公开(公告)号：KR1019990066141A

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019980001800

申请日：1998-01-22

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 윤준보 ,  이재덕 ,  한철희 ,  김충기 ,  서두원

IPC: B41J2/01

Abstract: 단일의 금속 도금을 이용하여 바람직한 형상 및 균일한 크기로 형성된 다수의 잉크 분사구를 구비함으로써 생산성이 우수하고 제조 비용이 저렴한 잉크젯 프린트 헤드 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명의 제 1 실시 예에 따르면, 기존의 금속 배리어 층과 노즐판이 통합된 개선된 금속 배리어 층을 형성함에 있어서, 전해 도금법 또는 무전해 도금법을 이용하여 바탕 금속층 상에 니켈(Ni) 도금을 계속적으로 실시하여 제 1 포토레지스트 몰드의 상부는 니켈(Ni) 도금 층에 의해서 완전하게 덮혀지고 제 2 포토레지스트 몰드의 상부는 넘쳐 흐른 니켈(Ni) 도금층에 의해서 완전히 덮히지 않고 소정의 크기와 모양으로 열려서 잉크 분사구를 형성한다. 본 발명의 제 2 실시 예에 따르면, 분사구가 형성될 위치에 제 3 포토레지스트 몰드를 돌출 형성함으로써, 넘쳐 흐른 니켈(Ni) 도금 층이 제 3 포토레지스트 몰드 주위로 수렴되어 분사구를 형성한다. 잉크 분사구는 잉크의 최적 분사에 맞게 고안된 모양, 균일한 크기 및 높은 단면 수직비를 갖는다.

公开(公告)号：KR1019910001984B1

公开(公告)日：1991-03-30

申请号：KR1019880010795

申请日：1988-08-25

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  김충기 ,  고요한

IPC: H01L27/108

Abstract: SMART (Selfaligned Merged And Registered Trench) Capacitor for mega DRAM is manufactured by; forming a trench in P--type epitaxial layer (34) grown on the P+-type Si-substrate (35); forming a poly-Si (38) at inner side of trench; forming field oxide (39) on the top of trench; forming a P-wall (43) and source (42)-drain (44) on P-type epitaxial layer; forming a gate oxide (36); forming side walls (49) and gate electrode (30) on the gate oxide; forming a electrode (40) connecting to the source (42) through contact hole of oxide film (41). Specically the poly-Si is deposited by LPCVD method.

Abstract translation: SMART（自对准合并和注册沟槽）大容量DRAM的电容由...制造; 在P +型Si衬底（35）上生长的P型外延层（34）中形成沟槽; 在沟槽的内侧形成多晶硅（38）; 在沟槽顶部形成场氧化物（39）; 在P型外延层上形成P-壁（43）和源极（42） - 引线（44） 形成栅极氧化物（36）; 在栅极氧化物上形成侧壁（49）和栅电极（30）; 通过氧化膜（41）的接触孔形成连接到源极（42）的电极（40）。 特别地，通过LPCVD法沉积多晶硅。