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公开(公告)号：KR101262608B1
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：KR1020110130328
申请日：2011-12-07
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/187
Abstract: PURPOSE: A wafer bonding method, and an electronic device manufactured by the same are provided to prevent a warpage phenomenon due to the wire bonding and easily perform a post process. CONSTITUTION: An n-GaN thin film(12) is formed on a substrate(11). An MQW(Multi-Quantum Well)(13) is formed on the n-GaN thin film. A p-GaN thin film(14) is formed on the MQW. A P electrode(15) is formed on the p-GaN thin film. A metal bonding layer(16) is formed between the P electrode and a steel substrate(17).
Abstract translation: 目的：提供一种晶片接合方法及其制造的电子器件，以防止由于引线接合引起的翘曲现象，并且容易进行后续处理。 构成：在衬底（11）上形成n-GaN薄膜（12）。 在n-GaN薄膜上形成MQW（多量子阱）（13）。 在MQW上形成p-GaN薄膜（14）。 在p-GaN薄膜上形成P电极（15）。 在P电极和钢基板（17）之间形成金属接合层（16）。
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公开(公告)号：KR1020120099544A
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：KR1020110008583
申请日：2011-01-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/02603 , H01L21/67075 , H01L33/12 , H01L33/28
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a vertical light emitting diode using a wet etched buffer layer is provided to manufacture the light emitting diode at low cost comparing to a laser off technology by separating a substrate and a light emitting diode device using the wet etched buffer layer. CONSTITUTION: A buffer layer including an unevenness section is formed on a substrate. The size of the each unevenness section is 10nm to 10μm. An N type semiconductor, an active layer and a P type semiconductor are successively formed on the upper part of the buffer layer. A metal support layer is formed on the P type semiconductor. The buffer layer is removed by wet etching. [Reference numerals] (AA,FF,LL) Metal support layer; (BB,GG,KK) P-type semiconductor; (CC,HH,JJ) N-type semiconductor; (DD) Nano pyramid buffer layer; (EE,II) Substrate; (MM) Active layer
Abstract translation: 目的：提供一种使用湿蚀刻缓冲层制造垂直发光二极管的方法，其通过使用湿蚀刻缓冲层分离衬底和发光二极管器件，与低成本技术相比低成本地制造发光二极管 。 构成：在基板上形成包括凹凸部的缓冲层。 每个不平坦部分的尺寸为10nm至10μm。 在缓冲层的上部依次形成N型半导体，有源层和P型半导体。 在P型半导体上形成金属支撑层。 通过湿蚀刻除去缓冲层。 （附图标记）（AA，FF，LL）金属支撑层; （BB，GG，KK）P型半导体; （CC，HH，JJ）N型半导体; （DD）纳米金字塔缓冲层; （EE，II）基板; （MM）有源层
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公开(公告)号：KR1020110026268A
公开(公告)日：2011-03-15
申请号：KR1020090084086
申请日：2009-09-07
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device for an emitting light and a method for fabricating the same is provided to improve an optical power to outside by forming a diffused reflection pattern of a hemi-spherical structure on the top of a substrate and guide diffuse reflection in generated in an active layer. CONSTITUTION: In a semiconductor device for an emitting light and a method for fabricating the same, a semiconductor layer(120) comprises an n-type layer(121), an active layer(122), and a p-type layer(123). An n-type electrode(180) is formed in the top of n-type layer. A p-type electrode(130) is formed in the bottom of the p-type layer. A support substrate(170) is arranged on the bottom of the p-type electrode and supports a whole structure. The n-type electrode includes a nano dot-type layer, a contact layer, a reflector, and a cap layer(185).
Abstract translation: 目的：提供一种用于发光的半导体器件及其制造方法，用于通过在衬底顶部形成半球形结构的扩散反射图案并引导漫反射来提高对外界的光功率 活动层。 构成：在用于发光的半导体器件及其制造方法中，半导体层（120）包括n型层（121），有源层（122）和p型层（123） 。 n型电极（180）形成在n型层的顶部。 p型电极（130）形成在p型层的底部。 支撑基板（170）布置在p型电极的底部并支撑整个结构。 n型电极包括纳米点型层，接触层，反射体和覆盖层（185）。
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公开(公告)号：KR1020160017533A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：KR1020140101226
申请日：2014-08-06
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/00
Abstract: 화합물반도체소자, 및이를제조하기위한웨이퍼본딩방법에관한것으로, 구체적으로는, 질화갈륨계반도체기판; 상기반도체기판상에형성된제 1 전도성확산방지층; 상기제 1 전도성확산방지층상에형성된금속접합층; 상기금속접합층상에형성된제 2 전도성확산방지층; 및상기제 2 전도성확산방지층상에위치하고, 니켈을함유하는강철기판;을포함하는화합물반도체소자를제공하는한편, 상기제 2 전도성확산방지층에의해, 상기니켈을함유하는강철기판및 상기금속접합층내 원소들의확산및/또는상기니켈을함유하는강철기판및 상기금속접합층사이의반응이제어되는것인웨이퍼본딩방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。 更具体地，提供了一种化合物半导体器件，其包括：氮化镓基半导体衬底; 形成在所述半导体衬底上的第一导电扩展防止层; 形成在所述第一导电铺展防止层上的金属接合层; 形成在所述金属接合层上的第二导电铺展防止层; 以及设置在第二导电铺展防止层上并含有镍的金属基板。 金属接合层和金属基板之间的反应，包含镍，和/或金属接合层和金属基板中的元素的扩散由第二导电铺展防止层控制。
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25.发明授权
公开(公告)号：KR101439750B1
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020130025069
申请日：2013-03-08
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079
Abstract: The present invention relates to a substrate for a light emitting diode device having excellent anti-corrosion properties, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a light emitting diode. In particular, the substrate for a light emitting diode device has excellent anti-corrosion properties strong enough to endure a wet etching process for increasing efficiency of light extraction of the light emitting diode. According to an aspect of the present invention, the substrate for a light emitting diode device may include a flattened substrate and a protection layer on a surface opposite to the flattened surface of the substrate.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有优异的耐腐蚀性能的发光二极管器件用基板及其制造方法以及发光二极管的制造方法。 特别地，用于发光二极管器件的衬底具有优异的抗腐蚀性能，足以承受湿蚀刻工艺，以提高发光二极管的光提取效率。 根据本发明的一个方面，用于发光二极管器件的衬底可以在与衬底的平坦表面相对的表面上包括平坦的衬底和保护层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101280501B1
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：KR1020110070253
申请日：2011-07-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은, 질화갈륨계 발광다이오드에 산화막/금속/산화막으로 이루어진 투명전극을 적용함으로써, 종래에 비해 발광효율을 향상시킬 수 있는 발광다이오드에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광다이오드는 발광 구조를 갖는 반도체층 위의 표면 반도체층이 N-페이스 또는 Ga-페이스를 갖는 n형 반도체 상에 형성된 투명전극을 포함하는 발광다이오드로서, 상기 투명전극은 상기 n형 반도체 상에, 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 형성된 다층구조로 이루어진 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR101238169B1
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020110008583
申请日：2011-01-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/12
Abstract: 본 발명은 습식 식각형 버퍼층을 이용한 수직형 발광다이오드의 에피성장과 버퍼층의 형성 시 자발적으로 발생하는 표면 나노 구조체를 통해 광 추출 효율이 향상된 수직형 발광다이오드를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 습식 식각형 버퍼층을 적용하게 되면 종래의 레이저 리프트 오프 기술에 비해 낮은 제조 단가로 수직형 발광 다이오드를 제작할 수 있으며 평탄한 n형 반도체 표면을 가지는 수직 발광다이오드에 비해 광출력이 2~3배 이상 증가할 수 있어 고출력 발광다이오드에 적합하게 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 방법은 제조단가가 높으며 대면적 웨이퍼 공정에의 적용이 어려운 전자선 리소그래피 패터닝을 사용하지 않기 때문에, 일반적인 나노구조물 형성방법에 비하여 단시간 내에 나노구조물을 형성할 수 있는 특징이 있어, 대면적 적용이나 제조단가, 그리고 공정시간 단축의 효과를 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR101233768B1
公开(公告)日：2013-02-15
申请号：KR1020100139057
申请日：2010-12-30
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/52 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0017 , H01L21/02019 , H01L21/30617 , H01L29/0665 , H01L33/005 , H01L33/0075
Abstract: 본 발명은 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이를 이용한 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법은 임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계, p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계, p형 전극 상에 도전성 기판을 형성하는 단계, 임시기판을 제거하여 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계, n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계, 나노 임프린트 몰드를 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 나노 패턴을 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계, 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계 및 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
본 발명에 따르면, 발광다이오드의 광추출 효율을 향상시키기 위한 나노 패턴을 효율적이고 경제적으로 형성할 수 있는 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 발광다이오드가 제공되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020130009274A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020110070253
申请日：2011-07-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode using a transparent electrode is provided to disperse electrons in a device and to prevent a current crowding effect. CONSTITUTION: A transparent electrode(60) includes a multi-layer structure having an upper oxide layer(63), a lower oxide layer(61) and a metal layer(62). The lower oxide layer, the metal layer and the upper oxide layer are successively formed on an N-type semiconductor. The surface of the upper oxide layer is patterned. The thickness of the metal layer is 1-100nm. A metal layer(80) for current injection is formed between the N-type semiconductor and the transparent electrode. [Reference numerals] (AA) Bonding layer
Abstract translation: 目的：提供使用透明电极的发光二极管，以将电子分散在器件中并防止电流拥挤效应。 构成：透明电极（60）包括具有上氧化物层（63），低氧化物层（61）和金属层（62）的多层结构。 下层氧化物层，金属层和上部氧化物层依次形成在N型半导体上。 图案化上部氧化物层的表面。 金属层的厚度为1-100nm。 在N型半导体和透明电极之间形成用于电流注入的金属层（80）。 （附图标记）（AA）接合层
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公开(公告)号：KR1020130000103A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020110060591
申请日：2011-06-22
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/0079 , H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to efficiently release heat by increasing a surface area. CONSTITUTION: A light emitting structure(20) includes an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer. A bonding layer(30) is formed in the lower part of the light emitting structure. A conductive substrate(10) includes a thermal dissipation pattern. A thermal dissipation pattern improves the efficiency of dissipating the heat transferred from the light emitting structure. The bonding layer is adhered to one side of the conductive substrate. [Reference numerals] (10) Conductive substrate; (21) N type semiconductor layer; (23) Activation layer; (25) P type semiconductor layer; (30) Bonding layer; (40) Conductive polymer; (50) Sub frame
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，以通过增加表面积来有效地释放热量。 构成：发光结构（20）包括n型半导体层，有源层和p型半导体层。 在发光结构的下部形成接合层（30）。 导电基板（10）包括散热图案。 散热图案提高了散发从发光结构传递的热量的效率。 接合层粘附到导电基板的一侧。 （附图标记）（10）导电基板; （21）N型半导体层; （23）激活层; （25）P型半导体层; （30）接合层; （40）导电聚合物; （50）子帧
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