-
公开(公告)号：KR1020090012953A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070077217
申请日：2007-07-31
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: C11D11/0005 , H01L21/02063 , H01L21/31116
Abstract: An etchant for a semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to remove a silicon oxide layer by improving an etching selection ratio of the silicon oxide layer and suppressing the etching of the metal silicide. An etchant includes an organic solvent of 70 to 99 weight, an organic acid compound of 0.1 to 30 weight, a fluoric compound of 0.1 to 15 weight, and an inorganic acid of 0.001 to 15 weight. The organic acid compound has the carboxyl group more than one. The organic solvent is selected among an ether-based solvent, an ester solvent, an amide-based solvent, a sulfoxide-based solvent, a nitrile-based solvent, a sulfolane-based solvent and a combination thereof.
Abstract translation: 提供半导体器件的蚀刻剂及其制造方法，以通过改善氧化硅层的蚀刻选择比和抑制金属硅化物的蚀刻来除去氧化硅层。 蚀刻剂包括70至99重量份的有机溶剂，0.1-30重量％的有机酸化合物，0.1至15重量％的氟化合物和0.001至15重量％的无机酸。 有机酸化合物具有多于一个的羧基。 有机溶剂选自醚系溶剂，酯系溶剂，酰胺系溶剂，亚砜系溶剂，腈系溶剂，环丁砜系溶剂及其组合。
-
公开(公告)号：KR100860367B1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：KR1020060078818
申请日：2006-08-21
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C03C15/00 , C09K13/08 , H01L21/31111
Abstract: 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인 식각 선택성이 향상된 것을 특징으로 하는 식각용액이 제공된다. 본 발명에 따른 습식 식각용액은 불화수소 0.1 내지 3 중량%, 질산, 황산, 염산 중 하나 이상 선택되는 무기산 10 내지 40 중량%, 비이온성 계면활성제 0.0001 내지 5 중량%, 및 잔여 중량%로 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
금속 실리사이드, 실리콘 산화막, 습식, 식각용액, 불화수소, 비이온 계면활성제, 무기산-
公开(公告)号：KR100623963B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020050002949
申请日：2005-01-12
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 금속 산화제를 함유하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 탈이온수를 용매로 하며, 금속산화물 및 무기산, 두개 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 탈이온수, 금속 산화제, 알카리 화합물, 및 지방산을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 구성에 의한 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물은 사용전에 별도의 산화제 혼합등의 추가 공정이 필요없이 바로 사용할 수 있으면서도 장시간 방치후에도 안정적인 연마성능을 가질 수 있는 슬러리의 조성이다. 또한 산화물 침식, 산화물 손실 등의 패턴 연마 특성이 우수하며, 반도체 제조공정에 결함을 현저하게 감소시켜 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
슬러리, 금속 산화제, 지방산, 연마제, CMP-
公开(公告)号：KR1020060082450A
公开(公告)日：2006-07-18
申请号：KR1020050002948
申请日：2005-01-12
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 금속 착물을 함유하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 탈이온수를 용매로 하며, 연마제로서 금속산화물, 산화제로서 과산화 화합물 및 무기산, 두 개 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 글리콜(Glycol) 화합물, 금속 착물(Metal Complex) 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 연마용 슬러리 조성물을 개시한다.
본 발명에 의한 금속배선 연마용 슬러리 조성물은 연마 속도가 안정적이며, 산화물 침식 및 산화물 손실 등의 패턴 연마 특성이 우수하며, 반도체 제조공정에 사용시 부식 또는 균열 등의 결함을 현저하게 감소시켜 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.
금속배선 연마용 슬러리 조성물, 금속 착물, 글리콜, 연마제, 산화제-
公开(公告)号：KR1020050069181A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030101136
申请日：2003-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/24 , C01P2004/60 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 본 발명은 바이오사이드를 포함하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물 미분말, 2,2-디브로모-3-니트릴로프로피온아마이드 (2,2-dibromo-3-nitrilopropionamide), 과산화 화합물, 무기산, 유기산 및 탈이온수를 포함하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로 본 발명에 의하면 금속배선의 CMP 공정시 연마 속도, 연마 선택비, 저장안정성에 영향을 주지 않으면서도 미생물의 오염을 방지할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080031717A
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：KR1020080028665
申请日：2008-03-27
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: An etching solution is provided to inhibit etching of a metal silicide layer and to improve the etching selectivity of a silicon oxide layer, thereby effectively removing a boron phosphor silicate glass layer. An etching solution having improved etching selectivity of a silicon oxide layer to a metal silicide layer comprises 0.1-10 wt% of ammonium fluoride, 60-98 wt% of an organic acid compound having at least one carboxyl group, and the balance amount of water. The organic acid compound is at least one acid selected from the group consisting of acetic acid, citric acid, glutaric acid, glycolic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, tartaric acid and propionic acid.
Abstract translation: 提供蚀刻溶液以抑制金属硅化物层的蚀刻并提高氧化硅层的蚀刻选择性，从而有效地除去硼磷光体玻璃层。 具有改善氧化硅层对金属硅化物层的蚀刻选择性的蚀刻溶液包含0.1-10重量％的氟化铵，60-98重量％的具有至少一个羧基的有机酸化合物和余量的水 。 有机酸化合物是选自乙酸，柠檬酸，戊二酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，马来酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸，酒石酸中的至少一种酸 和丙酸。
-
公开(公告)号：KR1020070103919A
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：KR1020060035841
申请日：2006-04-20
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01M10/05
CPC classification number: H01M10/052 , C07C22/00 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M2300/0034 , Y02E60/122
Abstract: A non-aqueous electrolyte for a secondary battery is provided to impart excellent cycle characteristics and low-temperature characteristics to a battery with a cut-off voltage of 4.4V or higher. A non-aqueous electrolyte for a secondary battery comprises an organic solvent, a lithium salt, and at least one halogenated benzene selected from the compounds represented by the following formula 1. In formula 1, X is F, Cl, Br or I, and n is an integer of 1-3. The halogenated benzene includes fluorobenzene, difluorobenzene, trifluorobenzene or a derivative thereof, and is used in an amount of 0.1-30 wt% based on the total weight of the electrolyte.
Abstract translation: 提供一种用于二次电池的非水电解质，以对4.4V或更高的截止电压的电池赋予优异的循环特性和低温特性。 用于二次电池的非水电解质包括有机溶剂，锂盐和至少一种选自下式1表示的化合物的卤代苯。在式1中，X是F，Cl，Br或I，和 n是1-3的整数。 卤代苯包括氟苯，二氟苯，三氟苯或其衍生物，其用量为电解质总重量的0.1-30重量％。
-
公开(公告)号：KR100760235B1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：KR1020060126376
申请日：2006-12-12
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/3063
CPC classification number: H01L21/31111 , C09K13/06
Abstract: A wet etching solution is provided to reduce a first etch selectivity rate for a BPSG(Boro-Phospho-Silicate Glass) silicon oxide layer and to improve a second etch selectivity rate for the high density plasma silicon oxide layer. A wet etching solution contains an organic acid compound of 100 wt% and ammonium fluoride of 0.1 to 15 wt%. The organic acid compound has one or more carboxyl radical(s). The organic acid compound is made of one selected from a group consisting of acetic acid, citric acid, glucaric acid, glycol acid, formic acid, lactic acid, malic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, tartaric acid, propionic acid, and the mixture thereof.
Abstract translation: 提供湿蚀刻溶液以降低BPSG（Boro-Phospho-Silicate Glass）氧化硅层的第一蚀刻选择率，并提高高密度等离子体氧化硅层的第二蚀刻选择率。 湿蚀刻溶液含有100重量％的有机酸化合物和0.1至15重量％的氟化铵。 有机酸化合物具有一个或多个羧基。 有机酸化合物由选自乙酸，柠檬酸，葡糖二酸，乙二醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，马来酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸，酒石酸， 丙酸及其混合物。
-
公开(公告)号：KR100725552B1
公开(公告)日：2007-06-08
申请号：KR1020040066768
申请日：2004-08-24
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 높은 연마속도를 가지고, 결함 발생위험도 적으며, 저장안정성 및 연마 재현성이 뛰어난 금속 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 금속산화물, 폴리에틸렌글리콜(PEG) 및 탈이온수를 포함하는 슬러리 조성물에 있어서, 상기 무기산으로 질산을 전체 슬러리 조성물 대비 0.001 내지 0.1 중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 슬러리 조성물은 PEG를 포함하므로써 저장안정성 또는 분산안정성이 뛰어나고, 연마속도가 높다. 따라서, 본 발명에 따른 슬러리를 사용할 경우, 반도체 제조과정에 있어 높은 생산성을 기대할 수 있다.
또한, 연마시 부식 또는 균열(seam) 등의 결함이 현저하게 감소하여 반도체 제조 공정에서 높은 수율을 확보할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100724287B1
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050002948
申请日：2005-01-12
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 금속 착물을 함유하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 탈이온수를 용매로 하며, 연마제로서 금속산화물, 산화제로서 과산화 화합물 및 무기산, 두 개 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 글리콜(Glycol) 유도체, 금속 착물(Metal Complex) 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 연마용 슬러리 조성물을 개시한다.
본 발명에 의한 금속배선 연마용 슬러리 조성물은 연마 속도가 안정적이며, 산화물 침식 및 산화물 손실 등의 패턴 연마 특성이 우수하며, 반도체 제조공정에 사용시 부식 또는 균열 등의 결함을 현저하게 감소시켜 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.
금속배선 연마용 슬러리 조성물, 금속 착물, 글리콜, 연마제, 산화제
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.021 seconds)
