公开(公告)号：KR1020050030431A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：KR1020030066879

申请日：2003-09-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/24 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: Provided is a slurry composition for polishing a metal wire which is improved in the selectivity of polishing velocity to an insulating layer. The slurry composition comprises 1-25 wt% of a metal oxide fine powder; 0.1-10 wt% of a peroxide; 0.001-0.05 wt% of an inorganic acid; 0.01-10 wt% of a carboxylic acid; 0.01-1.0 wt% of a metal complex; 0.001-2.0 wt% of methyltrichlorosilane and/or trichloronitromethane; and the balance of deionized water. Preferably the metal oxide fine powder is silica, alumina, ceria, titania or their mixture; the peroxide is at least one selected from the group consisting of hydrogen peroxide, benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide and sodium peroxide; the inorganic acid is at least one selected from the group consisting of nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid and phosphoric acid; the carboxylic acid is at least one selected from the group consisting of acetic acid, citric acid, glutaric acid, glycolic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid and tartaric acid; and the metal complex is PDTA-Fe, EDTA-Fe, PDTA-Fe or EDTA-Mn.

Abstract translation: 提供一种用于抛光金属丝的浆料组合物，其提高了抛光速度对绝缘层的选择性。 浆料组合物包含1-25重量％的金属氧化物细粉末; 0.1-10重量％的过氧化物; 0.001-0.05重量％的无机酸; 0.01-10重量％的羧酸; 0.01-1.0重量％的金属络合物; 0.001-2.0重量％的甲基三氯硅烷和/或三氯硝基甲烷; 和去离子水的平衡。 优选地，金属氧化物细粉是二氧化硅，氧化铝，二氧化铈，二氧化钛或它们的混合物; 过氧化物是选自过氧化氢，过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡和过氧化钠中的至少一种; 无机酸是选自硝酸，硫酸，盐酸和磷酸中的至少一种; 羧酸是选自乙酸，柠檬酸，戊二酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸和酒石酸中的至少一种; 金属络合物为PDTA-Fe，EDTA-Fe，PDTA-Fe或EDTA-Mn。

公开(公告)号：KR101156490B1

公开(公告)日：2012-06-18

申请号：KR1020090080770

申请日：2009-08-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  박명국 ,  김고은 ,  최정민 ,  양호석

IPC: G03F7/42

Abstract: (A) 불소계 화합물, (B) 수산화 알킬암모늄계 화합물, (C) 부식방지제 및 (D) 물을 포함하고, pH가 7 내지 12이고, 반도체 기판 및 상기 반도체 기판 상에 위치하는 금속막 및 절연막을 포함하는 반도체 소자의 세정에 사용되고, 상기 금속막의 식각속도 및 상기 절연막의 식각속도의 합이 100 Å/min 이하인 반도체 소자용 세정액 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정 방법이 제공된다.
반도체 소자, 세정액, 불소계 화합물, 수산화 알킬암모늄계 화합물, 부식방지제, 무기산의 암모늄계 화합물

公开(公告)号：KR101057155B1

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：KR1020090021731

申请日：2009-03-13

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  박명국 ,  양호석

IPC: C09K13/08

Abstract: 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인 식각 선택성이 향상된 것을 특징으로 하는 식각용액이 제공된다. 본 발명에 따른 습식 식각용액은 불화수소 0.1~10중량%, 불화암모늄 0.1~10중량%, 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 30~50중량%, 알콜류 30~50중량% 및 잔량의 물을 포함한다.
실리콘 산화막, 금속실리사이드막, 선택성, 유기산 화합물

公开(公告)号：KR1020080031718A

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：KR1020080028666

申请日：2008-03-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  박명국 ,  양호석

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/04

Abstract: An etching solution is provided to improve the etching selectivity of a silicon oxide layer while inhibiting etching of a metal silicide layer, thereby effectively removing a silicon oxide layer such as a boron phosphor silicate glass layer during the fabrication of a semiconductor or liquid crystal display device. An etching solution having improved etching selectivity of a silicon oxide layer to a metal silicide layer comprises 0.1-10 parts by weight of hydrogen fluoride, 0.1-10 parts by weight of ammonium fluoride, 30-50 parts by weight of an organic acid compound having at least one carboxyl group, 30-50 parts by weight of an alcohol compound, and water. The organic acid compound is at least one acid selected from the group consisting of acetic acid, citric acid, glutaric acid, glycolic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, tartaric acid and propionic acid.

Abstract translation: 提供蚀刻溶液以改善氧化硅层的蚀刻选择性，同时抑制金属硅化物层的蚀刻，从而在半导体或液晶显示装置的制造期间有效地去除诸如硼磷硅玻璃层的氧化硅层 。 具有改善氧化硅层对金属硅化物层的蚀刻选择性的蚀刻溶液包含0.1-10重量份氟化氢，0.1-10重量份氟化铵，30-50重量份的有机酸化合物，其具有 至少一个羧基，30-50重量份的醇化合物和水。 有机酸化合物是选自乙酸，柠檬酸，戊二酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，马来酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸，酒石酸中的至少一种酸 和丙酸。

公开(公告)号：KR100741991B1

公开(公告)日：2007-07-23

申请号：KR1020060059054

申请日：2006-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  제일모직주식회사

Inventor： 황동원 ,  김국주 ,  라정인 ,  전필권 ,  채승기 ,  이양구

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/06

Abstract: Provided are a silicon oxide etching solution, which is able to etch silicon oxide easily while minimizing damage to metal silicide, and a method of forming a contact hole using the etching solution, which prevents damage to the metal silicide. The silicon oxide etching solution is applied to a process for enlarging the width of a contact hole(30) formed on an oxide film(20) covering a metal silicide pattern, and comprises 0.01-2wt% of ammonium bifluoride, 2-35wt% of an organic acid, 0.05-1wt% of an inorganic acid, and an excess of a low polar organic solvent. The silicone oxide film(20) includes a BPSG oxide film(22) and a high density plasma silicon oxide film(24). The silicon oxide etching solution has an etching selectivity for the high density plasma oxide film(24) and the BPSG oxide film(22) of 1:1.2-2.5.

Abstract translation: 本发明提供一种能够在使金属硅化物的损伤最小化的同时容易地蚀刻氧化硅的氧化硅蚀刻液以及使用该蚀刻液形成接触孔的方法，该方法防止金属硅化物的损伤。 该氧化硅蚀刻溶液被应用于用于扩大在覆盖金属硅化物图案的氧化物膜（20）上形成的接触孔（30）的宽度的工艺，并且包含0.01-2wt％的氟化氢铵，2-35wt％的 有机酸，0.05-1重量％的无机酸和过量的低极性有机溶剂。 氧化硅膜（20）包括BPSG氧化物膜（22）和高密度等离子体氧化硅膜（24）。 氧化硅蚀刻溶液对于高密度等离子体氧化物膜（24）和BPSG氧化物膜（22）具有1：1.2-2.5的蚀刻选择性。

公开(公告)号：KR100565424B1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：KR1020030055759

申请日：2003-08-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  이재석 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 반도체 제조공정에서 웨이퍼 표면의 평탄화를 목적으로 하는 CMP(Chemical mechanical polishing/planarization)공정에 사용되는 슬러리의 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 산화물 미분말, 과산화수소, 무기산, 카르복시산, PDTA-금속 착물 및 pH조절제로 테트라메틸암모늄하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)을 시용하여 슬러리의 분산 안정성을 향상시킨 금속배선 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼, CMP, 금속배선, 프로필렌디아민테트라아세테이트, 카르복시산, 테트라메틸암모늄하이드록사이드

公开(公告)号：KR1020060018410A

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：KR1020040066768

申请日：2004-08-24

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  이재석 ,  강동헌 ,  이인경 ,  유제홍

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 높은 연마속도를 가지고, 결함 발생위험도 적으며, 저장안정성 및 연마 재현성이 뛰어난 금속 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산화제로서 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 비이온계면활성제로서 폴리에틸렌글리콜(PEG), 연마제로서 금속산화물 및 탈이온수를 포함한 금속 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 슬러리 조성물은 PEG를 포함하므로써 저장안정성 또는 분산안정성이 뛰어나고, 연마속도가 높다. 따라서, 본 발명에 따른 슬러리를 사용할 경우, 반도체 제조과정에 있어 높은 생산성을 기대할 수 있다.
또한, 연마시 부식 또는 균열(seam) 등의 결함이 현저하게 감소하여 반도체 제조 공정에서 높은 수율을 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR100546788B1

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：KR1020030066879

申请日：2003-09-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 고선택비를 나타내는 금속 배선 연마용 슬러리 조성물(Slurry Composition for Polishing Metal having High-selectivity)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 산화물 미분말, 과산화물, 무기산, 카르복시산, 금속 착물, 및 메틸트리클로로실란과 트리클로로니트로메탄 중에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 금속배선 연마용 CMP슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 의해 금속배선연마시 절연층과의 선택비를 높인 연마용 슬러리를 조성물을 제공할 수 있다.
반도체 웨이퍼, CMP, 금속배선, 프로필렌디아민테트라아세테이트 착물, 카르복시산, 메틸트리클로로실란, 트리클로로니트로메탄

公开(公告)号：KR100524025B1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：KR1020030101136

申请日：2003-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 강동헌 ,  이재석 ,  김원래 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 바이오사이드를 포함하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물 미분말, 2,2-디브로모-3-니트릴로프로피온아마이드 (2,2-dibromo-3-nitrilopropionamide), 과산화 화합물, 무기산, 유기산 및 탈이온수를 포함하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로 본 발명에 의하면 금속배선의 CMP 공정시 연마 속도, 연마 선택비, 저장안정성에 영향을 주지 않으면서도 미생물의 오염을 방지할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050049138A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030083024

申请日：2003-11-21

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/00 ,  H01L21/3212

Abstract: 본 발명은 연마 재현성 및 저장안정성이 우수하면서도 연마결함을 야기시키지 않고 높은 연마속도를 제공할 수 있는 금속 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산화제로서 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 리간드 화합물로서 트리메틸실릴트리플루오로메탄 술포네이트, 연마제로서 금속산화물, 필요에 따라 글리콜 화합물, 및 탈이온수를 포함한 금속 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조성물은 화학적 연마능이 뛰어날 뿐만 아니라, CMP 공정에 적용시 발생하는 옥사이드 에로젼, 부식, 피트, 디싱, 스크래치 등의 연마결함을 현저히 감소시킬 수 있고, 슬러리의 저장안정성 및 연마재현성이 현저히 향상된다.