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公开(公告)号：KR1020080006383A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：KR1020060065534
申请日：2006-07-12
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H02M1/08
CPC classification number: Y02B70/16
Abstract: An SMPS controller is provided to change a reference voltage for determining a standby state of the SMPS device by using a digital signal in the outside of the SMPS controller. An SMPS(Switching Mode Power Supply) controller includes a DAC(Digital to Analog Converter)(7), a standby mode determining unit(2), and a PWM(Pulse Width Modulation) signal controller(3). The DAC converts an external digital signal to an analog signal and generates an analog reference voltage for determining a standby mode state. The standby mode determining unit compares the standby mode determining voltage defined by the converted analog signal with the voltage which is fed back from an output portion of an SMPS to determine a standby mode. The PWM signal controller receives the outputs from the standby mode determining unit and a PWM modulator, and provides the received signals to an output driver which outputs a driving signal for a power semiconductor device. A reference voltage value for determining the standby mode state is programmed by using an external signal.
Abstract translation: 提供SMPS控制器以通过使用SMPS控制器外部的数字信号来改变用于确定SMPS设备的待机状态的参考电压。 SMPS（开关电源）控制器包括DAC（数模转换器）（7），待机模式确定单元（2）和PWM（脉宽调制）信号控制器（3）。 DAC将外部数字信号转换为模拟信号，并产生用于确定待机模式状态的模拟参考电压。 待机模式确定单元将由转换的模拟信号定义的待机模式确定电压与从SMPS的输出部分反馈的电压进行比较，以确定待机模式。 PWM信号控制器接收来自待机模式确定单元和PWM调制器的输出，并将接收到的信号提供给输出功率半导体器件的驱动信号的输出驱动器。 通过使用外部信号来编程用于确定待机模式状态的参考电压值。
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公开(公告)号：KR100729845B1
公开(公告)日：2007-06-18
申请号：KR1020060073219
申请日：2006-08-03
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: A digital PWM(Pulse Width Modulation) generator using a clock divider and a clock synthesizer is provided to reduce a size of a circuit and increase compatibility with an external digital system by changing an analog PWM process of a saw tooth wave or latch structure into a digital PWM circuit which divides and synthesizes a reference clock. A digital PWM generator using a clock divider and a clock synthesizer includes a clock generator(1), a clock divider(2), a clock selection unit(3), a clock control unit(5), a clock synthesizer(4), and a pulse width adjusting unit(6). The clock generator(1) generates an internal reference clock of a system. The clock divider(2) divides the generated reference clock into N clocks. The clock selection unit(3) selectively transmits some clocks to the clock synthesizer(4) according to a control signal which is transmitted from the clock control unit(5) of a plurality of clocks divided by the clock divider(2). The clock control unit(5) analyzes a control signal or a command selected by an external system using an SMPS(Switching Mode Power Supply). The clock control unit(5) controls the clock selection unit(3) in a normal mode by transmitting the control signal to the clock selection unit(3) or checking a load change of the SMPS. The clock synthesizer(4) synthesizes and converts signals selected from the clock selection unit(3) into PWM signals. The pulse width adjusting unit(6) analyzes and transmits a load change signal of the SMPS to the clock control unit(5).
Abstract translation: 提供一个使用时钟分频器和时钟合成器的数字PWM（脉宽调制）发生器，通过将锯齿波或锁存结构的模拟PWM过程改变成一个电路来减小电路的尺寸并提高与外部数字系统的兼容性 数字PWM电路分频和合成一个参考时钟。 使用时钟分频器和时钟合成器的数字PWM发生器包括时钟发生器（1），时钟分频器（2），时钟选择单元（3），时钟控制单元（5），时钟合成器（4） 和脉宽调整单元（6）。 时钟发生器（1）产生系统的内部参考时钟。 时钟分频器（2）将生成的参考时钟分为N个时钟。 时钟选择单元（3）根据由时钟分频器（2）分频的多个时钟的时钟控制单元（5）发送的控制信号，选择性地向时钟合成器（4）发送一些时钟。 时钟控制单元（5）使用SMPS（开关模式电源）分析由外部系统选择的控制信号或命令。 时钟控制单元（5）通过向时钟选择单元（3）发送控制信号或检查SMPS的负载变化来以正常模式控制时钟选择单元（3）。 时钟合成器（4）将从时钟选择单元（3）选择的信号合成并转换成PWM信号。 脉冲宽度调整单元（6）分析SMPS的负载改变信号并将其发送到时钟控制单元（5）。
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公开(公告)号：KR1020060081549A
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020050002033
申请日：2005-01-10
Applicant: 한국전기연구원
IPC: G11C11/21
CPC classification number: H01L23/34 , G01R31/2628 , H01L27/0248 , H01L29/7803
Abstract: 본 발명에 따른 자체 신호를 이용한 전력반도체의 온도검지회로는, 검지 대상의 임의의 전력반도체의 드레인 및 소스 단자와 전기적으로 각각 접속되며, 온도에 따른 전력반도체의 드레인-소스간 전압변동을 검출하기 위한 드레인-소스간 전압(Vds) 검출부; 상기 전력반도체의 소스 단자와 전기적으로 접속되며, 전력반도체의 보호 온도설정을 위한 기준전압 발생부; 상기 드레인-소스간 전압 검출부 및 기준전압 발생부와 전기적으로 각각 접속되며, 드레인-소스간 전압 검출부에 의해 검출된 전압변동값과 기준전압 발생부에 의해 발생된 기준전압과의 비교를 위한 비교부; 및 상기 전력반도체의 게이트 단자와 전기적으로 접속되며, 전력반도체의 안정적인 동작을 위하여 전력반도체의 게이트 신호를 일정시간 지연시켜 비교하도록 하는 지연회로부를 포함하여 구성된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 온도를 검출하기 위한 별도의 센서를 부착하지 않고 과열 보호기능을 첨가할 수 있고, 접지측 영향을 제거함으로써 전도 노이즈로 인한 오동작을 방지할 수 있으며, IPM의 스위칭 동작시 발생하는 스위칭 노이즈에 영향을 받지 않고 안정적으로 동작할 수 있다.
전력반도체, 온도검지-
公开(公告)号：KR1020060069720A
公开(公告)日：2006-06-22
申请号：KR1020040108391
申请日：2004-12-18
Applicant: 한국전기연구원
IPC: C23C16/32
Abstract: 본 발명에 따른 이중 가스 주입장치를 갖는 고온 화학 기상 증착 장치는, 반응실을 이루는 석영관; 그 내부에 박막성장을 위한 기판이 설치되며, 박막 성장을 위한 열을 발생하는 발열체; 발열체를 지지하는 한편 수소 및 원료가스의 발열체쪽으로의 유동 통로를 제공하는 지지대; 석영관의 몸체 외주에 권취되며, 발열체를 가열하기 위한 고주파 유도 가열용 코일; 석영관의 상부에 결합되며, 수소와 원료가스의 유출구가 마련되어 있는 반응실 상부 플랜지; 석영관의 하부에 결합되며, 수소 및 원료가스의 주입구가 마련되어 있는 반응실 하부 플랜지를 구비하는 고온 화학 기상 증착 장치에 있어서,
상기 반응실 하부 플랜지에는 박막 성장을 위한 원료가스와 상기 발열체 내부측의 압력 유지를 위한 수소의 주입을 위한 수소 및 원료가스 주입구와, 상기 수소에 의한 발열체 내부측의 압력에 상응하는 발열체 외부측의 압력 유지와 발열체 외부의 열화 방지 및 발열체로부터 석영관으로의 열전달을 억제하는 불활성 가스의 주입을 위한 불활성 가스 주입구가 각각 별도로 마련되고, 상기 지지대는 수소 및 원료가스를 상기 발열체쪽으로 유동하도록 하는 통로를 제공하되, 상기 수소 및 원료가스 주입구를 통해 주입된 수소와 원료가스가 오직 발열체의 내부측으로만 유동될 수 있도록 그 측면벽이 밀폐된 원형관 형태로 구성된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100482845B1
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：KR1020020049821
申请日：2002-08-22
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L29/47
Abstract: 본 발명은 두 개의 소자의 연결을 위한 접합 매개물이 불필요하고, 높은 항복 전압을 용이하게 구현할 수 있으며, 서어지 전류에도 쉽게 파괴되지 않는 탄화규소 백투백 쇼트키 장벽 다이오드 구조체를 제공하고자 한다.
본 발명에 따른 탄화규소 백투백 쇼트키 장벽 다이오드 구조체는 몸체의 중심부에 위치하는 것으로, 반도체 소자를 제조하기 위한 대상물질로서 모재를 이루는 탄화규소 단결정 기판; 탄화규소 단결정 기판의 상면 및 하면에 각각 형성되며, 항복 전압에 관여하는 상부 및 하부 탄화규소 에피탁시층; 및 상부 및 하부 에피탁시층의 표면에 각각 형성되며, 탄화규소와 쇼트키 특성을 보이는 한편 전극 역할을 수행하는 상부 및 하부 쇼트키 금속접합층을 포함하여 구성된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 한 개의 탄화규소 단결정 기판의 양쪽면에 쇼트키 금속접합층이 각각 형성되어 있는 구조로 되어 있으므로, 한 개의 소자로 두 개의 소자를 잇대어 붙인 것과 동일한 전기적 특성을 발휘할 수 있고, 오믹 접합이 필요하지 않아 제조공정을 줄일 수 있으며, 고장 확률을 낮추고, 높은 항복전압을 용이하게 구현할 수 있으며, 우수한 서어지 흡수능력을 발휘할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020170025743A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150122645
申请日：2015-08-31
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: 본발명은프로그래밍가능한전류제한회로및 그방법에관한것으로서, 1차측권선및 1차측보조권선과, 상기 1차측권선및 상기 1차측보조권선에유도결합되는 2차측권선을포함하는플라이백컨버터의전류제한회로에있어서, 상기 2차측권선의일단으로부터전달받은피드백전압과기설정된참고전압에기초하여소정의기준전압을생성하되, 상기기준전압은외부단자에인가되는전류에따라조정되도록하는기준전압생성부와, 상기기준전압과상기 1차측권선의일단에연결된스위칭소자에흐르는전류를검출한값을비교하여소정의전류제한신호를생성하는전류제어부와, 상기전류제한신호에기초하여상기스위칭소자의구동을위한게이트구동신호를출력하는구동신호생성부를포함하는것을특징으로한다. 이에따라, 플라이백컨버터 1차측에연결된스위칭소자의전류를일정수준이상이되지않도록제한해주기때문에플라이백컨버터의출력을안정적으로제어할수 있고, 별도의부가회로없이프로그래밍단자에연결된저항값을변경하는것만으로도컨버터의최대출력부하량을원하는값으로조절할수 있으므로회로를원하는부하량의범위내에서안정적으로제어할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020170006363A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020150096879
申请日：2015-07-08
Applicant: 한국전기연구원
IPC: G01R19/165 , H02M3/335
Abstract: 본발명은플라이백컨버터의출력전압감지회로및 감지방법에관한것으로서, 1차측권선과, 상기 1차측권선에유도결합되는 2차측권선및 2차측보조권선을포함하는플라이백컨버터의출력전압감지회로에있어서, 상기 1차측권선의일단에연결된스위칭소자의게이트전압신호의하강에지를감지하는하강에지감지부와; 상기 2차측보조권선의일단에인가되는피드백전압신호의변곡점을감지하는변곡점감지부와; 상기하강에지및 상기변곡점의감지여부에기초하여톱니파를생성하거나리셋하는톱니파생성부와; 생성된톱니파와상기피드백전압신호를합산한보정신호를생성하는신호합산부와; 상기게이트전압신호가오프상태일때 동작하여상기보정신호의피크값을검출하는피크값검출부와; 상기변곡점이감지되는시점에검출된상기피크값을다음변곡점이감지되기전까지유지하는 S/H 회로를포함하는것을특징으로한다. 이에따라, 플라이백컨버터의 2차측출력전압정보를가지는구간이항상피크값을유지하도록제어함으로써, 높은신뢰성을가지는출력전압정보를감지할수 있고, 레귤레이션특성이향상되어전체회로에서안정적인동작을할 수있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明的反激式涉及的输出电压检测电路和所述转换器的检测方法中，初级侧绕组和一个回扫转换器包括二次侧绕组和次级侧辅助绕组，其被感应地耦合到初级绕组电路的输出电压检测 下降沿检测单元，用于检测连接到初级绕组的一端的开关元件的栅极电压信号的下降沿; 拐点感测单元，用于感测施加到次级侧辅助绕组的一端的反馈电压信号的拐点; 下降沿和锯齿发生器产生一锯齿或复位检测是否转折点和的基础上; 信号求和单元，用于通过对生成的锯齿波和反馈电压信号求和来生成校正信号; 峰值检测器，用于当栅极电压信号断开时检测校正信号的峰值; 并且感测到用于保持在检测到拐点时检测到的峰值直到下一个拐点为止的S / H电路。 Yiettara，通过控制具有反激转换器的次级侧输出电压的信息，以便始终保持峰值，能够检测具有更高的可靠性的输出电压的信息的时间间隔，它改善了调节特性，从而可以在整个电路执行稳定的操作 这是有效的。
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公开(公告)号：KR101635741B1
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020140108901
申请日：2014-08-21
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H02M3/28
Abstract: 본발명은스위칭모드전원장치에관한것으로, 본발명의일면에따른스위칭모드전원장치는, 1차측권선과, 1차측권선과자기결합되는 2차측권선과, 2차측권선과연결되는출력단에서출력을간접적으로획득하기위한보조권선으로이루어지는스위칭모드전원장치에있어서, 기설정된제1 주파수를갖는클록신호와, 클록신호를기설정된펄스신호에따라출력함에따른대기모드신호와, 제1 주파수를기설정된정수비에따라체배함에따른제1 주파수보다낮은제2 주파수를가지는체배신호중 어느하나를보조권선을통해획득되는보조권선전압에기초하여선택하고, 선택된신호를이용하여 1차측권선에흐르는전류를제어하기위한스위칭소자를제어하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020160031592A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：KR1020140120973
申请日：2014-09-12
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L29/872 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/16 , H01L29/47
Abstract: 본발명은에피택셜층상에열산화막을갖는쇼트키배리어다이오드의제조방법에관한것이다. 본발명은, 일면에에피택셜층을갖는 SiC 기판을제공하는단계; 상기에피택셜층을산화분위기에서건식산화하고, NO 가스분위기에서열처리하여표면에열산화막을형성하는단계; 상기열산화막이형성된 SiC 기판의배면에오믹금속층을형성하는단계; 상기에피택셜층의일부를노출하는개구를형성하도록상기열산화막을패터닝하는단계; 및상기개구를충진하는쇼트키금속및 패드를형성하는단계를포함하는쇼트키배리어다이오드의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 낮은계면결함밀도를갖고이상적인다이오드계수를갖는쇼트키배리어다이오드를제조할수 있게된다.
Abstract translation: 本发明涉及在外延层上制造具有热氧化膜的肖特基势垒二极管的方法。 制造肖特基势垒二极管的方法包括：在其一个表面上提供具有外延层的SiC衬底的步骤; 在氧化气氛中干燥氧化外延层的步骤，在NO气体气氛中对外延层进行热处理，在热氧化膜的表面形成热氧化膜; 在其上形成有热氧化膜的SiC衬底的后表面上形成欧姆金属层的步骤; 图案化热氧化膜以形成暴露外延层的一部分的开口的步骤; 以及形成肖特基金属和填充开口的垫的步骤。 根据本发明，可以制造具有低界面缺陷密度和理想二极管系数的肖特基势垒二极管。
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