公开(公告)号：KR102221190B1

公开(公告)日：2021-03-03

申请号：KR1020190022530

申请日：2019-02-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 문병준 ,  오예린 ,  김상진 ,  이승기 ,  김남동 ,  김태욱 ,  이상현 ,  배수강

IPC: B01J37/08

Abstract: 본명세서에서는푸마로니트릴(Fumaronitrile) 및금속입자전구체를용매에용해시켜혼합용액을형성하는단계; 및상기혼합용액을열분해하여탄소양자점을형성하는단계;를포함하는, 질소도핑탄소양자점제조방법이제공된다. 본명세서에서는질소도핑탄소양자점으로서, 상기양자점의표면상에존재하는금속입자를포함하며, 상기금속입자는상기도핑된질소와결합을형성하는, 질소도핑탄소양자점이제공된다.

公开(公告)号：KR102147102B1

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：KR1020180158285

申请日：2018-12-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최호광 ,  문병준 ,  이동수 ,  배수강 ,  이승기 ,  이상현 ,  김태욱

IPC: H05K9/00 ,  B05D1/02 ,  B05D3/02 ,  B05D7/24

公开(公告)号：KR101746376B1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020140073537

申请日：2014-06-17

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 손동익 ,  김수민 ,  김태욱 ,  배수강 ,  이상현 ,  문병준 ,  손수연 ,  이규승

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/44 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 본발명은유도쌍극자고분자와금속나노입자복합구조의표면플라즈몬효과를이용한고효율유기태양전지및 그제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는유도쌍극자고분자와금속나노입자를정공주입층이나그 위에증착하여표면플라즈모닉특성을증대시킴으로써태양전지소자의광전효율최대한증가시킨고효율유지태양전지와그 제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明中，更具体地，诱导偶极空穴注入层和其上的聚合物和金属纳米颗粒沉积涉及一种高效率的有机太阳能电池和使用该诱导偶极聚合物和金属纳米颗粒复合结构的表面等离子体振子效果的制造方法 更具体地，涉及通过增加表面等离子体特性使太阳能电池器件的光电效率最大化而能够保持高效率的太阳能电池及其制造方法。

公开(公告)号：KR101713937B1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：KR1020150043287

申请日：2015-03-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 배수강 ,  이성호 ,  문병준 ,  박민 ,  장다원

IPC: C01B31/02 ,  D01F9/12 ,  D01F9/22

Abstract: 본발명은탄소섬유전구체로부터열처리공정을통하여탄소섬유를제조하고, 상기탄소섬유또는상기탄소섬유를포함하여제조되는탄소복합소재를산성용액내에서초음파처리를통해서기존의탄소양자점에비해서넓은표면적과다공성을가지며질소를함유하는나노미터크기의탄소구조체인탄소나노링(Carbon nano-ring)을제조하는방법및 이로부터제조된탄소나노링에관한것으로서, 기존의탄소양자점등의탄소나노구조체제조시일반적으로사용되는합성및 도핑의다단계공정을단일공정(One-pot synthesis)으로단순화시킬수 있는장점이있는방법에대한것이다.

公开(公告)号：KR101653283B1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：KR1020150070551

申请日：2015-05-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태욱 ,  차안나 ,  문병준 ,  배수강 ,  이동수 ,  구혜영 ,  이상현 ,  박민

IPC: H01L27/115 ,  H01L51/00

Abstract: 기판상에형성된하부전극; 하부전극상에형성된활성층; 및활성층상에형성된상부전극을포함하며, 활성층은자가응집물질로이루어진자가응집체및 유기고분자물질을포함하는유기고분자물질층을포함하는유기비휘발성메모리장치가제공된다. 이때, 활성층은자가응집물질및 유기고분자물질만으로도전류-전압특성을나타낼수 있으며, 이에따라이를다양한전자소자에적용할수 있다.

Abstract translation: 提供一种有机非易失性存储装置，其包括形成在基板上的下电极; 形成在下电极上的有源层; 以及形成在有源层上的上电极。 有源层包括由自组装材料组成的自组装颗粒和包含有机聚合物材料的有机聚合物材料层。 此时，活性层仅通过使用自组装材料和有机聚合物材料来指示电流 - 电压特性。 由此，能够适用于各种电子设备。

公开(公告)号：KR101651510B1

公开(公告)日：2016-08-29

申请号：KR1020150016660

申请日：2015-02-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태욱 ,  손동익 ,  배수강 ,  이상현 ,  문병준 ,  이동수 ,  박민

IPC: H01L27/115 ,  C01B31/04

Abstract: 기판상에형성된하부전극; 하부전극상에형성된활성층; 및활성층상에형성된상부전극을포함하며, 활성층은금속산화물- 그래핀양자점및 유기고분자물질을포함하는비휘발성메모리장치를제공한다. 이에따라, 전류-전압특성이우수한비휘발성메모리장치가제공될수 있다.