양자점 무질서화 기술에서 유전체 덮개층 조합에 의한InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법
    21.
    发明授权
    양자점 무질서화 기술에서 유전체 덮개층 조합에 의한InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법 失效
    通过介电吸收层在量子阱中的组合控制InGaAs / GaAs量子能量束带的方法

    公开(公告)号:KR100502884B1

    公开(公告)日:2005-07-25

    申请号:KR1020010088867

    申请日:2001-12-31

    Abstract: 본 발명은 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭을 조정하는 방법에 관한 것으로서, InGaAs/GaAs 양자점 기판을 성장하는 단계와, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 2중 유전체 덮개층을 성장하는 단계와, 2중 유전체 덮개층이 성장된 InGaAs/GaAs 양자점 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법을 제공한다. InGaAs/GaAs 양자점 기판에 유전체 덮개층으로 SiN
    x 와 SiO
    2 를 성장하고, 700℃에서 1 내지 4분간 열처리한 결과, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 국부적으로 다른 에너지 밴드갭이 형성되었고 공정 조건에 의존하여 에너지 밴드갭의 이동량이 변화하는 것을 관찰하며, 이와 함께 반치폭 값의 감소 현상과 스펙트럼 강도의 증가 현상을 관찰한다.

    양자점 무질서화 기술에서 유전체 덮개층 조합에 의한InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법
    22.
    发明公开
    양자점 무질서화 기술에서 유전체 덮개층 조합에 의한InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법 失效
    通过在量子散乱法中组合电介质覆盖层来控制INGAAS / GAAS量子能量带隙的方法

    公开(公告)号:KR1020030058418A

    公开(公告)日:2003-07-07

    申请号:KR1020010088867

    申请日:2001-12-31

    Abstract: PURPOSE: A method for controlling an energy band gap of InGaAs/GaAs quantum dot by combination of a dielectric capping layer in a quantum dot disorder method is provided to form different band gap regions on the same InGaAs/GaAs quantum dot substrate by coating a dielectric capping layer on a quantum dot structure and performing a thermal process. CONSTITUTION: A method for controlling an energy band gap of InGaAs/GaAs quantum dot by using a dielectric capping layer includes a dielectric combination formation process and an energy band gap formation process. The dielectric combination formation process is to form a dielectric combination on a quantum dot substrate by using SiNx and SiO2 as the dielectric capping layer. The quantum dot substrate having a different energy band gap is formed by performing a thermal process for the quantum dot substrate.

    Abstract translation: 目的:提供一种通过量子点无序方法中的介电覆盖层的组合来控制InGaAs / GaAs量子点的能带隙的方法,通过涂覆电介质在同一InGaAs / GaAs量子点基板上形成不同的带隙区域 覆盖在量子点结构上并进行热处理。 构成:通过使用介电覆盖层来控制InGaAs / GaAs量子点的能带隙的方法包括电介质组合形成工艺和能带隙形成工艺。 电介质组合形成工艺是通过使用SiN x和SiO 2作为电介质覆盖层在量子点衬底上形成电介质组合。 通过对量子点基板进行热处理,形成具有不同能带隙的量子点基板。

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