公开(公告)号：KR1019890011037A

公开(公告)日：1989-08-12

申请号：KR1019880016318

申请日：1988-12-08

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 쯔다도시오 ,  호리오야스히꼬 ,  벳쇼요시히로 ,  이시다도오루_

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1020000005915A

公开(公告)日：2000-01-25

申请号：KR1019990020610

申请日：1999-06-04

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 벳쇼요시히로 ,  이타가키미네히로

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: PURPOSE: The semiconductor device and fabricating method thereof is provided to reduce the number of terminals and the size of devices, and improve the reliability of devices. CONSTITUTION: The semiconductor device includes; an element; a circuit board; a base material formed between the element and the circuit board; and a conducting layer which connects a terminal electrode of the element to a connection electrode electrically by filling in a hole formed in the base material. The method of mounting a semiconductor device on a circuit board is comprising the steps of; forming a hole in a base material; filling a conducting paste in the hole; connecting the device to the circuit board through the base material mechanically and connecting a terminal electrode of the device and a connection electrode of the circuit board by conducting paste electrically at the same time.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法以减少端子数量和器件尺寸，并提高器件的可靠性。 构成：半导体器件包括： 一个元素 电路板; 形成在所述元件和所述电路板之间的基材; 以及导电层，其通过填充形成在基材中的孔而将元件的端子电极电连接到连接电极。 将半导体器件安装在电路板上的方法包括以下步骤： 在基材中形成孔; 在孔中填充导电膏; 通过机械地将基板材料连接到电路板，并通过同时导电的方式连接器件的端子电极和电路板的连接电极。

公开(公告)号：KR100236448B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019960028350

申请日：1996-07-13

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 벳쇼요시히로

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76888 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02163 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 반도체장치와 회로기판을 용이하고 신뢰성 높게 접속할 수 있는 반도체장치의 전극구조 및 그 형성방법 및 반도체장치의 실장체 및 반도체장치에 관한 것으로, 본 발명은 IC기판(1)상에 알루미늄전극(2)을 형성하는 것이다. 또, IC기판(1)상에 알루미늄전극(2)의 주변부를 덮도록 하여 페시베이션막(5)을 형성하고, 알루미늄전극(2)상에 와이어본딩법으로 돌기전극(3)을 형성한다. 돌기전극(3) 주위에 노출된 알루미늄전극(2) 표면에 알루미늄 산화막(4)을 형성하고, 반도체장치의 돌기전극(3) 선단부에 접합층으로서의 도전성 접착제(8)를 전사법이나 인쇄법에 의해 도포한다. 반도체장치를 페이스다운 상태에서 돌기전극(3)이 회로기판(6)의 단자전극(7)상에 당접하도록 위치맞춤을 행하고, 반도체장치를 회로기판(14)에 적재한다. 이 상태에서 도전성 접착제(8)를 경화시키고, IC기판(1)과 회로기판(6)의 간극에 절연성수지(9)를 충전한다.

公开(公告)号：KR100227078B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019960000063

申请日：1996-01-05

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 나카무라요시후미 ,  토무라요시히로 ,  벳쇼요시히로

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은, 칩캐리어 또는 멀티칩모듈의 콘택트전극과 검사장치의 단자전극을 검사용 도전성접착제를 개재해서 전기적으로 접속시킴으로써, 칩캐리어에 휘어짐을 발생시키지 않고, LSI칩의 접속안전성을 손상시키는 일없이, 칩패키지 또는 멀티모듈의 동작을 검사하는 방법과 그 검사용 도전성접착제를 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 콘택트전극(8)위에 형성된 볼형상의 돌기전극(9)을 검사용 도전성접착제의 막(15)에 침지해서 끌어올림으로써, 상기 볼형상의 돌시전극(9)에 검사용 도전성접착제(17)를 전사형성하고, 이어서, 검사장치(19)의 단자전극(18)위에 위치맞춤해서 적재하고, 볼형상의 돌기전극(9)과 검사 장치의 단자전극(18)을 검사용 도전성접착제(17)에 의해 전기적으로 접속한 후, 칩패키지 또는 멀티칩모듈의 동작을 검� ��하는 것을 특징으로 한 것이다.

公开(公告)号：KR100157238B1

公开(公告)日：1998-11-16

申请号：KR1019940009968

申请日：1994-05-07

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 이타가키미네히로 ,  벳쇼요시히로 ,  유하쿠사토루 ,  하고타니야스히코 ,  미우라카즈히로 ,  오카노카즈유키

IPC: H01B1/16

CPC classification number: H01L23/49883 ,  H01L21/486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/092 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 LSI, IC나 칩부품을 탑재한 세라믹다층배선기판의 배선층간의 접속에 사용되는 도체페이스트조성물에 관한 것으로서, 세라믹배선판의 배선층간의 접속에 사용되는 도체페이스트조성물에 있어서, 세라믹배선판의 배선층간의 접속에 사용되는 도체페이스트조성물에 있어서, 충전공정에서, 비어구멍내부의 도체페이스트조성물의 중앙부가 레벨링작용에 의해 꺼지는데 다른 충전불량을 해결하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 세라믹배선기판(4)의 비어구멍(2)의 충전에 사용되는 도체페이스트조성물(1)에 있어서, 적어도 도체재료분말과 유리분말로 이루어진 무기성분 75.0~90.0중량%와, 적어도 유기바인더와 용제로 이루어진 유기비히클성분 9.0~20.0중량%와, 금속유기화합물용액 0.5~5.0중량%을 구비한 것을 특징으로 한 것이며, 그중 � ��속유기화합물성분을 혼합하므로서, 금속유기화합물성분이, 도체재료분말, 유리분말, 유기비히클에 작용해서 틱소비가 크게되어, 자연유동과 같은 저속도의 변형에 대한 점도는 높으나, 힘을 가한 고속도의 변형에 대한 점도는 낮아진다. 이 결과, 비어구멍내부에서의 레벨링작용에 의해서 도체페이스트조성물의 중앙부가 꺼지지 않도록 자연유동점도를 크게해도, 도체페이스트 조성물을 비어구멍에 충전할때의 저항이 작아지며, 비어구멍에 대한 충전작업이 용이하여 충전부족이 없어지고, 또한, 비어구멍내부의 도체페이스트의 중앙부가 꺼지는 충전불량이 없어진다.

公开(公告)号：KR100137909B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940009401

申请日：1994-04-30

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 토무라요시히로 ,  벳쇼요시히로

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  B23K20/007 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78302 ,  H01L2224/78703 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2224/05599

Abstract: 본 발명은, 반도체장치를 회로기판에 실장하기 위한 및 방법에 관한 것으로서, 특히, 와이어본딩장치용의 캐필러리와, 그 캐필러리를 사용해서, 회로기판의 단자전극과 반도체장치의 전극패드를 전기적으로 접속하기 위한 전기적 접속접점(범프)을 형성하는 방법에 관한 것이고, 그 구성에 있어서, 반도체장치의 전극패드(13)위에 범프(7)를 형성하기 위한 볼본딩용(1)에 있어서, 금속와이어(4)의 볼형상의 선단부를 전극패드(13)에 대해서 압압하여, 볼형상선단부를 상기 전극패드(13)에 압착시키는 압압부재와, 압압부재에 형성된, 상기 금속와이어를 공급하는 출구멍(2)과 전극패드(13)위에 형성된 범프(7)의 높이를 일치시키기 위한 레벨링부재(3)를 구비함으로써, 반도체장치의 범프를 형성하는 공정에 있어서, 동시에 범프의 레벨링을 행할 수 있으므로, � �도로 레벨링공정을 설정하지 않고, 소정의 높이와 형상의 범프를 얻을 수 있다. 또, 바람직하지 않은 형상의 범프의 형성을 방지하고, 불균일이 적은 안정된 형상의 범프를 형성할 수 있다. 범프형성에 요하는 시간과 코스트를 삭감하면서, 반도체장치와 회로기판을 용이하게 또한 신뢰성좋게 접속하는 범프를 형성할 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1019970005710B1

公开(公告)日：1997-04-19

申请号：KR1019930008206

申请日：1993-05-13

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 이타가키미네히로 ,  오카노카즈유키 ,  키무라스즈시 ,  나카타니세이이치 ,  벳쇼요시히로 ,  유하쿠사토루 ,  하코타니야수히코 ,  미우라가즈히로

IPC: H01L23/29

CPC classification number: H01L23/49883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：KR1019960030354A

公开(公告)日：1996-08-17

申请号：KR1019960001634

申请日：1996-01-25

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 오바야시다카시 ,  벳쇼요시히로 ,  오모야가즈노리 ,  사쿠라이와타루 ,  하라다미쓰루

IPC: H01L21/60

Abstract: 전극 패드를 가지는 반도체 장치와, 단자 전극을 가지는 기판과, 전극 패드의 일부에 설치된 전극과 가요성이 있는 도전성 접착층과, 점도가 100Pa·s 이하이고 틱소트로피 지수가 1.1 이하인 조성물을 경화하여 구성되는 밀봉층을 설치하고, 반도체 장치의 실장체를 실현한다. 조성물로는 예를 들어 폴리에폭시드, 산무수물 및 레올로지 개질제를 포함하는 수지 바인더와 충전재를 주성분으로 하고, 레올로지 개질제로 산무수물중의 유리산과 충전재의 표면상 극성기의 상호작용을 저해하는 기능을 가지는 것을 이용한다. 밀봉재의 유동성 개량에 의해 좁은 간격을 기포 생성없이 빠르게 메꾸는 밀봉층이 형성되기 때문에 신뢰성 및 생산성이 높은 반도체 장치의 실장체를 형성할 수 있다.