公开(公告)号：KR100859717B1

公开(公告)日：2008-09-23

申请号：KR1020070101626

申请日：2007-10-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  이용욱 ,  김봉준 ,  최성열 ,  윤선진

IPC: H01L29/08

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: A three terminal MIT(Metal Insulator Transition) switch, a switching system using the same switch, and a method for controlling a MIT of the same switch are provided to control easily a discontinuous MIT jump by adjusting a voltage applied to a control electrode. A three terminal MIT switch includes a two terminal MIT element(100), an inlet electrode(200), an outlet electrode(300), and a control electrode(400). The two terminal MIT element causes discontinuous MIT at a transition voltage. The inlet electrode and the outlet electrode are connected to both ends of the two terminals MIT element. The control electrode is connected to the inlet electrode. The control electrode has an external terminal separated from an external terminal of the inlet electrode. The MIT of the MIT element is controlled by the voltage and current applied to the control electrode.

Abstract translation: 提供三端子MIT（金属绝缘体转换）开关，使用相同开关的开关系统以及用于控制相同开关的MIT的方法，以通过调节施加到控制电极的电压来容易地控制不连续的MIT跳转。 三端MIT开关包括两端MIT元件（100），入口电极（200），出口电极（300）和控制电极（400）。 两端MIT元件在转变电压下引起不连续的MIT。 入口电极和出口电极连接到两个端子MIT元件的两端。 控制电极连接到入口电极。 控制电极具有与入口电极的外部端子分离的外部端子。 MIT元件的MIT由施加到控制电极的电压和电流控制。

公开(公告)号：KR100842287B1

公开(公告)日：2008-06-30

申请号：KR1020060125064

申请日：2006-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  채병규 ,  김현탁 ,  임정욱 ,  김봉준

IPC: C01G31/02 ,  C01G31/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: C01G31/02 ,  C01P2006/40 ,  H01L49/003

Abstract: 급격한 금속-절연체 전이 특성을 가진 V
2 O
3 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 VO
2 또는 V
3 O
7 중에서 선택된 어느 하나의 박막을 기판 상에 형성한다. 그후, 박막이 형성된 기판을 산소를 제거할 수 있는 환원분위기가 형성된 챔버 내에 장착하고, 챔버에 열을 가하여, 박막이 급격한 금속-절연체 전이를 하는 V
2 O
3 박막을 형성한다.
급격한 금속-절연체 전이, 환원분위기, 열처리

公开(公告)号：KR1020080013670A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：KR1020060128928

申请日：2006-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  최상국

IPC: G01R19/165

CPC classification number: G01R31/2641

Abstract: A circuit for measuring discontinuous metal insulator transition(MIT) continuously and an MIT sensor using the same circuit are provided to realize an image sensor used for a digital camera by sensing the intensity of light. A circuit for measuring discontinuous metal insulator transition(MIT) continuously includes a measured target unit(100), a power supply unit(800), a measuring unit(500), and a control unit. The measured target unit includes an MIT element(120) causing the discontinuous MIT in a transition voltage. The power supply unit applies a current or voltage of a predetermined pulse to the measured target unit. The measuring unit measures the discontinuous MIT of the MIT element. The control unit controls the power supply unit and the measuring unit. The measuring includes a microprocessor(700). The measured target unit includes a protection resistor(150). The power supply unit includes an operation amplifier. The measuring includes a comparator, an edge triggered flip-flop, or a sample holder(520).

Abstract translation: 提供用于连续测量不连续金属绝缘体转变（MIT）的电路和使用相同电路的MIT传感器，以通过感测光强来实现用于数字照相机的图像传感器。 用于测量不连续金属绝缘体转变（MIT）的电路连续地包括测量目标单元（100），电源单元（800），测量单元（500）和控制单元。 测量的目标单元包括使不连续MIT处于转变电压的MIT元件（120）。 电源单元向测量的目标单元施加预定脉冲的电流或电压。 测量单元测量MIT元件的不连续MIT。 控制单元控制供电单元和测量单元。 测量包括微处理器（700）。 测量的目标单元包括保护电阻器（150）。 电源单元包括运算放大器。 测量包括比较器，边沿触发触发器或样品保持器（520）。

公开(公告)号：KR1020080005049A

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：KR1020060125064

申请日：2006-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  채병규 ,  김현탁 ,  임정욱 ,  김봉준

IPC: C01G31/02 ,  C01G31/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: C01G31/02 ,  C01P2006/40 ,  H01L49/003

Abstract: A manufacturing method of V2O3 thin film is provided to obtain V2O3 thin film that shows abrupt metal-insulator transition suitable for manufacturing electrical element. A manufacturing method of V2O3 comprises steps of: forming thin film from one selected from VO2 and V3O7 on a substrate; placing the substrate having thin film in a chamber in a reductive atmosphere for removing oxygen; and applying heat to the chamber for forming V2O3 thin film which shows abrupt metal-insulator transition from the prepared thin film. The reductive atmosphere is formed from vacuum state, and is also formed from at least one selected from N2 gas, Ar gas and H2 gas. The applied temperature for heating in the chamber is 500-1,000deg.C. The ratio (R(TMIT-20K)/R(TMIT+20K)) of a resistance of the insulator and a resistance of the metal is 10-10^7. The V2O3 thin film shows metal-insulator transition at lower temperature than the ambient temperature. The manufacturing method optionally comprises a step of employing an element A for controlling the transition property to form (V1-xAx)2O3.

Abstract translation: 提供V2O3薄膜的制造方法，以获得适合于制造电气元件的突变金属 - 绝缘体转变的V2O3薄膜。 V2O3的制造方法包括以下步骤：在基板上从选自VO2和V3O7的一个薄膜形成薄膜; 将具有薄膜的基板放置在还原气氛中的室中以除去氧; 并向室内施加热量以形成从制备的薄膜突出的金属 - 绝缘体转变的V 2 O 3薄膜。 还原气氛由真空状态形成，也由选自N 2气体，Ar气体和H 2气体中的至少一种形成。 室内加热温度为500-1000℃。 绝缘体电阻和金属电阻的比（R（TMIT-20K）/ R（TMIT + 20K））为10-10 ^ 7。 V2O3薄膜在比环境温度低的温度下显示出金属 - 绝缘体的转变。 制造方法可选地包括采用元件A来控制转变特性以形成（V1-xAx）2O3的步骤。

公开(公告)号：KR1020070115571A

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020060125063

申请日：2006-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  채병규 ,  윤선진 ,  최성열 ,  이용욱 ,  임정욱 ,  최상국 ,  강광용

IPC: H01L29/84 ,  G01K7/00

CPC classification number: H01L49/003 ,  G01K3/005

Abstract: A rapid MIT(Metal-Insulator Transition) device, a MIT sensor using the device, and an alarm and a secondary battery explosion preventing circuit including the MIT sensor are provided to vary a transition temperature by changing an applied voltage or current. An MIT(Metal-Insulator Transition) thin film(300a) generates the rapid MIT at a transition temperature or a transition voltage. At least two electrode thin films(410a,420a) are comprised to be contacted to the rapid MIT thin film. A transition temperature and a transition voltage of the MIT device is changed by a temperature, a microwave, a pressure, a gas concentration or a voltage which is added to the electrode thin films.

Abstract translation: 提供快速MIT（金属绝缘体转换）装置，使用该装置的MIT传感器，以及包括MIT传感器的报警器和二次电池防爆电路，以通过改变所施加的电压或电流来改变转变温度。 MIT（金属 - 绝缘体转移）薄膜（300a）在转变温度或转变电压下产生快速MIT。 包括至少两个电极薄膜（410a，420a）以与快速MIT薄膜接触。 通过温度，微波，压力，气体浓度或添加到电极薄膜的电压来改变MIT器件的转变温度和转变电压。

公开(公告)号：KR100701159B1

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：KR1020060057086

申请日：2006-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  채병규 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진

IPC: H01L29/768 ,  H01L29/78 ,  H01L31/0248 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: A metal-insulator transition device is provided to restrain the damage of a conductive layer and to control properly the amount of current on the conductive layer by using an enhanced conductive layer structure composed of a plurality of conductive layers connected parallel with each other. A metal-insulator transition device comprises a first electrode(104) on a substrate(102), a second electrode, and at least one or more conductive layers. The second electrode(106) is spaced apart from the first electrode. The conductive layers(110) are used for connecting electrically the first and the second electrodes with each other. Each conductive layer has a predetermined width capable of being changed into a metallic state due to the transition of metal-insulator. The conductive layers are connected parallel with each other.

Abstract translation: 提供金属 - 绝缘体转换装置，以通过使用由彼此平行连接的多个导电层组成的增强导电层结构来适当地控制导电层的电流量，从而适当地控制导电层上的电流量。 金属 - 绝缘体转变装置包括在基底（102）上的第一电极（104），第二电极和至少一个或多个导电层。 第二电极（106）与第一电极间隔开。 导电层（110）用于将第一和第二电极彼此电连接。 每个导电层由于金属绝缘体的过渡而具有能够变成金属状态的预定宽度。 导电层彼此平行连接。

公开(公告)号：KR101746462B1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：KR1020110116466

申请日：2011-11-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  곽선신 ,  김준식

IPC: G05F3/16 ,  H02H9/02

CPC classification number: G05F3/02 ,  G05F3/16 ,  H02M2001/327

Abstract: 본발명은열 폭주현상을방지할수 있는현탁트랜지스터 (hyuntak Transistor)와고증폭과정전류를가능하게하는보조트랜지스터를이용한저발열고효율정전류회로이다. 본회로는발광다이오드및 모터의구동에적용될수 있다.

Abstract translation: 本发明是使用能够防止热失控现象的悬架晶体管（hyuntak晶体管）和能够进行电流放大处理的辅助晶体管的低发热高效率恒流电路。 该电路可应用于驱动发光二极管和电动机。

公开(公告)号：KR101438588B1

公开(公告)日：2014-09-15

申请号：KR1020100128380

申请日：2010-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준

IPC: H01L23/36 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L28/24 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0802 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00011

Abstract: 금속-반도체 융합 전자 회로 장치가 제공된다. 상기 금속-반도체 융합 전자 회로 장치는 반도체 소자, 상기 반도체 소자에서 발생되는 열에 비례하여 증가되는 저항을 갖는 금속저항 소자, 및 상기 반도체 소자와 상기 금속저항 소자를 직렬로 연결하고 상기 금속저항 소자보다 낮은 저항을 갖는 배선을 포함한다. 상기 열에 의하여 상기 반도체 소자의 저항은 감소하는 반면 상기 금속저항 소자의 저항은 증가하여 서로 상쇄도록 구성된다.

公开(公告)号：KR101439259B1

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：KR1020110019643

申请日：2011-03-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

Abstract: 본 발명에 의한 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 그 FET을 구비한 전기전자장치는 열에 의한 FET의 소스-드레인 간 전류 감소 문제를 효과적으로 해결하고, 또한, FET의 온도를 낮출 수 있는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 그 FET을 구비한 전기전자장치를 제공한다. 그 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터는 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET); 및 상기 FET의 표면 또는 발열 부분으로 부착되고, 회로적으로는 상기 FET의 게이트 단자에 연결되어 상기 게이트 단자의 전압을 가변시키는 게이트 제어 소자;를 포함하고, 상기 FET이 소정 온도 이상 상승 시에 상기 게이트 가변 소자에 의해 상기 게이트 단자의 전압이 가변되어 상기 FET의 소스-드레인 사이의 채널 전류가 제어된다.

公开(公告)号：KR101275805B1

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：KR1020090095129

申请日：2009-10-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  서기완

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/50 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 고온용 전도성 접착제(실버 페이스트 등)를 사용하지 않고 대면적 금속-절연체 전이(MIT) 물질인 VO
2 박막을 in-situ로 증착할 수 있는 기술에 관한 것이다. 고온에서 PLD(Pulsed Laser Deposition), sputter 등에 의해 금속-절연체 전이 물질인 VO
2 를 성장시킬 때 열전도를 좋게 하기 위하여 고온용 전도성 접착제를 통상적으로 사용하고 있다. 하지만 박막성장 시 접착제에 의한 오염과 박막성장 후 접착제의 제거 등 공정상의 문제점이 발생 된다. 본 발명은 고온용 전도성 접착제를 사용하지 않고, 박막성장 시 기판과 히터표면의 접착을 개선하여 상기의 문제점을 해결함으로써, 특성이 우수한 대면적 VO
2 박막을 기존방식보다 간단하게 성장시킬 수 있는 대면적 바나듐 산화물 박막 성장장치 및 그 성장장치에서의 대면적 산화물 박막 성장방법을 제공한다.
고온용 전도성 접착제, 인 시츄(in situ), 금속 절연체 전이, MIT, VO2, 바나듐 옥사이드, 대면적