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公开(公告)号：KR1020050064649A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030096221
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
CPC classification number: H04B10/299
Abstract: 광 클럭의 패턴 효과 및 시간 지터를 감소시킬 수 있는 완전광 클럭 재생 장치를 개시한다. 개시된 완전광 클럭 재생 장치는, 광 신호의 크기 및 편광 상태를 조절하는 광 신호 조절부, 상기 광 신호 조절부로부터 출력된 광 신호가 입력되어 광 클럭을 출력하는 레이저부, 및 상기 레이저부로부터 출력된 광 클럭의 위상 및 편광을 조절하여 상기 광 신호 조절부의 출력 광 신호와 함께 다시 레이저부에 상기 위상 및 편광이 조절된 광 클럭을 제공하는 광학적 재생 루프를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020050046121A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：KR1020030080118
申请日：2003-11-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F17/28
Abstract: 본 발명은 종결어휘와 피치를 이용한 문형정보 추출방법에 관한 것으로, 자동통역 장치의 음성인식 결과에 따른 종결어휘를 이용하여 1차적으로 문형정보를 추출하고, 2차적으로 음성으로부터 피치를 추출한 후, 종결어휘의 문형별 출현 빈도율과 조합하여 문형정보를 추출함으로서 보다 높은 정확률을 얻을 수 있다.
본 발명은 문형별 종결어휘 사전을 이용하여 음성인식 장치로부터 전달된 음성인식 결과에 따른 문형정보를 추출하는 1차 문형판단 단계와, 상기 1차 문형판단 단계에서 문형정보가 추출되었는가 판단하여, 상기 문형정보가 추출되었을 경우, 언어번역 장치로 상기 문형정보와 음성인식 결과를 전달하는 단계와, 상기 1차 문형판단 단계에서 문형정보가 추출되지 않았을 경우, 입력된 음성으로부터 피치를 검출하고, 문형별 출현 빈도율을 계산하는 단계 및 상기 문형별 출현 빈도율과 피치의 선형조합 방법에 의해 파라메터를 결정하여 문형정보를 추출하는 2차 문형판단 단계로 이루어진다.-
23.发明公开스트레인 분산 패드를 이용한 측면-테이퍼 도파로 제조방법과 이를 응용한 모드변환기 제조방법 및 그에 따른광소자 失效使用应变分布板制造侧面波导的方法以及使用其制造模式转换器的方法及其使用方法
公开(公告)号：KR1020020058606A
公开(公告)日：2002-07-12
申请号：KR1020000086719
申请日：2000-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/12004 , G02B2006/12176 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/2081
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a side-tapered waveguide by using a strain distributed pad is provided to save manufacturing costs and to increase the period of an assembly of the optical device. CONSTITUTION: A method for manufacturing a side-tapered waveguide by using a strain distributed pad includes steps of forming a waveguide layer(102) on a semi-finished substrate(101), forming a mask pattern(103a,103b) on the waveguide layer(102), etching the waveguide layer(102) by using the mask pattern(103a,103b) and a portion of the waveguide layer(102) corresponding to the strain distributed pad. In this method, the mask pattern(103a,103b) forming step is performed by a photolithography process using a contact lithography device. In this step, the mask has a side-tapered pattern gradually becoming thinner at both ends and connecting strain distributed pads to each of the ends.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用应变分布焊盘制造侧锥形波导的方法，以节省制造成本并增加光学装置的组装周期。 构成：通过使用应变分布焊盘制造侧锥形波导的方法包括以下步骤：在半成品基板（101）上形成波导层（102），在波导层上形成掩模图案（103a，103b） （102），通过使用掩模图案（103a，103b）和对应于应变分布焊盘的波导层（102）的一部分来蚀刻波导层（102）。 在该方法中，通过使用接触式光刻装置的光刻工艺进行掩模图案（103a，103b）形成步骤。 在该步骤中，掩模具有在两端逐渐变薄的侧锥形图案，并且将应变分布垫连接到每个端部。
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公开(公告)号：KR1020010057711A
公开(公告)日：2001-07-05
申请号：KR1019990061097
申请日：1999-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gain clamped semiconductor optical amplifier(SOA) is provided to constantly fix the intensity of carriers within a resonant with oscillation of a laser using a distributed Bragg reflector(DBR) lattice. CONSTITUTION: A method for manufacturing a gain clamped semiconductor optical amplifier(SOA) forms a passive waveguide layer(12) and an InP spacer(13) on a N-InP substrate(11). The first oxide layer(14) is formed on the InP spacer. The first oxide layer is selectively removed by patterning using electronic beam lithography to form a selective active layer growth mask pattern(16). A lattice pattern(17) and an active layer waveguide(18) are simultaneously formed by selective active layer growth using organic metal chemical vapor deposition. A mesa structure for growing a current shield layer(19) is formed on the resulting surface using light lithography. The current shield layer is grown by organic metal chemical vapor deposition. A n-InP buffer layer(19a) is formed on the entire surface including the current shield layer. The second oxide layer is formed on the n-InP buffer layer. The second oxide layer is patterned to form a metal electrode connected to the active layer waveguide.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造增益钳位的半导体光放大器（SOA）的方法，以使用分布式布拉格反射器（DBR）晶格在激光振荡的谐振中恒定地固定载流子的强度。 构成：制造增益钳位半导体光放大器（SOA）的方法在N-InP衬底（11）上形成无源波导层（12）和InP间隔物（13）。 第一氧化物层（14）形成在InP间隔物上。 通过使用电子束光刻的图案化选择性地去除第一氧化物层以形成选择性有源层生长掩模图案（16）。 通过使用有机金属化学气相沉积的选择性有源层生长，同时形成晶格图案（17）和有源层波导（18）。 使用光刻法在所得表面上形成用于生长电流屏蔽层（19）的台面结构。 电流屏蔽层通过有机金属化学气相沉积生长。 在包括电流屏蔽层的整个表面上形成n-InP缓冲层（19a）。 第二氧化物层形成在n-InP缓冲层上。 图案化第二氧化物层以形成连接到有源层波导的金属电极。
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公开(公告)号：KR100289043B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019980016754
申请日：1998-05-11
Abstract: PURPOSE: A vertical fluorescent integrated circuit is provided to perform simultaneously a light emitting function and a light receiving function by forming a laser diode and a photo diode into one device. CONSTITUTION: A lower resonator(3) is installed on a semiconductor substrate(1) in order to transmit an optical signal having a wavelength of 1.3 micro meter and receive an optical signal having a wavelength of 1.55 micro meter. An upper resonator(5) is laminated on the lower resonator(3). The upper resonator(5) is used for coupling and detecting the optical signals of 1.55 micro meter when a backward bias is applied. An auxiliary optical waveguide(12) is installed between the lower resonator(3) and the upper resonator(5) in order to prevent transmission of the optical signal of 1.3 micro meter to the upper resonator(5) or couple efficiently the optical signals of 1.33 micro meter. Cathodes(10,9) are formed on the substrate(1) and a metal contact layer(7), respectively. A common anode is formed on the optical waveguide(12).
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100248431B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019960062714
申请日：1996-12-07
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 종래의 0.98㎛ 반도체 레이저가 고출력으로 동작할 때 발생하는 열을 효과적으로 발산시켜 반도체 레이저의 온도에 따른 발진파장 변화를 감소시키고 양자효율을 증가시켜 반도체 레이저의 특성을 향상시킨 새로운 0.98㎛ 반도체 레이저의 구조에 관한 것으로, 활성층 좌우의 빛이 유도되지 않는 영역을 식각한 다음 반도체 레이저 칩을 솔더를 이용하여 칩고정용기판에 접속하고, 칩고정용기판에 열발산을 위한 TEC를 접속한 구조를 갖는 반도체 레이저를 제조하였다.
이에 의해 본 발명의 반도체 레이저는 리지(ridge) 좌우의 활성층 영역을 식각하여 열 발생의 주된 원인인 활성층과 금속층간의 거리를 좁혀준 새로운 형태의 방열구조를 제공하는 것에 의해 반도체 레이저의 효율이 향상되었다.-
公开(公告)号：KR100238422B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970032813
申请日：1997-07-15
IPC: H01L31/153 , H01L27/14
Abstract: 본 발명은 단파장 발광, 장파장 수광 및 단파장 광출력의 감시 기능이 단일 칩(chip) 내에 복합된 다기능 광소자의 구조에 관한 것으로서, 반도체 레이저(LD)의 빛이 광검출기(PD) 영역으로 전파하는 것을 방지하기 위해 LD 공진기의 한쪽 거울면으로서의 효과를 가지는 회절격자를 LD 영역의 일부에 형성하고, 단파장 LD와 장파장 PD 사이에 LD의 광출력을 흡수하여 검출하면서 동시에 LD의 빛이 PD 쪽으로 전파하는 것을 차단하는 m-PD의 영역을 삽입한 것을 특징으로 하며, 복합 기능 광소자는 1.3㎛ 파장의 광 신호 송신, 1.55㎛ 파장의 광 신호 수신 및 1.3㎛ 파장의 광 신호 세기 검출 기능을 동시에 수행함으로써, 광소자 여러개를 사용할때의 광통신 단말기의 구성이 복잡해지고 가격이 높아지는 것을 해소하고, 광 가입자망에서 전화국의 단말기를 구성하는 개별 LD, PD 및 m-PD 광소자를 대체할 수 있는 효과를 가진다.
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公开(公告)号：KR1019990043118A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064104
申请日：1997-11-28
IPC: H01S5/30
Abstract: 0.98㎛ 파장대에서 발진하는 반도체 레이저는 에르비움(Er)이 도핑된 광섬유 증폭기의 여기 광원으로 사용되고 있다. RWG(ridge waveguide)형 0.98㎛ 반도체 레이저를 고출력화 할 때 구동 전류에 대해 광출력이 선형 비례하지 않고 굴곡하는 킹크(kink) 현상과 광출력의 방향이 휘는 빔 스티어링(beam steering) 현상이 불가피하게 수반되어 여기 광원으로서의 활용성을 극히 저하시킨다. 본 발명에서는 기존의 고출력 0.98㎛ 반도체 레이저에 발생하는 킹크와 빔 스티어링을 억제시킨 새로운 구조의 RWG형 0.98㎛ 반도체 레이저 구조를 제공하고자 하며, 이를 달성하기 위한 본 발명의 0.98㎛ 반도체 레이저는 종래의 반도체 레이저가 20㎛ 정도의 폭을 가진 채널 사이에 형성된 3㎛∼5㎛ 폭의 단일 RWG로 구성되는데 반해, 채널로부터 그 아래 활성층을 관통하는 영역에 걸쳐 광 흡수 효과를 가지는 이온 주입(ion implantation) 공정을 부가함으로써 고차 횡모드의 발진을 억제하는 기능을 가진다. 즉, RWG형 반도체 레이저의 공진기에서 발진하려는 고차 횡모드를 채널 하부의 이온 주입된 활성층에서 흡수, 소멸시킴으로써 고차 횡모드 발진에 수반되는 킹크(kink)와 빔 스티어링beam steering)의 발생을 배제하여 광섬유가 부착된 여기 모듈로 제작되었을 때 모듈의 활용성을 높인다.
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公开(公告)号：KR100155507B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940035492
申请日：1994-12-21
IPC: H01L31/12
Abstract: 본 발명은 광결합 효율을 높이기 위하여 집적광학형 광도파로를 적용한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법에 관한 것으로 반도체 발광 소자에 외부 광통신 시스템과의 접속을 위한 광섬유(pigtail fiber)를 부착한 형태로 패키징하여 제작되는 발광모듈의 패키징에 있어서 가장 어렵고 비용이 많이 드는 부분은 발광 소자와 부착 광섬유 사이의 광결합의 공정이다.
본 발명은 기존 발광모듈 제작시 발생하는 발광 소자와 단일 모드 광섬유 사이의 정렬오차에 의한 영향을 배제하면서 동시에 광출력-입력 면적 차이를 작게 함으로써 광결합 효율을 높이기 위한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법으로서 발광 소자에 광섬유를 부착하여 발광 모듈로 제작함에 있어 여러개의 역 깔때기형 코어가 배치된 집적 광학형 광도파로를 발광 소자와 단일 모드 광섬유 사이에 삽입하여 이루어짐을 특징으로 하는 것이다.-
公开(公告)号：KR100144789B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019950017305
申请日：1995-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 오믹접촉층 상부의 전극이 서로 소정 거리 이격되고 오믹접촉층의 길이 방향과 수직을 이루는 다수 개의 빗살을 갖는 빗의 형상으로 형성하여 활성층에서 광을 불연속적으로 발생시키거나, 또는, 리지형태인 제3클래드층과 오믹접촉층의 폭을 주기적으로 다르게하여 활성층에서 광을 공진기의 폭(W1)(W2)에 따라 서로 다른 횡모드 분포를 갖도록 발생시켜 공진기의 가장자리 부분에서 상대적으로 높은 이득에 의해 중심 부분 보다 밝게되는 광을 공진기의 길이 방향으로 짧은 길이를 갖도록 유도한다. 따라서, 높은 차수의 횡모드에 대응하는 밝은 띠가 짧게 무질서하게 형성되거나 발진자체를 억제하여 공진기의 기본 횡모드만 여기시킴으로써 출력되는 광의 방사 패턴의 중심 축이 굴절되는 것을 방지하여 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.
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