公开(公告)号：KR1020140143058A

公开(公告)日：2014-12-15

申请号：KR1020130065012

申请日：2013-06-05

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김태완 ,  정영철 ,  강동헌

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: The present invention relates to a CMP slurry composition for polishing a silicon wafer, comprising deionized water, an abrasive, a water-soluble polymer, an acetic acid-based chelating agent, a phosphoric acid-based chelating agent, and a pH adjuster. The CMP slurry composition shows excellent polishing effect on a silicon wafer in the second polishing to polish mirror surfaces after the first polishing and has little defect after polishing the mirror surfaces.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于抛光硅晶片的CMP浆料组合物，其包括去离子水，研磨剂，水溶性聚合物，乙酸类螯合剂，磷酸类螯合剂和pH调节剂。 CMP浆料组合物在第二次抛光中对硅晶片的抛光效果优异，在第一次抛光后抛光镜面，在抛光镜面后几乎没有缺陷。

公开(公告)号：KR101279963B1

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020080133805

申请日：2008-12-24

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 강동헌 ,  임건자 ,  최원영 ,  김태완

IPC: C09K3/14

Abstract: 초순수, 연마제, 산화제, 및 pH 조절제를 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 연마제로 1차 입경이 30 ~ 70nm인 콜로이드 실리카를 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.5 ~ 3 중량%로 사용하고, 상기 산화제로 과산화수소, 벤조일 퍼옥사이드, 칼슘 퍼옥사이드, 바륨 퍼옥사이드, 소듐 퍼옥사이드, 및 암모늄 퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 과산화 화합물을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 5 중량%로 사용하며, 상기 pH 조절제로 질산, 황산, 인산, 염산, 아세트산, 시트르산, 글루타르산, 글루콜산, 포름산, 젖산, 말산, 말론산, 말레산, 옥살산, 프탈산, 숙신산, 타르타르산, 수산화칼륨, 수산화암모늄, 암모니아, TMAH(Tetra methyl ammonium hydroxide)로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.01 ~ 1 중량%로 사용하며, 전체 CMP 슬러리 조성물의 pH가 2.3 ~ 3인 것을 특징으로 하는 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속 배선에 대하여 높은 연마 속도를 나타내어 연마 공정 시간이 짧으며, 이로전(erosion)과 디싱(dishing) 등의 표면 결함이 적으므로 금속 배선 연마 공정에 유용하다.
금속 배선, CMP 슬러리, 콜로이드 실리카, 과산화 화합물, pH 조절제, 연마 속도, 이로전(erosion), 디싱(dishing), 표면 결함

公开(公告)号：KR1020100080095A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020080138720

申请日：2008-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 임건자 ,  강동헌 ,  최원영 ,  김태완 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: PURPOSE: A slurry composition for chemical mechanical polishing is provided to use silica of which surface is coated with metal or metal oxide and to obtain high polishing rate. CONSTITUTION: A slurry composition for chemical mechanical polishing contains 0.01-10 weight% of polishing agent which is a silica of which surface is coated with metal ion or metal oxide, and 0.1-10 weight% of oxidizer. The metal ion coated on the silica surface is one or more kinds selected from a group consisting of cerium, aluminum, zirconium, and titanium. The metal oxide is selected from a group consisting of ceria, alumina, zirconia, and titania.

Abstract translation: 目的：提供用于化学机械抛光的浆料组合物，使用其表面涂覆有金属或金属氧化物的二氧化硅并获得高抛光速率。 构成：用于化学机械抛光的浆料组合物含有0.01-10重量％的抛光剂，其是表面用金属离子或金属氧化物涂覆的二氧化硅，和0.1-10重量％的氧化剂。 涂覆在二氧化硅表面上的金属离子是选自铈，铝，锆和钛的一种或多种。 金属氧化物选自二氧化铈，氧化铝，氧化锆和二氧化钛。

公开(公告)号：KR1020080062021A

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：KR1020060137271

申请日：2006-12-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 강동헌 ,  최원영 ,  김원래 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to ensure high selectivity of the polishing rate between a metal layer and an insulating layer. A chemical mechanical polishing slurry composition for metal wire includes 0.1-5wt% of KIO3, 0.01-2wt% of an organic acid, 0.1-30wt% of silica, and 63-99wt% of pure water. The organic acid is at least one selected from the group comprising acetic acid, citric acid, glutamic acid, glycolic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, tartaric acid, and malonic acid. The slurry composition further comprises tetramethyl ammonium hydroxide.

Abstract translation: 提供化学机械抛光浆料组合物以确保金属层和绝缘层之间的抛光速率的高选择性。 用于金属丝的化学机械抛光浆料组合物包括0.1-5重量％的KIO 3，0.01-2重量％的有机酸，0.1-30重量％的二氧化硅和63-99重量％的纯水。 有机酸是选自乙酸，柠檬酸，谷氨酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，马来酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸，酒石酸和丙二酸的组中的至少一种 酸。 该浆料组合物还包含四甲基氢氧化铵。

公开(公告)号：KR1020070075079A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：KR1020060003411

申请日：2006-01-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 강동헌 ,  이인경 ,  임건자 ,  김원래

IPC: C09K3/14

Abstract: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to prevent contamination with metal impurities and have improved polishing reproducibility and storage stability. The chemical mechanical polishing slurry composition comprises an oxidant, an organic acid, an abrasive, and further diethylene glycol, wherein the organic acid is a combination of at least two organic acids having at least one carboxylic acid group. When two organic acids are used, a weight ratio of the two organic acids is 1:9-9:1. The organic acid having at least one carboxylic acid group is selected from the group consisting of acetic acid, citric acid, glutaric acid, glycollic acid, formic acid, lactic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, tartaric acid, and malonic acid.

Abstract translation: 提供化学机械抛光浆料组合物以防止金属杂质的污染并且具有改善的抛光再现性和储存稳定性。 化学机械抛光浆料组合物包含氧化剂，有机酸，研磨剂和另外的二甘醇，其中有机酸是至少两种具有至少一个羧酸基团的有机酸的组合。 当使用两种有机酸时，两种有机酸的重量比为1:9-9:1。 具有至少一个羧酸基团的有机酸选自乙酸，柠檬酸，戊二酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，马来酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸，酒石酸， 和丙二酸。

公开(公告)号：KR100660753B1

公开(公告)日：2006-12-26

申请号：KR1020040095971

申请日：2004-11-22

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  이재석 ,  강동헌 ,  이인경

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 프로필렌글리콜을 함유하는 금속배선 연마용 CMP 전구체 및 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 연마제로서 금속산화물, 산화제로서 무기산, 하나 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 비이온계면활성제로서 프로필렌글리콜(Propylene Glycol), 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 CMP용 전구체 조성물 및 과산화 화합물을 더 첨가한 슬러리 조성물을 개시한다.
본 발명에 의한 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물은 저장안정성 및 연마 재현성이 뛰어나고 연마 속도가 높으며, 반도체 제조공정에 사용시 부식 또는 균열 등의 결함을 현저하게 감소시켜 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
금속배선 연마용 CMP 전구체 및 슬러리 조성물, 프로필렌글리콜, 연마제, 산화제

公开(公告)号：KR1020060082451A

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：KR1020050002949

申请日：2005-01-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이인경

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 본 발명은 금속 산화제를 함유하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 탈이온수를 용매로 하며, 금속산화물 및 무기산, 두개 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 탈이온수, 금속 산화제, 알카리 화합물, 및 지방산을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 구성에 의한 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물은 사용전에 별도의 산화제 혼합등의 추가 공정이 필요없이 바로 사용할 수 있으면서도 장시간 방치후에도 안정적인 연마성능을 가질 수 있는 슬러리의 조성이다. 또한 산화물 침식, 산화물 손실 등의 패턴 연마 특성이 우수하며, 반도체 제조공정에 결함을 현저하게 감소시켜 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
슬러리, 금속 산화제, 지방산, 연마제, CMP

Abstract translation: 本发明涉及一种用于金属布线含有金属的氧化剂，和去离子水作为溶剂，金属氧化物和无机酸，具有至少两个羧基，去离子水，金属氧化剂，碱化合物的有机羧酸化合物，和脂肪酸磨料的CMP浆料组合物 本发明涉及金属丝抛光用浆料组合物。

公开(公告)号：KR1020060056781A

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：KR1020040095971

申请日：2004-11-22

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  이재석 ,  강동헌 ,  이인경

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 본 발명은 프로필렌글리콜을 함유하는 금속배선 연마용 CMP 전구체 및 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 연마제로서 금속산화물, 산화제로서 무기산, 하나 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 비이온계면활성제로서 프로필렌글리콜(Propylene Glycol), 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 CMP용 전구체 조성물 및 과산화 화합물을 더 첨가한 슬러리 조성물을 개시한다.
본 발명에 의한 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물은 저장안정성 및 연마 재현성이 뛰어나고 연마 속도가 높으며, 반도체 제조공정에 사용시 부식 또는 균열 등의 결함을 현저하게 감소시켜 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
금속배선 연마용 CMP 전구체 및 슬러리 조성물, 프로필렌글리콜, 연마제, 산화제

公开(公告)号：KR100552381B1

公开(公告)日：2006-02-20

申请号：KR1020030083024

申请日：2003-11-21

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 연마 재현성 및 저장안정성이 우수하면서도 연마결함을 야기시키지 않고 높은 연마속도를 제공할 수 있는 금속 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산화제로서 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 리간드 화합물로서 트리메틸실릴트리플루오로메탄 술포네이트, 연마제로서 금속산화물, 필요에 따라 글리콜 화합물, 및 탈이온수를 포함한 금속 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조성물은 화학적 연마능이 뛰어날 뿐만 아니라, CMP 공정에 적용시 발생하는 옥사이드 에로젼, 부식, 피트, 디싱, 스크래치 등의 연마결함을 현저히 감소시킬 수 있고, 슬러리의 저장안정성 및 연마재현성이 현저히 향상된다.
CMP, 슬러리, Metal, 텅스텐

公开(公告)号：KR100504607B1

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：KR1020020085259

申请日：2002-12-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 금속산화물 미분말, 산화제, 킬레이트 착물, 글리콜, 및 pH 조절제를 초순수에 분산시켜 금속배선 연마용 슬러리 조성물을 제조함에 있어서, 상기 pH 조절제로서 4급 암모늄 염기와 산을 병용하는 것을 특징으로 하는 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 조성물을 사용하면 웨이퍼의 가장자리 부분의 과연마가 방지되어 평탄한 연마면을 확보할 수 있으므로, 웨이퍼의 가장자리 부분에 위치한 셀의 수율 향상이 기대된다.