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公开(公告)号：KR100853833B1
公开(公告)日：2008-08-22
申请号：KR1020070056470
申请日：2007-06-11
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/45596 , H03F1/0261 , H03F3/005 , H03F3/45475
Abstract: A current signal processing circuit for removing an offset and an offset removing method thereof are provided to stabilize an output of a transimpedance amplifier by forming reference current corresponding to a maximum input current within a transfer function section. A transimpedance amplifier(20) converts reference current and a sensing current signal to a reference voltage and a first voltage signal. A first ADC(Analog Digital Converter) extracts the reference voltage and the first voltage signal and converts an offset-removed signal obtained through a comparator to a first digital signal. A control current generator(40) divides a sensing current section by using the reference current and the first digital signal and generates a control signal to be added to or to be subtracted from the sensing current. A second ADC converts the reference current and the sensing current to be added to or to be subtracted from the control current to the reference voltage and a second voltage signal through the transimpedance amplifier. The second ADC extracts the reference voltage and the second voltage signal through a double extractor and converts the offset-removed signal through the comparator to a second digital signal.
Abstract translation: 提供了一种用于去除偏移和偏移消除方法的电流信号处理电路，用于通过形成与传递函数部分内的最大输入电流相对应的参考电流来稳定跨阻抗放大器的输出。 跨阻放大器（20）将参考电流和感测电流信号转换为参考电压和第一电压信号。 第一ADC（模拟数字转换器）提取参考电压和第一电压信号，并将通过比较器获得的偏移去除信号转换为第一数字信号。 控制电流发生器（40）通过使用参考电流和第一数字信号来划分感测电流部分，并且产生要被添加到或从感测电流中减去的控制信号。 第二个ADC将参考电流和感应电流转换为要添加到控制电流或从控制电流减去参考电压，并通过跨阻抗放大器转换第二个电压信号。 第二ADC通过双提取器提取参考电压和第二电压信号，并将通过比较器的偏移消除信号转换为第二数字信号。
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公开(公告)号：KR101696298B1
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：KR1020140052556
申请日：2014-04-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01S3/04
Abstract: 레이저영상기기용백색레이저모듈이제공된다. 본발명의실시예에따른백색레이저모듈은, 제1 레이저광원, 제2 레이저광원및 제3 레이저광원을층계형으로배치하여함께냉각시킨다. 이에의해, 레이저광원모듈의소형화를이룰수 있게되고, 열전소자와칠러를통해레이저광원모듈을냉각시켜방열문제를해소시킬수 있게된다.
Abstract translation: 提供了一种用于激光图像装置的白色激光模块。 根据本发明的实施例的白色激光模块具有第一激光光源，第二激光光源和第三激光光源的阶梯型结构并将其冷却。 由此，能够实现激光光源模块的小型化。 热辐射问题可以通过冷却激光光源模块通过热电元件和冷却器来解决。
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公开(公告)号：KR101462392B1
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：KR1020130166323
申请日：2013-12-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04B10/071 , H04B10/40
CPC classification number: H04B10/40 , G02B7/02 , H04B10/071 , H04B10/25
Abstract: 본 발명은 광통신 선로의 상태를 감시하는 OTDR(Optical Time Domain Reflectometer)을 광통신 모듈인 OSA(Optical Sub Assemble)에 일체로 구현하여 광선로의 상태를 실시간으로 감시할 수 있도록 한 오티디알(OTDR) 기능이 포함된 광 트랜시버 내장형 오에스에이(OSA)에 관한 것으로, 광섬유를 향해 제1광을 발생하는 OTDR송신부와; 상기 OTDR송신부로부터 제공되는 제1광은 투과시키고, 광섬유로부터 후방산란 된 제2광은 반사시키기 위하여 홀이 형성된 OTDR필터와; 상기 광섬유와 마주보는 부분에 볼록면을 형성하여 OTDR필터를 통해 투과되는 빛을 광섬유로 조사하고, 광섬유로부터 후방으로 산란된 제2광을 상기 OTDR필터로 투과하는 포커싱렌즈와; 상기 포커싱렌즈를 투과하는 제2광을 수신하여 제2광에 의해 광선로의 상태를 진단하는 OTDR수신부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하며, OTDR 기능을 구성하는 지향성 커플러에 필터와 홀 구조에 광(Optics)fmf 적용함으써 기존 대비 향상된 효율을 얻을 수 있다. 또한 광통신 다이플렉서에 OTDR 기능이 집적화 되었으므로 상시 광선로의 상태를 진단할 수 있으며, 광 모듈의 소형화, 고 효율화, 저가격화의 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有光时域反射计（OTDR）功能的光收发器嵌入式光子组件（OSA），可通过集成OTDR来监视光学状态，实时监控光线的状态 具有作为光通信模块的OSA。 具有OTDR功能的光收发器嵌入式OSA包括：向光纤产生第一光的OTDR发送单元; OTDR滤波器，其具有用于透射从OTDR发送单元提供的第一光的孔，并将从光纤散射的第二光反射到其后部; 聚焦透镜，其在面向光纤的部分上具有凸表面，以允许光纤被透过OTDR滤光器的光照射，并将从光纤散射的第二光透射到OTDR滤光器 其后部; 以及OTDR接收单元，其接收穿过聚焦透镜的第二光，并且使用第二光来诊断光纤的状态。 与现有技术相比，通过将滤波器和孔结构应用于构成OTDR功能的定向耦合器可以获得光学效率。 此外，可以一直诊断光纤的状态，并且可以减小光学模块的尺寸，可以提高其效率，并且通过将OTDR功能与光通信双工器集成，可以以低成本制造光模块。
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公开(公告)号：KR101339762B1
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120089924
申请日：2012-08-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/475 , H01L29/2003 , H01L29/872
Abstract: A nitride semiconductor diode is disclosed. The nitride semiconductor diode according to one embodiment of the present invention includes: a nitride semiconductor substrate; and anode and cathode electrodes which are separately arranged on the nitride semiconductor substrate. The nitride semiconductor diode more includes a first nitride semiconductor layer formed between the nitride semiconductor substrate and the cathode electrode and doped in an n-type. The first nitride semiconductor layer includes an extended part which is formed by being extended in the anode electrode direction.
Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体二极管。 根据本发明的一个实施例的氮化物半导体二极管包括：氮化物半导体衬底; 以及分别布置在氮化物半导体衬底上的阳极和阴极电极。 氮化物半导体二极管还包括形成在氮化物半导体衬底和阴极之间并以n型掺杂的第一氮化物半导体层。 第一氮化物半导体层包括通过在阳极电极方向延伸而形成的延伸部分。
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公开(公告)号：KR101219441B1
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：KR1020100135767
申请日：2010-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/737 , H01L29/778
Abstract: 본 발명은 미세 게이트 컨택홀을 갖는 질화물계 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 게이트 컨택홀 형상의 변형을 통하여 게이트 전극의 끝단에서의 전계 집중을 억제하여 항복 전압을 개선하면서 전체 게이트 저항을 감소시키기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 베이스 기판 위에 질화물계 에피층이 형성된다. 질화물계 에피층 위에 일정 간격을 두고 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된다. 베이스 기판의 위를 덮도록 보호층이 형성되며, 보호층은 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 에피층 부분이 노출되며 입구는 넓고 바닥면은 좁은 경사 구조의 게이트 컨택홀이 형성된 보호층을 구비한다. 그리고 게이트 전극은 게이트 컨택홀을 충전하며 게이트 컨택홀 상부의 보호층 위에 형성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101069197B1
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020090091354
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈에 관한 것으로, 이러한 본 발명은, 대상체에 대향하여 발광하는 발광 소자; 상기 발광에 따라 형광을 발산하는 대상체에 대향하여 상기 발광하는 발광 소자 및 상기 형광을 수광하는 수광 소자; 상기 수광 소자를 포함하며, 상면의 일부를 개구하는 홀을 구비하는 판형의 수광 소자 모듈; 및 상기 발광 소자를 포함하며, 상기 수광 소자 모듈의 홀을 통해 상기 발광 소자가 발광하도록 상기 홀 내부에 설치되는 발광 소자 모듈;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈을 제공한다.
발광 소자, 수광 소자, 패키지, 광디텍터, 레이저 다이오드-
公开(公告)号：KR101039100B1
公开(公告)日：2011-06-07
申请号：KR1020080130305
申请日：2008-12-19
IPC: H01L33/60
Abstract: 본 발명은 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 LED 상부와 측면에 각각 렌즈 및 미러를 구성하여 LED의 광 추출효율 및 광의 직진성 또는 집광성을 향상시키는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지에 관한 것이다.
본 발명에 따르는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지는, 기판상에 액티브 메사층과 전극을 구비한 LED; 상기 LED 상부에 접착된 렌즈; 상기 LED 측면에 구성되는 미러를 포함하고, 상기 미러는 상기 액티브 메사층의 측면에서 방출된 광을 상기 렌즈 방향으로 반사하는 것을 구성적 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따르는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지는, 기판상에 액티브 메사층과 전극을 구비한 LED; 상기 LED의 액티브 메사층 상부 및 측면을 모두 감싸도록 접착된 렌즈; 상기 렌즈의 측면에 구성되는 미러를 포함하고, 상기 미러는 상기 액티브 메사층의 측면에서 방출되어 상기 렌즈의 측면에 입사된 광을 상기 렌즈 방향으로 반사하는 것을 구성적 특징으로 한다.
렌즈, PVD, CVD, 미러, 액티브 메사-
公开(公告)号：KR1020110033744A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020090091354
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: An integrated luminous element and a photo-detector package module are provided to implement a light emitting operation and a light receiving operation by making a light emitting device and a light receiving device opposite to each other. CONSTITUTION: In an integrated luminous element and a photo-detector package module, a light emitting device(210) radiates light to a target. A light receiving device(110) receives fluorescent light from a target. A light receiving device module(100) includes an opening opens a part of the module. The light emitting device module(200) is installed in a hole to enable the light emitting device to radiate light through the hole of the light receiving device module. The light emitting device module includes a heat sink with holes on the top thereof.
Abstract translation: 目的：提供集成的发光元件和光电检测器封装模块，以通过使发光器件和光接收器件彼此相对地实现发光操作和光接收操作。 构成：在集成发光元件和光电检测器封装模块中，发光器件（210）将光辐射到目标。 光接收装置（110）从目标接收荧光。 光接收装置模块（100）包括开口部分的模块。 发光器件模块（200）安装在孔中以使得发光器件能够通过光接收器件模块的孔辐射光。 发光器件模块包括在其顶部具有孔的散热器。
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公开(公告)号：KR1020110033743A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020090091352
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/40
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor and a manufacturing method of the same are provided to effectively remove a hot carrier which is generated from a buffer layer by forming a body electrode having an ohmic contact around an active area. CONSTITUTION: In a nitride semiconductor and a manufacturing method of the same, a buffer layer(110) is formed on a substrate(100). A 2DEG layer(120) is formed on the buffer layer. A barrier(130) is formed on the 2DEG layer. Source, drain, and gate electrodes(210,220,300) are formed in the active area of the substrate. A body electrode(230) is formed around the active area in order to be contacted with the buffer layer.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化物半导体及其制造方法，通过在活性区域周围形成具有欧姆接触的体电极，有效地除去由缓冲层产生的热载体。 构成：在氮化物半导体及其制造方法中，在基板（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成2DEG层（120）。 屏障（130）形成在2DEG层上。 源极，漏极和栅电极（210,220,300）形成在衬底的有源区域中。 身体电极（230）围绕有源区域形成以便与缓冲层接触。
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公开(公告)号：KR101008272B1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020080094166
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/744
Abstract: 본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 장벽층(AlGaN)의 게이트 전극 아래 부분의 Al 함유량을 낮게 형성함으로써 국소적으로 2DEG층의 형성을 방해하여 노멀 오프 특성을 구현할 수 있는 노멀 오프 특성을 갖는 질화물계 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 노멀 오프 특성을 갖는 질화물계 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법은 기판 상부에 형성되며, 불연속적으로 존재하는 2DEG층을 포함하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상부의 소정 영역에 형성되고, Al
y Ga
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y N으로 이루어지는 제1장벽층; 상기 제1장벽층이 형성된 영역을 제외한 상기 버퍼층 상부에 형성되고, Al
x Ga
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-x N으로 이루어지는 제2장벽층; 상기 제1장벽층 상부에 형성된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극의 양측에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함함에 기술적 특징이 있다.
고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 질화물계, 노멀 오프
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