선택적 에스오아이 구조를 이용한 단결정 실리콘마이크로일렉트로미케니컬 시스템을 위한 절연 방법
    21.
    发明授权
    선택적 에스오아이 구조를 이용한 단결정 실리콘마이크로일렉트로미케니컬 시스템을 위한 절연 방법 有权
    선택적에스오아이구이를이용한단결정실리콘마이크로일렉트로미케니컬시스템을위한절연방

    公开(公告)号:KR100405176B1

    公开(公告)日:2003-11-12

    申请号:KR1020010019656

    申请日:2001-04-12

    Applicant: 조동일

    Inventor: 조동일 박상준

    Abstract: PURPOSE: An insulation method for single crystal silicon microelectromechanical system(MEMS) using selective silicon on chip structure is provided to reduce the quantity of a buried insulation layer and control the depth and thickness of the layer as compared with that using SOI wafer. CONSTITUTION: An etching hole is patterned on the electrode formed on a silicon substrate, and then the depth of buried insulation layer is defined by Reactive Ion Etching(RIE). According to standard SBM process, a protection layer is deposited along the sidewall within a hole and the bottom line of the electrode is etched horizontally. The protection layer and etching mask are removed and insulation material is filled up in the gap between the floating electrode and the substrate. By performing another SBM process, the electrode of final product is supported by the buried insulation layer and by which, electrically insulated structure from the substrate is formed.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用选择性硅片上结构的单晶硅微电子机械系统(MEMS)的绝缘方法,以减少埋入绝缘层的数量并控制层的深度和厚度,与使用SOI晶片的情况相比。 构成:在硅衬底上形成的电极上刻蚀刻蚀孔,然后通过反应离子刻蚀(RIE)定义埋入绝缘层的深度。 根据标准的SBM工艺,保护层沿侧壁沉积在孔内,并且电极的底部线被水平蚀刻。 去除保护层和蚀刻掩模,并将绝缘材料填充在浮动电极和衬底之间的间隙中。 通过执行另一种SBM工艺,最终产品的电极由掩埋绝缘层支撑,并且由此形成与基板的电绝缘结构。

    사각 단면을 가지는 (100) 방향 비소화갈륨 빔 제조 방법
    22.
    发明公开
    사각 단면을 가지는 (100) 방향 비소화갈륨 빔 제조 방법 失效
    用于制造(100)具有矩形横截面的方向GAAS梁的方法

    公开(公告)号:KR1020030017003A

    公开(公告)日:2003-03-03

    申请号:KR1020010051103

    申请日:2001-08-23

    Applicant: 조동일

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a (100) directional GaAs beam having a rectangular cross-section is provided to obtain a floated (100) directional GaAs beam by using a (001) GaAs substrate as a structural material. CONSTITUTION: An etch mask having a (100) directional boundary is patterned by using a (001) GaAs substrate. A stepped structure is formed perpendicularly to a wall face of a structure by wet etching or dry etching. The amount of undercut corresponds to the amount of etch to the direction of depth if the wet etching is done. A wall protection layer of the fabricated structure is formed. A (100) directional beam is floated by the wet etching of the structure having the wall protection layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造具有矩形截面的(100)方向GaAs束的方法,以通过使用(001)GaAs衬底作为结构材料获得浮动(100)方向GaAs束。 构成:通过使用(001)GaAs衬底来图案化具有(100)方向边界的蚀刻掩模。 通过湿蚀刻或干蚀刻垂直于结构的壁面形成阶梯结构。 如果进行湿蚀刻,底切的量对应于对深度方向的蚀刻量。 形成制造结构的壁保护层。 通过对具有壁保护层的结构的湿式蚀刻来浮动(100)定向光束。

    삼중막을 이용한 단결정 실리콘 미세 구조물의 절연 방법
    23.
    发明公开
    삼중막을 이용한 단결정 실리콘 미세 구조물의 절연 방법 有权
    使用三层绝缘单晶硅精细结构的方法

    公开(公告)号:KR1020020004135A

    公开(公告)日:2002-01-16

    申请号:KR1020000037659

    申请日:2000-07-03

    Applicant: 조동일

    CPC classification number: B81C1/0019 B81C2201/0178 H01L21/764

    Abstract: PURPOSE: A method for insulating a fine structure of a single crystalline silicon using a triple layer is provided to insulate a fine structure of a single crystalline silicon without an additional photo/etch process. CONSTITUTION: A thermal oxide layer is formed on a fine structure of single crystalline silicon by performing a thermal oxidation process. A conductive layer is insulated electrically with a single crystalline silicon substrate by the thermal oxide layer. A doped polysilicon layer is deposited on a surface of the thermal oxide layer by using an LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) method. An aluminium layer is deposited on an upper portion of a trench and a part of a sidewall of the trench by using a sputtering method or a deposition method. Each electrode is insulated by etching the deposited polysilicon layer and removing a part of the deposited polysilicon.

    Abstract translation: 目的:提供使用三层绝缘单晶硅的精细结构的方法,以在没有额外的光刻/蚀刻工艺的情况下使单晶硅的精细结构绝缘。 构成:通过进行热氧化处理,在单晶硅的精细结构上形成热氧化层。 导电层通过热氧化层与单晶硅衬底电绝缘。 通过使用LPCVD(低压化学气相沉积)方法在热氧化物层的表面上沉积掺杂多晶硅层。 通过溅射法或沉积法将铝层沉积在沟槽的上部和沟槽的侧壁的一部分上。 通过蚀刻沉积的多晶硅层并去除一部分沉积的多晶硅来将每个电极绝缘。

    초음파 교통량 검지기를 이용한 차량 정보 획득 방법
    24.
    发明授权
    초음파 교통량 검지기를 이용한 차량 정보 획득 방법 失效
    使用超声波交通量检测器获取车辆信息的方法

    公开(公告)号:KR100312211B1

    公开(公告)日:2001-12-28

    申请号:KR1019980057805

    申请日:1998-12-23

    Abstract: 본 발명은 초음파 차량 검지기를 이용한 차량 정보 획득 방법에 관한 것으로서, 하나의 차선에 초음파 송신 시간이 동기된 두 개의 초음파 센서를 설치하는 단계(a); 상기 단계에서 설치된 두 개의 초음파 센서들에 의하여 감지되는 차량의 반사파 신호를 검지하는 단계(b); Δt
    1 =t
    2 -t
    1 , Δt
    2 =t
    4 -t
    3 , Δt
    3 =t
    3 -t
    1 , Δt
    4 =t
    4 -t
    2 이고, t
    1 은 차량이 먼저 통과하는 초음파 센서의 출력이 '0'에서 '1'이 되는 시간, t
    3 는 차량이 먼저 통과하는 초음파 센서의 출력이 '1'에서 '0'이 되는 시간, t
    2 는 차량이 나중에 통과하는 초음파 센서의 출력이 '0'에서 '1'이 되는 시간, t
    4 는 차량이 나중에 통과하는 초음파 센서의 출력이 '1'에서 '0'이 되는 시간이며, t
    stat 는 점유율을 산출하는 시간 간격이라고 할 때, 라고 정의하여 차량의 점유율 P
    oc 를 에 의해 계산하는 단계(c); 두 초음파 센서간의 거리를 l
    d 라 하고, 라고 정의할 때, 개별 차량의 속도 υ를 에 의해 계산하는 단계(d); 및 센서의 검지 영역의 길이를 l
    s 라고 정의하고, 상기 단계(c)에서 구한 t
    oc 와 상기 단계(d)에서 구한 υ를 이용하여 개별 차량의 길이를 l
    car 를 l
    car =υ×t
    oc -l
    s 에 의해 계산하는 단계(e)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 방법에서는 하나의 차선에 두 개의 초음파 센서를 설치하여, 두 초음파 센서들의 반사파 출력 양식을 분석함에 의하여 차량 계수, 점유율 뿐만 아니라, 차량 개별 정보인 차량의 속도 및 차량의 길이에 대한 정보를 얻을 수 있다.

    초음파 교통량 검지 장치
    25.
    发明公开
    초음파 교통량 검지 장치 无效
    超声波交通检测装置

    公开(公告)号:KR1020010081493A

    公开(公告)日:2001-08-29

    申请号:KR1020000007111

    申请日:2000-02-15

    Applicant: 조동일

    Abstract: PURPOSE: An ultrasonic traffic volume detecting apparatus is provided to realize an interface circuit between a true time clock and a CPU board with providing a dial-up modem interface circuit so as to be capable of modem communication and directly connecting communication with a single series port provided from the CPU by utilizing the ultrasonic traffic volume detecting apparatus. CONSTITUTION: An ultrasonic sensor(11) periodically creates and outputs an ultrasonic transmitting signal and receives a reflected wave from cars or a ground. A signal processing unit(12) outputs a car detecting signal from the reflected wave received from the ultrasonic sensor. A CPU(13) creates a transportation data by using the car detecting signal from the signal processing unit. A memory unit stores the transportation data created by the CPU(13). A real time clock(16) provides a time information to the CPU(13) by creating a present time for the information of the transportation data. A modem(18) transmits The transportation data created by the CPU(13) and stored on the memory unit to center through a telephone line. A communication chip(17) changes the signal from the CPU(13) into an RS-232C standard which is communication agreement.

    Abstract translation: 目的:提供一种超声波流量检测装置,通过提供拨号调制解调器接口电路实现真实时钟和CPU板之间的接口电路,以便能够进行调制解调器通信,并与单个串行端口直接连接通信 通过利用超声波业务量检测装置从CPU提供。 构成:超声波传感器(11)周期性地产生并输出超声波发射信号并接收来自汽车或地面的反射波。 信号处理单元(12)从来自超声波传感器的反射波输出轿厢检测信号。 CPU(13)通过使用来自信号处理单元的轿厢检测信号来创建运送数据。 存储单元存储由CPU(13)创建的运输数据。 实时时钟(16)通过为运输数据的信息创建当前时间来向CPU(13)提供时间信息。 调制解调器(18)发送由CPU(13)创建并存储在存储器单元上的运输数据,通过电话线中心。 通信芯片(17)将来自CPU(13)的信号改变为通信协议的RS-232C标准。

    초음파 센서를 이용한 교통 정보 생성 방법
    26.
    发明公开
    초음파 센서를 이용한 교통 정보 생성 방법 失效
    使用超声波传感器创建运输信息的方法

    公开(公告)号:KR1020010081491A

    公开(公告)日:2001-08-29

    申请号:KR1020000007108

    申请日:2000-02-15

    Applicant: 조동일

    Abstract: PURPOSE: A method for creating transportation information using an ultrasonic sensor is provided to reduce aberration in case that the detecting signal about a car come out more than two according to a kind of cars by utilizing the method for creating transportation information using an ultrasonic sensor. CONSTITUTION: A process inputs an average speed(v) of cars during a predetermined time and a variation(delta v) of the average speed to a fuzzy system, outputs a compensating period(N) for compensating for a factor of cars to the fuzzy system, and determines the compensating period by the fuzzy system. In the predetermined compensation period, if an ultrasonic sensor dose not receive a reflected wave, and the process determines that there are no cars in the ultrasonic detecting area.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用超声波传感器创建运输信息的方法,用于通过利用使用超声波传感器创建运输信息的方法,根据汽车的种类,关于轿厢的检测信号超过两次的情况下的像差减少。 构成:过程在预定时间内输入汽车的平均速度(v),并将平均速度的变化(delta v)输入到模糊系统,输出用于补偿汽车因子到模糊的补偿周期(N) 系统,并通过模糊系统确定补偿期。 在规定的补偿期间,如果超声波传感器没有接收到反射波,并且该处理确定超声波检测区域中没有车辆。

    수직운동미세기계시스템의공기저항감소를위한구조층및그제조공정
    27.
    发明授权
    수직운동미세기계시스템의공기저항감소를위한구조층및그제조공정 失效
    垂直运动微机械系统减少空气阻力的结构层及其制造工艺

    公开(公告)号:KR100283008B1

    公开(公告)日:2001-04-02

    申请号:KR1019980004424

    申请日:1998-02-13

    Applicant: 조동일

    Inventor: 조동일

    Abstract: 본 발명은 수직 운동 미세기계시스템의 공기저항 감소를 위한 구조층 및 그 제조공정에 관한 것이다. 본 발명은 실리콘 자이로스코프와 같이 수직 운동을 하는 미세기계시스템에서, 수직 운동 방향과 직각인 방향으로 형성된 포켓 모양의 요홈에 의하여, 시스템의 수직운동시 스퀴즈 필름 댐핑을 감소시키는 구조층과 그 제조 공정을 제공한다. 본 발명에 의하여 스퀴즈 필름 댐핑이 감소된 자이로스코프는 종래에 비하여 고진공 팩킹 요구 조건을 완화할 수 있고, Q-계수 향상으로 응답 속도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 본 발명에서 제시하는 제조 공정은 반도체 소자 제조 기술로 구현할 수 있는 것이다.

    실리콘 마이크로머시닝 기법에 의하여 제조된 초소형 추진기
    28.
    发明公开
    실리콘 마이크로머시닝 기법에 의하여 제조된 초소형 추진기 失效
    微米螺旋桨由硅微加工技术制造

    公开(公告)号:KR1020000050867A

    公开(公告)日:2000-08-05

    申请号:KR1019990000999

    申请日:1999-01-15

    Applicant: 조동일

    Inventor: 조동일

    Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a micro propeller is to provide a micro propeller to be integrated together with a fluid linear amplifier, CONSTITUTION: A method comprises steps of: patterning a silicon oxide layer on both surfaces of a silicon wafer; forming a chamber of a propeller on one surface of the silicon wafer, and forming an outlet portion of the propeller the other surface of the silicon wafer, by using a deep silicon etching process; and after removing the silicon oxide layer on both surfaces of the silicon wafer, sealing one surface of the silicon wafer to form the chamber of the propeller by using a silicon-silicone fusion engagement. By the deep silicon etching process, the chamber of the propeller is formed on a front surface of the silicon wafer, and the outlet portion of the propeller is formed on a rear surface of the silicon wafer.

    Abstract translation: 目的:制造微型螺旋桨的方法是提供一种与流体线性放大器集成在一起的微型螺旋桨。一种方法包括以下步骤:在硅晶片的两个表面上形成氧化硅层; 在所述硅晶片的一个表面上形成螺旋桨室,并且通过使用深硅蚀刻工艺,将所述螺旋桨的出口部分形成在所述硅晶片的另一个表面上; 并且在去除硅晶片的两个表面上的氧化硅层之后,通过使用硅 - 硅酮熔融接合来密封硅晶片的一个表面以形成螺旋桨的腔室。 通过深硅蚀刻工艺,螺旋桨的腔室形成在硅晶片的前表面上,螺旋桨的出口部分形成在硅晶片的后表面上。

    가변구조 외란 관측자와 가변구조제어기를 이용한 AC 서보모터의 속도 및 위치 제어 방법

    公开(公告)号:KR1019980020999A

    公开(公告)日:1998-06-25

    申请号:KR1019960039720

    申请日:1996-09-13

    Abstract: 본 발명은 CNC 공작기계의 서보시스템의 구동 장치로서 사용되는 AC 모터의 속도 및 위치를 제어하는 방법에 관한 것으로서, 가변구조제어기를 이용한 AC 서보모터의 속도 및 위치 제어 방법에 있어서, 습동 평면을 속도 오차와 위치 오차의 선형 합으로 설정하는 단계; 외란을 추정치와 추정 오차로 구분하는 단계; 상기 간략화된 모델에 대해서 습동평면을 0으로 만드는 제어입력을 연속시간공간에서 구하는 단계; 상기 단계들에서 구해진 외란과 제어입력을 상기 간략화된 모델에 대입하여 외란 추정값의 오차와 습동 평면을 나타내는 절환 함수의 관계의 동적특성을 구하는 단계; 외란 추정 법칙을 외란 추정값의 오차와 습동 평면을 나타내는 절환 함수의 관계를 바탕으로 구하는 단계; 상기 단계들에서 구해진 제어 입력에 이산 시간 공간에서 유한한 샘플링주기에 의하여 야기된 오차를 고려하여 보상해주는 단계를 포함하는 것임을 특징으로 하는 외란 관측자와 가변구조제어기를 이용한 AC 서보모터의 속도 및 위치 제어 방법을 제시한다.

    건축용 단열재
    30.
    发明公开
    건축용 단열재 审中-实审
    建筑材料

    公开(公告)号:KR1020150112505A

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:KR1020140036829

    申请日:2014-03-28

    Applicant: 조동일

    Inventor: 조동일

    CPC classification number: E04B1/80 B32B27/06 B32B38/04 E04C2/292

    Abstract: 본발명은건축용단열재에관한것으로, 특히두께가매우얇으면서도단열은물론흡음과난연효과및 취급이매우우수할뿐만아니라, 거푸집을설치하고콘크리트를타설시일면에등 간격으로형성된홈으로콘크리트가채워져콘크리트와밀착이잘 이루어지는한편, 불필요하게샷시와벽체가너무두꺼워지지않도록된 건축용단열재에관한것이다. 본발명의건축용단열재(1000)는, 가로와세로방향으로일정한길이와두께의스티로폼(1100)의넓은전면(1110)과배면(1120)에각각은박지(1200)가접착되어구비되되, 상기전면(1110) 또는배면(1120)에은박지(1200)가부착된상태에서일정한 등간격으로홈(1130)이형성되고, 상기홈(1130)은, 상기은박지(1200)의일정한폭의절취부(1131)와, 스티로폼(1100)의일정한폭과일정깊이까지홈부(1132)가형성된것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于建筑的绝缘材料,更具体地说涉及一种非常薄的绝缘材料,具有优良的隔热,吸音和阻燃效果的结构绝缘材料,易于处理,易于粘附在混凝土上 当在一个表面中以规则的间隔形成的凹槽填充有混凝土时,当安装框架以与混凝土一起浇注时,并且防止不必要地增加底盘和墙壁的厚度。 本发明提供一种用于建筑物的绝缘材料(1000),其中每个银纸(1200)以规定的长度和厚度结合并设置在泡沫聚苯乙烯(1100)的前表面(1110)和后表面(1120)上 在水平和垂直方向; 并且当银纸(1200)附接到前表面(1110)和后表面(1120)时,以规则的间隔形成凹槽(1130)。 在槽(1130)中,在银纸(1200)上形成具有预定宽度的切割部分(1131),并且以规定的泡沫聚苯乙烯(1100)的宽度和深度形成槽部(1132)。

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