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公开(公告)号：WO2012005459A2
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/KR2011/004592
申请日：2011-06-23
Applicant: 서울옵토디바이스(주) , 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 손준호 , 유학기
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0058
Abstract: 본 발명은 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체 발광소자는 기판; 상기 기판 상부에 형성된 p형 오믹 전극층; 상기 p형 오믹 전극층 상부에 형성된 p형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층; 상기 p형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층; 및 상기 n형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 오믹 전극층; 및 상기 n형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 및 상기 n형 오믹 전극층보다 굴절율이 작은 제 1 및 제 2 굴절율 조절층을 포함하며， 상기 제 2 굴절율 조절층 표면에 피라미드구조물이 형성된 것을특징으로 한다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체 발광소자의 상부에 제 1 및 제 2 굴절율 조절층을 포함하고， 상기 제 2 굴절율 조절층에 파리미드 구조를 형성하는 경우， 종래의 발광다이오드에 비하여 발광다이오드의 표면 광출력이 1.5배 이상 증가할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有氮化镓基III-V族化合物半导体的发光器件及其制造方法。 具有氮化镓基III-V族化合物半导体的发光装置包括：基板; 在该基板上形成的p型欧姆电极层; 形成在p型欧姆电极层上的p型氮化镓基III-V族化合物半导体层; 形成在p型氮化镓基III-V族化合物半导体层上的n型氮化镓基III-V族化合物半导体层; 形成在n型氮化镓基III-V族化合物半导体层上的n型欧姆电极层; 以及折射率小于n型氮化镓基III-V族化合物半导体层和n型欧姆电极层的折射率的第一和第二折射率控制层，并且金字塔结构形成在 第二折射率控制层。 根据本发明的一个实施例，第一和第二折射率控制层可以包括在具有氮化镓基III-V族化合物半导体的发光器件的上部，并且可以形成金字塔结构 在第二折射率控制层中，由此增加比典型发光二极管输出的面光的一倍半倍的面光。
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公开(公告)号：WO2013006016A2
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/KR2012/005394
申请日：2012-07-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 유학기 , 동완재 , 정관호
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L51/442 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 태양전지 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지 소자는, 광투과성을 가진 기판; 전도성과 광투과성을 갖는 재질로 이루어지고, 나노 스케일의 나뭇가지 형상을 갖는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하여 상기 기판 상에 형성되는 제1전극; 전자도너와 전자억셉터를 가지며, 상기 제1전극 상에 형성되는 광활성층; 및 상기 광활성층 상에 형성되며, 전도성을 갖는 재질로 이루어지는 제2전극;을 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의하면, 제1전극이 입사광을 효과적으로 확산 및 산란시키는 다수의 나노 가지 구조체를 포함함으로써 광활성층을 통과하는 광 경로를 증가시켜 광활성층에 흡수되는 빛의 양을 제고함으로 태양전지 소자의 효율을 향상시킬 수 있고, 광활성층이 제1전극의 나노 가지 구조체를 내포하는 형태로 제1전극의 전극체 상면에 형성되므로 광활성층 내부에서 생성된 전하가 신속하게 제1전극의 나노 가지 구조체로 이동될 수 있어 태양전지 소자의 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
Abstract translation:
本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池器件，根据本发明，具有光透过性的基板; 具有导电性和透光性，包括多个具有纳米尺度的树枝形状，以在衬底上形成的纳米结构的材料形成的第一电极; 电子涂有电子受体，形成在所述第一电极上的光活性层; 和它形成的光活性层，由具有导电性的材料制成的第二电极上;包括：a。 根据本发明，所述第一电极，所述太阳能电池元件的由包括多个纳米结构不同的用于有效地扩散和散射入射光增强由光活性层吸收通过光活性层，以增加光路的光的量的效率 并增强，光活性层是光活性层很快产生的电荷，所以在包含形成在第一电极的电极体的上表面上的第一电极的纳米不同结构的形式移动所述第一电极的结构的纳米 太阳能电池元件的效率可以进一步提高。
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公开(公告)号：WO2013006017A2
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/KR2012/005395
申请日：2012-07-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 유학기 , 동완재 , 정관호
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지용 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지용 기판은, 전극 및 활성층이 형성되는 태양전지용 기판으로서, 기판부재와 상기 기판부재의 일면에 형성된 박막을 포함하고, 상기 박막은 비등방성 결정구조를 갖는 물질로 이루어지며, 그 표면에는 비등방성 결정구조의 결정면의 표면에너지 차이에 의해 자발적으로 생성된 다수의 요철부가 형성된다. 본 발명에 의하면, 비등방성 결정구조를 갖는 재료를 기판부재의 일면에 증착시켜 박막을 형성함으로써, 비등방성 결정구조로 인한 결정면의 표면에너지 차이를 이용해 박막의 표면에 다수의 요철부가 자발적으로 형성되게 하여, 광활성층에 흡수되는 빛의 양을 제고하기 위해 태양전지에 입사되는 빛을 산란 및 확산시켜 빛이 광활성층을 통과하는 경로를 증가시키는 다수의 요철부를 갖는 태양전지용 기판을 매우 간편하고 저렴한 비용으로 형성할 수 있으며, 태양전지용 기판을 이루는 기판부재의 종류와 무관하게 다수의 요철부가 태양전지용 기판에 안정적으로 구비될 수 있다.
Abstract translation:
本发明涉及一种太阳能电池基板和制造根据本发明的太阳能电池基板的方法概括为在其上形成在基底构件和基底构件的表面上的电极与所述有源层的太阳能电池基板 它包括形成在一个薄膜，而薄膜具有各向异性晶体结构的材料形成，其表面与通过在各向异性晶体结构的表面能差的晶面自发地产生的多个凹凸部的形成。 根据本发明，通过由形成薄膜，无定形与晶体平面之间的表面能差具有基板构件的表面上的各向异性晶体结构的材料由于晶体结构上沉积将要形成在多个凹凸部的自发的薄膜的表面上 并且，散射光入射在太阳能电池上，以增强由所述光活性层吸收的光的量和扩散到光的多个具有用于通过光学活性层中增加的路径凹凸部的太阳能电池基板的非常简单，成本低 它可以通过形成，并且是独立的构成所述太阳能电池基板除了许多不规则的，可以稳定地提供至该太阳能电池基板基底构件的类型。
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公开(公告)号：KR101295199B1
公开(公告)日：2013-08-09
申请号：KR1020110067428
申请日：2011-07-07
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L51/442 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 태양전지 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지 소자는, 광투과성을 가진 기판; 전도성과 광투과성을 갖는 재질로 이루어지고, 나노 스케일의 나뭇가지 형상을 갖는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하여 상기 기판 상에 형성되는 제1전극; 전자도너와 전자억셉터를 가지며, 상기 제1전극 상에 형성되는 광활성층; 및 상기 광활성층 상에 형성되며, 전도성을 갖는 재질로 이루어지는 제2전극;을 포함하여 이루어진다.
본 발명에 의하면, 제1전극이 입사광을 효과적으로 확산 및 산란시키는 다수의 나노 가지 구조체를 포함함으로써 광활성층을 통과하는 광 경로를 증가시켜 광활성층에 흡수되는 빛의 양을 제고함으로써 태양전지 소자의 효율을 향상시킬 수 있고, 광활성층이 제1전극의 나노 가지 구조체를 내포하는 형태로 제1전극의 전극체 상면에 형성되므로, 광활성층 내부에서 생성된 전하가 신속하게 제1전극의 나노 가지 구조체로 이동될 수 있으므로 태양전지 소자의 효율을 더욱 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 이러한 다수의 나노 가지 구조체를 전자선 증착 방법으로써 증착시켜 성장 형성함으로써 제조 단가를 절감하고 제조 시간도 줄일 수 있으며 대면적의 태양전지 소자도 용이하게 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101186560B1
公开(公告)日：2012-10-08
申请号：KR1020110067429
申请日：2011-07-07
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A substrate for a solar cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs by depositing materials with an anisotropic crystalline structure to form a thin film. CONSTITUTION: A substrate with an electrode and an active layer for a solar cell includes a substrate member and a thin film(120). The thin film is formed on one side of the substrate member. The thin film is made of materials with an anisotropic crystalline structure. A plurality of uneven parts(121) generated by the surface energy difference of the crystalline surface of the anisotropic crystalline structure are formed on the surface of the thin film.
Abstract translation: 目的：提供一种用于太阳能电池的基板及其制造方法，以通过沉积具有各向异性晶体结构的材料来形成薄膜来降低制造成本。 构成：具有电极和太阳能电池的有源层的基板包括基板部件和薄膜（120）。 薄膜形成在基板部件的一侧。 该薄膜由具有各向异性晶体结构的材料制成。 在薄膜的表面上形成由各向异性晶体结构的晶体表面的表面能量差产生的多个不平坦部分（121）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101238169B1
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020110008583
申请日：2011-01-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/12
Abstract: 본 발명은 습식 식각형 버퍼층을 이용한 수직형 발광다이오드의 에피성장과 버퍼층의 형성 시 자발적으로 발생하는 표면 나노 구조체를 통해 광 추출 효율이 향상된 수직형 발광다이오드를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 습식 식각형 버퍼층을 적용하게 되면 종래의 레이저 리프트 오프 기술에 비해 낮은 제조 단가로 수직형 발광 다이오드를 제작할 수 있으며 평탄한 n형 반도체 표면을 가지는 수직 발광다이오드에 비해 광출력이 2~3배 이상 증가할 수 있어 고출력 발광다이오드에 적합하게 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 방법은 제조단가가 높으며 대면적 웨이퍼 공정에의 적용이 어려운 전자선 리소그래피 패터닝을 사용하지 않기 때문에, 일반적인 나노구조물 형성방법에 비하여 단시간 내에 나노구조물을 형성할 수 있는 특징이 있어, 대면적 적용이나 제조단가, 그리고 공정시간 단축의 효과를 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020120005418A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：KR1020110115338
申请日：2011-11-07
Applicant: 서울바이오시스 주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A light emitting device having an MgO pyramid structure and a manufacturing method thereof are provided to release lots of lights to air by forming a refractive index control layer having a pyramid structure without an additional process. CONSTITUTION: A first semiconductor layer is formed on the upper side of a substrate(500). An active layer(230) is placed on the first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A refractive index control layer having a refractive index smaller than the first semiconductor layer is formed on the upper side of the first semiconductor layer. The refractive index control layer comprises a first refractive index control layer(300) and a second refractive index control layer(400). A pyramid structure is formed in the second refractive index control layer.
Abstract translation: 目的：提供具有MgO金字塔结构的发光器件及其制造方法，通过在没有附加工艺的情况下形成具有金字塔结构的折射率控制层，将大量光照射到空气中。 构成：在基板（500）的上侧形成有第一半导体层。 有源层（230）被放置在第一半导体层，第二半导体层以及第一半导体层和第二半导体层之间。 在第一半导体层的上侧形成折射率小于第一半导体层的折射率控制层。 折射率控制层包括第一折射率控制层（300）和第二折射率控制层（400）。 在第二折射率控制层中形成金字塔结构。
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公开(公告)号：KR100886828B1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：KR1020070007812
申请日：2007-01-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01J11/40 , C23C26/00 , C23C28/04 , C23C28/322 , C23C28/345 , H01J9/02 , H01J11/12
Abstract: A passivation film and a method of forming the same are provided, the passivation film being used in a plasma display panel etc. In the passivation film, a first MgO layer, an intervening layer, and a second MgO layer are laminated and a laser is then irradiated to oxidize the intervening layer. Simultaneously, defects are formed at the interfaces of the first and second MgO layers. Accordingly, a plasma discharge firing voltage greatly decreases, and the total power consumption of the plasma display panel is significantly reduced.
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公开(公告)号：KR101317276B1
公开(公告)日：2013-10-14
申请号：KR1020110073700
申请日：2011-07-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드용 기판은, DMD 전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 반사 전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판으로서, 광투과성을 가진 기판부재와 상기 기판부재의 상면에 형성되는 굴절률 조절층을 포함하고, 상기 굴절률 조절층은 상기 DMD 전극에서 상기 기판부재로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각이 증가하도록 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진다.
본 발명에 의하면, DMD 전극이 형성되는 기판부재의 상면에 기판부재의 굴절률보다 크고 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 굴절률 조절층이 형성됨으로써, 발광층으로부터 방출되어 DMD 전극에서 기판부재로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각을 증가시킴으로써 DMD 전극과 기판의 계면에서 발생하는 전반사 현상을 줄여 광추출 효율을 제고할 수 있고, 특히 굴절률 조절층은 제1ㆍ제2굴절률 조절층으로 이루어지고 제2굴절률 조절층이 형성되는 제1굴절률 조절층의 표면에 다수의 요철부가 형성됨으로써, 측 방향으로 진행하는 빛이 소실되지 않고 이러한 요철부에서 굴절되어 기판 측으로 방출되게 하여 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020130027728A
公开(公告)日：2013-03-18
申请号：KR1020110091124
申请日：2011-09-08
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L51/5218
Abstract: PURPOSE: A flexible organic light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve a charge injection property by forming a conductive oxide layer on the upper side of a DBR(Distributed Bragg Reflector) electrode to sufficiently secure electric conductivity. CONSTITUTION: A DBR electrode(200) is formed on an opaque substrate(100). A hole layer(400) is formed on the upper side of the DBR electrode. A conductive oxide layer(300) is formed between the DBR electrode and the hole layer. An electron layer(600) is formed on the hole layer. A light emitting layer(500) is formed between the hole layer and the electron layer. A light emitting layer is made of organic materials and emits light by a combination of electrons and holes. A transparent electrode(700) is formed on the upper side of the electron layer.
Abstract translation: 目的：提供一种柔性有机发光二极管及其制造方法，以通过在DBR（分布式布拉格反射器）电极的上侧形成导电氧化物层来充分确保电导率，从而提高电荷注入性能。 构成：DBR电极（200）形成在不透明基板（100）上。 在DBR电极的上侧形成有空穴层（400）。 在DBR电极和空穴层之间形成导电氧化物层（300）。 在空穴层上形成电子层（600）。 在空穴层和电子层之间形成发光层（500）。 发光层由有机材料制成并通过电子和空穴的组合发光。 在电子层的上侧形成透明电极（700）。
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