-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/00
Abstract: 본 발명은 레퍼런스 스틱을 사용하여 상하부 기판 간격이 서브미크론 정밀도로 유지되도록 하는 멤스 스위치에 관한 것이다.
본 발명의 멤스 스위치 및 그 패키징 방법은 상부에 앵커가 있으며, 상부에 앵커가 있으며 상기 앵커상에서 지지되는 압전 액튜에이터가 구비된 캔틸레버가 있는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상부의 양측에 각각 고정된 한 쌍의 실링 링; 하부에 시소 지지용 앵커가 있으며 상기 한 쌍의 실링 링에 부착된 제 2 기판; 상기 제 2 기판에 위치하며 도전성 물질이 코팅되어 있는 비아홀; 상기 제 2 기판 하부에 위치하며 상기 비아홀과 각각 전기적으로 연결된 한 쌍의 스위치 전극; 상기 시소 지지용 앵커의 하부의 양측에 연장되어 온/오프 동작을 수행하기 위한 시소; 상기 시소의 양선단에 형성되어 있으며 상기 스위치 전극들과 대향하는 스위치 접점; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 위치하여 상기 스위치 전극으로부터 전압을 입력받는 압전 액튜에이터 전극 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 접합 두께 확보를 위해 상기 한 쌍의 실링 링과 상기 압전 액튜에이터 전극 사이에 위치하는 레퍼런스 스틱을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 멤스 스위치로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 멤스 스위치 및 그 패키징 방법은 레퍼런스 스틱을 두 기판 접합 공정시 사용함으로써 상하부 기판 간격을 서브미크론의 정밀도로 유지할 수 있어 접합 공정시 발생하는 공정 오차를 줄여주는 효과가 있다. 또한 상하부 기 판의 간격을 유지하는 부분과 접합하는 부분을 분리하여 저온 접합의 장점을 갖는 솔더 접합에 간격을 유지할 수 있는 효과가 있다.
멤스, 스위치, 시소, 레퍼런스 스틱-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100606505B1
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：KR1020030086246
申请日：2003-12-01
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01T1/16
Abstract: 본 발명은 인체영상센서의 격벽 구조물 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 변환 물질을 코팅한 후 격벽구조물을 형성시키도록 부분적으로 식각하는 인체영상센서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 인체영상센서의 격벽 구조물 제조 방법은 기판 상에 변환물질을 코팅하는 단계; 상기 코팅된 변환물질 상부에 패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴을 마스크로 사용하여 변환물질을 식각하는 단계; 상기 식각된 변환물질 상에 격벽재료를 증착하는 단계; 상기 격벽재료를 평탄화하는 단계 및 상기 기판을 제거하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 인체영상센서의 격벽 구조물 제조 방법은 좁고 긴 터널 형태의 격벽구조물에 변환물질을 채워넣는 것이 아닌 변환물질을 코팅한 후 격벽형태를 만들어 격벽구조물을 채우는 형태로서, 격벽구조를 만들 때 사용하는 LIGA 공정과 같이 광가속기를 이용할 필요없이 건식 식각장치만을 이용하기 때문에 제조 방법이 용이한 장점이 있고, 공정시간도 단축되는 효과가 있다.
인체영상센서, 식각, 제조-
公开(公告)号：KR100498988B1
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020030055859
申请日：2003-08-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y35/00
Abstract: 본 발명은 병렬 프로브를 이용하여 패터닝하는 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 상에 병렬 프로브 어레이와, 그 병렬 프로브 어레이 영역의 외측 또는 내측 영역에 상호 대칭되며, 상기 병렬 프로브보다 구동 변위가 큰 복수개의 컨택 레벨링 프로브들이 형성된 웨이퍼를 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼 상부에 위치시키는 제 1 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브들을 구동시키고, 상기 모든 컨택 레벨링 프로브들이 리소그래피를 수행할 대상 웨이퍼에 접촉되지 않으면, 상기 컨택 레벨링 프로브들이 형성된 웨이퍼를 수평 정렬시키는 제 2 단계와; 상기 컨택 레벨링 프로브로 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하여 정렬 마크(Alignment mark)를 형성 및 인식하는 제 3 단계와; 상기 병렬 프로브들로, 상기 대상 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하고, 현상(Develop) 및 패터닝(Patterning)공정을 수행하는 제 4 단계로 구성된다.
따라서, 본 발명은 컨택 레벨링(Contact leveling) 프로브(병렬프로브 보다는 구동변위가 크며, 리소그래피를 수행할 대상웨이퍼에 접촉하여 병렬프로브의 수평정렬, 정렬마크 리소그래피와 AFM(Atomic Force Microscopy)으로 정렬마크 표면감지를 수행하는 프로브)를 형성하여, 리소그래피 공정을 수행하기 위해 병렬 프로브 어레이를 대상 웨이퍼로의 접근 시, 과도한 접촉에 의한 병렬 프로브 파괴를 방지하고, 고속 리소그래피 공정을 수행하여 나노 소자의 대량생산을 가능하게 할 수 있으며, 컨택 레벨링 프로브로 정렬 마크를 형성하고 이를 표면감지하여 정밀한 패터닝을 형성할 수 있는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1020050018038A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：KR1020030055859
申请日：2003-08-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y35/00
Abstract: PURPOSE: A patterning method using a parallel probe is provided to prevent a parallel probe from being broken by excessive contact when a parallel probe array approaches a target water to perform a photolithography process by forming a contact leveling probe. CONSTITUTION: A parallel probe array is formed on a wafer. The wafer having a plurality of contact leveling probes that are mutually symmetrically formed in the outer or inner regions of a parallel probe array region and have a larger driving displacement than the parallel probe is positioned on a target wafer on which a photolithography process is to be performed. The contact leveling probes are driven. If all the contact leveling probes don't come in contact with the target wafer, the wafer including the contact leveling probes is horizontally aligned(S170). By using the contact leveling probes, a photolithography process is performed on the target wafer to form and recognize an alignment mark(S190). By using the parallel probes, a photolithography process is performed on the target wafer(S230) and a development/patterning process are performed(S240).
Abstract translation: 目的：提供使用平行探针的图案化方法，以在平行探针阵列接近目标水以通过形成接触平衡探针进行光刻处理时，防止平行探针被过度接触破坏。 构成：在晶片上形成平行的探针阵列。 具有相互对称地形成在平行探针阵列区域的外部或内部区域中并且具有比平行探针更大的驱动位移的多个接触调平探针的晶片位于其上将在其上进行光刻工艺的目标晶片上 执行。 触点调平探头被驱动。 如果所有的接触调平探针不与靶晶片接触，则包括接触校平探针的晶片水平对准（S170）。 通过使用接触调平探针，在目标晶片上进行光刻处理以形成并识别对准标记（S190）。 通过使用并行探针，对目标晶片进行光刻处理（S230），进行显影/图案化处理（S240）。
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公开(公告)号：KR1020050000184A
公开(公告)日：2005-01-03
申请号：KR1020030040779
申请日：2003-06-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method of connecting electrically an upper surface with a lower surface of a semiconductor wafer is provided to increase a produced quantity of chips per one semiconductor wafer by reducing relatively a surface area required for a through-hole in the semiconductor wafer compared to that of a conventional semiconductor wafer using anisotropic-etching. CONSTITUTION: A first oxide layer(21A) and a second oxide layer(21B) are deposited on a lower surface and an upper surface of a semiconductor wafer(20), respectively. Anisotropic-etching is simultaneously performed on a first position of the first oxide layer and on a second position of the second oxide layer, so that a through-hole is formed in the resultant structure. An electrical connection path is formed by depositing metal on an inner wall of the through hole.
Abstract translation: 目的：提供一种将上表面与半导体晶片的下表面电连接的方法，以通过相对于半导体晶片中的通孔所需的相对表面积相对于每个半导体晶片的生成量来增加每个半导体晶片的生成量 使用各向异性蚀刻的常规半导体晶片。 构成：分别在半导体晶片（20）的下表面和上表面上沉积第一氧化物层（21A）和第二氧化物层（21B）。 在第一氧化物层的第一位置和第二氧化物层的第二位置上同时进行各向异性蚀刻，从而在所得到的结构中形成通孔。 通过在通孔的内壁上沉积金属形成电连接路径。
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