Abstract:
PURPOSE: An insulation method for single crystal silicon microelectromechanical system(MEMS) using selective silicon on chip structure is provided to reduce the quantity of a buried insulation layer and control the depth and thickness of the layer as compared with that using SOI wafer. CONSTITUTION: An etching hole is patterned on the electrode formed on a silicon substrate, and then the depth of buried insulation layer is defined by Reactive Ion Etching(RIE). According to standard SBM process, a protection layer is deposited along the sidewall within a hole and the bottom line of the electrode is etched horizontally. The protection layer and etching mask are removed and insulation material is filled up in the gap between the floating electrode and the substrate. By performing another SBM process, the electrode of final product is supported by the buried insulation layer and by which, electrically insulated structure from the substrate is formed.
Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating a (100) directional GaAs beam having a rectangular cross-section is provided to obtain a floated (100) directional GaAs beam by using a (001) GaAs substrate as a structural material. CONSTITUTION: An etch mask having a (100) directional boundary is patterned by using a (001) GaAs substrate. A stepped structure is formed perpendicularly to a wall face of a structure by wet etching or dry etching. The amount of undercut corresponds to the amount of etch to the direction of depth if the wet etching is done. A wall protection layer of the fabricated structure is formed. A (100) directional beam is floated by the wet etching of the structure having the wall protection layer.
Abstract:
PURPOSE: A method for insulating a fine structure of a single crystalline silicon using a triple layer is provided to insulate a fine structure of a single crystalline silicon without an additional photo/etch process. CONSTITUTION: A thermal oxide layer is formed on a fine structure of single crystalline silicon by performing a thermal oxidation process. A conductive layer is insulated electrically with a single crystalline silicon substrate by the thermal oxide layer. A doped polysilicon layer is deposited on a surface of the thermal oxide layer by using an LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) method. An aluminium layer is deposited on an upper portion of a trench and a part of a sidewall of the trench by using a sputtering method or a deposition method. Each electrode is insulated by etching the deposited polysilicon layer and removing a part of the deposited polysilicon.
Abstract:
본 발명은 초음파 차량 검지기를 이용한 차량 정보 획득 방법에 관한 것으로서, 하나의 차선에 초음파 송신 시간이 동기된 두 개의 초음파 센서를 설치하는 단계(a); 상기 단계에서 설치된 두 개의 초음파 센서들에 의하여 감지되는 차량의 반사파 신호를 검지하는 단계(b); Δt 1 =t 2 -t 1 , Δt 2 =t 4 -t 3 , Δt 3 =t 3 -t 1 , Δt 4 =t 4 -t 2 이고, t 1 은 차량이 먼저 통과하는 초음파 센서의 출력이 '0'에서 '1'이 되는 시간, t 3 는 차량이 먼저 통과하는 초음파 센서의 출력이 '1'에서 '0'이 되는 시간, t 2 는 차량이 나중에 통과하는 초음파 센서의 출력이 '0'에서 '1'이 되는 시간, t 4 는 차량이 나중에 통과하는 초음파 센서의 출력이 '1'에서 '0'이 되는 시간이며, t stat 는 점유율을 산출하는 시간 간격이라고 할 때, 라고 정의하여 차량의 점유율 P oc 를 에 의해 계산하는 단계(c); 두 초음파 센서간의 거리를 l d 라 하고, 라고 정의할 때, 개별 차량의 속도 υ를 에 의해 계산하는 단계(d); 및 센서의 검지 영역의 길이를 l s 라고 정의하고, 상기 단계(c)에서 구한 t oc 와 상기 단계(d)에서 구한 υ를 이용하여 개별 차량의 길이를 l car 를 l car =υ×t oc -l s 에 의해 계산하는 단계(e)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 방법에서는 하나의 차선에 두 개의 초음파 센서를 설치하여, 두 초음파 센서들의 반사파 출력 양식을 분석함에 의하여 차량 계수, 점유율 뿐만 아니라, 차량 개별 정보인 차량의 속도 및 차량의 길이에 대한 정보를 얻을 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: An ultrasonic traffic volume detecting apparatus is provided to realize an interface circuit between a true time clock and a CPU board with providing a dial-up modem interface circuit so as to be capable of modem communication and directly connecting communication with a single series port provided from the CPU by utilizing the ultrasonic traffic volume detecting apparatus. CONSTITUTION: An ultrasonic sensor(11) periodically creates and outputs an ultrasonic transmitting signal and receives a reflected wave from cars or a ground. A signal processing unit(12) outputs a car detecting signal from the reflected wave received from the ultrasonic sensor. A CPU(13) creates a transportation data by using the car detecting signal from the signal processing unit. A memory unit stores the transportation data created by the CPU(13). A real time clock(16) provides a time information to the CPU(13) by creating a present time for the information of the transportation data. A modem(18) transmits The transportation data created by the CPU(13) and stored on the memory unit to center through a telephone line. A communication chip(17) changes the signal from the CPU(13) into an RS-232C standard which is communication agreement.
Abstract:
PURPOSE: A method for creating transportation information using an ultrasonic sensor is provided to reduce aberration in case that the detecting signal about a car come out more than two according to a kind of cars by utilizing the method for creating transportation information using an ultrasonic sensor. CONSTITUTION: A process inputs an average speed(v) of cars during a predetermined time and a variation(delta v) of the average speed to a fuzzy system, outputs a compensating period(N) for compensating for a factor of cars to the fuzzy system, and determines the compensating period by the fuzzy system. In the predetermined compensation period, if an ultrasonic sensor dose not receive a reflected wave, and the process determines that there are no cars in the ultrasonic detecting area.
Abstract:
본 발명은 수직 운동 미세기계시스템의 공기저항 감소를 위한 구조층 및 그 제조공정에 관한 것이다. 본 발명은 실리콘 자이로스코프와 같이 수직 운동을 하는 미세기계시스템에서, 수직 운동 방향과 직각인 방향으로 형성된 포켓 모양의 요홈에 의하여, 시스템의 수직운동시 스퀴즈 필름 댐핑을 감소시키는 구조층과 그 제조 공정을 제공한다. 본 발명에 의하여 스퀴즈 필름 댐핑이 감소된 자이로스코프는 종래에 비하여 고진공 팩킹 요구 조건을 완화할 수 있고, Q-계수 향상으로 응답 속도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 본 발명에서 제시하는 제조 공정은 반도체 소자 제조 기술로 구현할 수 있는 것이다.
Abstract:
PURPOSE: A method of manufacturing a micro propeller is to provide a micro propeller to be integrated together with a fluid linear amplifier, CONSTITUTION: A method comprises steps of: patterning a silicon oxide layer on both surfaces of a silicon wafer; forming a chamber of a propeller on one surface of the silicon wafer, and forming an outlet portion of the propeller the other surface of the silicon wafer, by using a deep silicon etching process; and after removing the silicon oxide layer on both surfaces of the silicon wafer, sealing one surface of the silicon wafer to form the chamber of the propeller by using a silicon-silicone fusion engagement. By the deep silicon etching process, the chamber of the propeller is formed on a front surface of the silicon wafer, and the outlet portion of the propeller is formed on a rear surface of the silicon wafer.
Abstract:
본 발명은 CNC 공작기계의 서보시스템의 구동 장치로서 사용되는 AC 모터의 속도 및 위치를 제어하는 방법에 관한 것으로서, 가변구조제어기를 이용한 AC 서보모터의 속도 및 위치 제어 방법에 있어서, 습동 평면을 속도 오차와 위치 오차의 선형 합으로 설정하는 단계; 외란을 추정치와 추정 오차로 구분하는 단계; 상기 간략화된 모델에 대해서 습동평면을 0으로 만드는 제어입력을 연속시간공간에서 구하는 단계; 상기 단계들에서 구해진 외란과 제어입력을 상기 간략화된 모델에 대입하여 외란 추정값의 오차와 습동 평면을 나타내는 절환 함수의 관계의 동적특성을 구하는 단계; 외란 추정 법칙을 외란 추정값의 오차와 습동 평면을 나타내는 절환 함수의 관계를 바탕으로 구하는 단계; 상기 단계들에서 구해진 제어 입력에 이산 시간 공간에서 유한한 샘플링주기에 의하여 야기된 오차를 고려하여 보상해주는 단계를 포함하는 것임을 특징으로 하는 외란 관측자와 가변구조제어기를 이용한 AC 서보모터의 속도 및 위치 제어 방법을 제시한다.