Abstract:
본발명은마이크로웨이브를이용한탄소나노튜브의표면개질방법에관한것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 마이크로웨이브의세기및 조사시간을조절하는공정을수행함에따라탄소나노튜브의표면처리정도를쉽게조절할수 있어, 화학적기능화반응공정이매우간편해졌을뿐만아니라반응시간이매우짧아빠르게다량의탄소나노튜브표면을개질할수 있고, 나아가표면개질된탄소나노튜브는고분자나노복합체의제조등에유용하게적용할수 있는효과를달성할수 있다.
Abstract:
The present invention relates to a method to produce doped graphene using microwave. According to the present invention, graphene, of which 0.01-10 wt% of a heterogeneous element is doped, is obtained by making graphite and an organic compound dope react in the existence of a microwave for graphite intercalation, and by the organic compound inserted between the multi-layered graphite layers to peel the graphite to be of different graphene layers at the same time. Therefore, the method of the present invention can be useful in producing a graphene semiconductor, since graphene can easily be produced which has a much higher purity due to the suppressed usage of toxic chemicals such as hydrazine when compared to a conventional chemical peeling method, and a very simple and cheap process thereof can produce a doped graphene under suppression using a complex and expensive equipment such as a vacuum equipment when compared to a graphene synthesis method by a CVD method at the same time.
Abstract:
본 발명은 절연성 지지체; 및 절연성 지지체 내에 분산되어 있는 상보적 저항 변화성 충전재;를 포함하고, 상보적 저항 변화성 충전재는, 전도성 재료를 포함하는 와이어형 전도성 코어(core); 및 코어 표면에 형성되고 절연성 재료를 포함하는 절연층 쉘(shell);을 포함하는 코어-쉘 구조인, 저항 변화 물질에 관한 것이다. 이에 의하여 전형적인 상보적 저항 변화 메모리의 적층 구조를 가지지 않으면서도 제1 저항층; 도전층; 제2 저항층을 하나의 층으로 구성하면서도 실질적으로 서로 다른 저항층에 양쪽성의 전도성 필라멘트가 형성되어 상보적 저항 변화 특성을 나타낼 수 있으며, 상보적 저항 변화 메모리의 제조에 있어서 상보적 저항 변화성 충전재와 지지물질이 혼합된 페이스트를 코팅하는 간단한 제조 공정을 도입함으로써 제조공정을 간소화하고 비용을 절감할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 절연성 지지체; 및 절연성 지지체 내에 분산되어 있는 상보적 저항 변화성 충전재;를 포함하고, 상보적 저항 변화성 충전재는, 전도성 재료를 포함하는 구(sphere)형의 전도성 코어(core); 및 코어 표면에 형성되고 절연성 재료를 포함하는 절연층 쉘(shell);을 포함하는 구형의 코어쉘 구조인, 저항 변화 물질 에 관한 것이다. 이에 의하여, 구(sphere) 형의 상보적 저항 변화 충전재에 의한 전기장 제어 효과에 의해 상보적 저항 변화 충전재의 전도성 코어를 중심으로 두 전극에 인접한 각각의 저항층에 서로 대칭적인 균일한 필라멘트 전류 통로가 생성되어, 신뢰성 및 안정성이 증대된 상보적 저항 변화 특성이 구현될 수 있다.