公开(公告)号：KR1020140086751A

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：KR1020120157623

申请日：2012-12-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 정정환 ,  김원래 ,  박용순 ,  홍창기 ,  김태완 ,  노종일

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1409 ,  H01L21/3212

Abstract: A CMP slurry composition for polishing copper of the present invention comprises polishing particles and deionized water, wherein the polishing particles are characterized by comprising organic particles having a positive zeta potential. Specifically, the present invention relates to a CMP slurry composition used for polishing a metal wire like a copper wire during manufacturing a semiconductor, and to a polishing method. The composition of the present invention can increase the polishing power when polishing a metal wire, especially a copper wire.

Abstract translation: 本发明的用于抛光铜的CMP浆料组合物包括抛光颗粒和去离子水，其中抛光颗粒的特征在于包含具有正ζ电位的有机颗粒。 具体地说，本发明涉及在制造半导体期间用于抛光金属线如铜线的CMP浆料组合物和抛光方法。 本发明的组合物可以在研磨金属丝，特别是铜线时提高研磨能力。

公开(公告)号：KR101088823B1

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：KR1020090091641

申请日：2009-09-28

Applicant: 제일모직주식회사 ,  에스케이하이닉스 주식회사

Inventor： 박형순 ,  홍권 ,  유춘근 ,  김성준 ,  김원래

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

Abstract: 본 발명은 저장 안정성이 우수하고 구리막에 대한 연마 선택비가 높으며 부식 현상을 최소화할 수 있는 슬러리 및 슬러리를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 슬러리는, 초순수, 산화제, 유기산, 부식 억제제, 연마제 및 양이온성 첨가제를 포함하며, 상기 연마제는 양이온으로 표면이 개질된 산화물 입자를 포함하고, 구리막의 연마 속도:베리어막의 연마 속도의 비가 500:1 이상인 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100970094B1

公开(公告)日：2010-07-16

申请号：KR1020070102311

申请日：2007-10-10

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  노종일 ,  츄호머 ,  정영철 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 탈이온수를 용매로 하며, 산화제, 유기산, 부식 억제제 및 특정 입경과 회합도를 갖는 금속산화물을 연마 목적에 따라 선택적으로 사용하여 구리 배선, 배리어막, 및 절연막에 대한 연마속도를 조절함으로써 이로젼(erosion) 및 디싱(dishing) 현상을 최소화함과 동시에 슬러리 조성물의 저장 안정성을 향상시킨 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 이로젼 및 디싱 현상이 최소화되고 슬러리 조성물의 저장 안정성이 개선된 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법을 제공할 수 있다.
구리, 배선, 연마, CMP, 슬러리, 입경, 회합도, 배리어막, 절연막, 이로젼, 디싱, 저장 안정성

公开(公告)号：KR1020100077748A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020080135781

申请日：2008-12-29

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노종일 ,  츄호머 ,  김원래 ,  이태영 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to have a low etching speed, to prevent the corrosion of copper, and to be used for a polishing process of the copper wiring without organic residues. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition includes ultrapure water, an abrasive, an oxidizing agent, a corrosion inhibitor, and an organic acid. A corrosion inhibitor is used as a corrosion inhibitor. The inorganic corrosion inhibitor is nitrate including lanthanide or transition metal. The corrosion inhibitor is used with an amount of 0.001-3 weight% based on the total slurry composition. The abrasive uses metal oxide which is selected from a group comprising silica(SiO-2), alumina(Al_2O_3), ceria(CeO_2), zirconia(ZrO_2), titania(TiO-2), and molybdenum oxide(MoO_3).

Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光浆料组合物以具有低蚀刻速度，以防止铜的腐蚀，并且用于没有有机残余物的铜布线的抛光工艺。 构成：化学机械抛光浆料组合物包括超纯水，磨料，氧化剂，腐蚀抑制剂和有机酸。 腐蚀抑制剂用作缓蚀剂。 无机腐蚀抑制剂是含镧系元素或过渡金属的硝酸盐。 腐蚀抑制剂的使用量为0.001-3重量％，基于总淤浆组成。 研磨剂使用选自二氧化硅（SiO 2），氧化铝（Al_2O_3），二氧化铈（CeO_2），氧化锆（ZrO_2），二氧化钛（TiO 2）和氧化钼（MoO 3）的组的金属氧化物。

公开(公告)号：KR1020080062021A

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：KR1020060137271

申请日：2006-12-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 강동헌 ,  최원영 ,  김원래 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to ensure high selectivity of the polishing rate between a metal layer and an insulating layer. A chemical mechanical polishing slurry composition for metal wire includes 0.1-5wt% of KIO3, 0.01-2wt% of an organic acid, 0.1-30wt% of silica, and 63-99wt% of pure water. The organic acid is at least one selected from the group comprising acetic acid, citric acid, glutamic acid, glycolic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, tartaric acid, and malonic acid. The slurry composition further comprises tetramethyl ammonium hydroxide.

Abstract translation: 提供化学机械抛光浆料组合物以确保金属层和绝缘层之间的抛光速率的高选择性。 用于金属丝的化学机械抛光浆料组合物包括0.1-5重量％的KIO 3，0.01-2重量％的有机酸，0.1-30重量％的二氧化硅和63-99重量％的纯水。 有机酸是选自乙酸，柠檬酸，谷氨酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，马来酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸，酒石酸和丙二酸的组中的至少一种 酸。 该浆料组合物还包含四甲基氢氧化铵。

公开(公告)号：KR1020070075079A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：KR1020060003411

申请日：2006-01-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 강동헌 ,  이인경 ,  임건자 ,  김원래

IPC: C09K3/14

Abstract: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to prevent contamination with metal impurities and have improved polishing reproducibility and storage stability. The chemical mechanical polishing slurry composition comprises an oxidant, an organic acid, an abrasive, and further diethylene glycol, wherein the organic acid is a combination of at least two organic acids having at least one carboxylic acid group. When two organic acids are used, a weight ratio of the two organic acids is 1:9-9:1. The organic acid having at least one carboxylic acid group is selected from the group consisting of acetic acid, citric acid, glutaric acid, glycollic acid, formic acid, lactic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, tartaric acid, and malonic acid.

Abstract translation: 提供化学机械抛光浆料组合物以防止金属杂质的污染并且具有改善的抛光再现性和储存稳定性。 化学机械抛光浆料组合物包含氧化剂，有机酸，研磨剂和另外的二甘醇，其中有机酸是至少两种具有至少一个羧酸基团的有机酸的组合。 当使用两种有机酸时，两种有机酸的重量比为1:9-9:1。 具有至少一个羧酸基团的有机酸选自乙酸，柠檬酸，戊二酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，马来酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸，酒石酸， 和丙二酸。

公开(公告)号：KR100673635B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020040117101

申请日：2004-12-30

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  김태규 ,  한지영 ,  오창일 ,  성현후 ,  이길성

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 탈이온수를 용매로 하며, 산화제, 연마제, 카르복실산 화합물 및 글리콜을 포함하는 조성물에 있어서, 상기 카르복실산 화합물은 아로마틱기를 갖는 카르복실산 화합물인 것을 특징으로 하는 구리 배선용 CMP 슬러리 조성물에 관해 개시한다.
이에 따라, 본 발명에 따른 구리 배선용 CMP 슬러리 조성물의 구성에 의하면 연마성능이 높을 뿐만 아니라, 저장안정성 및 슬러리의 과수 안정성을 향상시켜 연마재연성을 높일 수 있다는 탁월한 효과가 있다.
CMP, 슬러리, 금속산화물, 산화제, 연마제, 글리콜 화합물

公开(公告)号：KR100552381B1

公开(公告)日：2006-02-20

申请号：KR1020030083024

申请日：2003-11-21

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 연마 재현성 및 저장안정성이 우수하면서도 연마결함을 야기시키지 않고 높은 연마속도를 제공할 수 있는 금속 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산화제로서 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 리간드 화합물로서 트리메틸실릴트리플루오로메탄 술포네이트, 연마제로서 금속산화물, 필요에 따라 글리콜 화합물, 및 탈이온수를 포함한 금속 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조성물은 화학적 연마능이 뛰어날 뿐만 아니라, CMP 공정에 적용시 발생하는 옥사이드 에로젼, 부식, 피트, 디싱, 스크래치 등의 연마결함을 현저히 감소시킬 수 있고, 슬러리의 저장안정성 및 연마재현성이 현저히 향상된다.
CMP, 슬러리, Metal, 텅스텐

公开(公告)号：KR100504607B1

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：KR1020020085259

申请日：2002-12-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 금속산화물 미분말, 산화제, 킬레이트 착물, 글리콜, 및 pH 조절제를 초순수에 분산시켜 금속배선 연마용 슬러리 조성물을 제조함에 있어서, 상기 pH 조절제로서 4급 암모늄 염기와 산을 병용하는 것을 특징으로 하는 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 조성물을 사용하면 웨이퍼의 가장자리 부분의 과연마가 방지되어 평탄한 연마면을 확보할 수 있으므로, 웨이퍼의 가장자리 부분에 위치한 셀의 수율 향상이 기대된다.

公开(公告)号：KR100504606B1

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：KR1020020085247

申请日：2002-12-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 알루미늄 배선 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 슬러리 조성물은 초순수에 알루미나, 세리아 및 지르코니아로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 금속산화물 미분말, 산화제, 킬레이트 착물, 글리콜 및 pH 조절제를 분산시켜 제조되며, 본 발명에서는 킬레이트 착물과 글리콜류를 병용함으로써 알루미늄 배선의 연마시 코로젼이나 심 등의 결함 없이 연마속도를 증가시키고 연마입자의 분산안정성 및 그에 따른 연마재현성을 개선하여, 반도체 제조 공정에서 높은 수율을 확보하는 것을 가능케 하였다.