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公开(公告)号：KR1020010026352A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990037637
申请日：1999-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
Abstract: PURPOSE: A device of flame hydrolysis deposition(FHD) for manufacturing a fiber-optic amplifier is provided to supply Eribum(Er) and Ytterbium(Yb) in the state of liquid through a pipe into the FHD reaction chamber to control the temperature. CONSTITUTION: In a device of flame hydrolysis deposition(FHD) for manufacturing fiber-optic amplifier, a supplier of reaction gas(11) supplies an FHD reaction chamber(12) with liquid reaction gas, inactive gas for transferring the liquid reaction gas and gas used for FHD. The liquid reaction gas undergoes FHD in a FHD reaction chamber(12). A thermostat(13) provides the FHD reaction chamber(12) with solid fuel evaporated by heat. An aerosol generator(14) provides the FHD reaction chamber with dissolved Erbium(Er) and Ytterbium(Yb).
Abstract translation: 目的：提供用于制造光纤放大器的火焰水解沉积装置（FHD），以通过管道将液体状态的Eribum（Er）和Yt（Yb）供应到FHD反应室中以控制温度。 构成：在用于制造光纤放大器的火焰水解沉积（FHD）装置中，反应气体供应商（11）向FHD反应室（12）供应液体反应气体，用于转移液体反应气体和气体的惰性气体 用于FHD。 液体反应气体在FHD反应室（12）中经历FHD。 恒温器（13）为FHD反应室（12）提供通过热量蒸发的固体燃料。 气溶胶发生器（14）为FHD反应室提供溶解的铒（Er）和镱（Yb）。
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公开(公告)号：KR100163738B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019940035167
申请日：1994-12-19
IPC: G02B6/35
CPC classification number: G02F1/011 , G02F1/0147 , G02F1/3136 , G02F2001/0113 , Y10T29/49016
Abstract: 본 발명은 히터 매립된 평면 도파로형 광스위치의 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판상에 하부 클래드층과 채널 도파로층을 연속적으로 형성하는 공정과, 상기 채널 도파로층의 상부에 마스크를 형성하는 공정과, 상기 마스크를 이용하여 상기 채널 도파로층을 식각하여 채널 도파로를 형성하고 상기 마스크를 제거하는 공정과, 상기 하부 클래드층과 상기 채널 도파로의 상부에 제1상부 클래드층을 형성하는 공정과, 상기 제1상부 클래드층 상부의 상기 채널 도파로에 대응하는 부분에 박막히터를 형성하는 공정과, 상기 제1상부 클래드층 및 상기 박막히터의 상부에 제2상부 클래드층을 형성하는 공정으로 구성되어, 박막히터에서 발생되는 열이 인접하는 채널 도파로에 전달되는 것을 억제하여 이웃하는 채널 도파로들 사이의 누화 현상을 방지� � 수 있는 잇점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019970048647A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950051473
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용되는 수동부품을 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하고 광회로를 구현하기 위한 유리막 형성방법에서 실리콘 기판위에 저손실의 실리카 도파로를 제조하기 위하여 화염의 저온화와 안정한 화염 발생을 위한 저온 화염가수분해증착장치의 가스조절 시스템에 관한 것으로 기존의 FHD방법에서 고온화염으로 인한 문제는 첫째로는 기판과 화염이 직접 접촉하는 공정으로 상온의 기판에 일부분을 접촉하기 때문에 열분포의 불균형이 발생할 수 있고, 둘째로는 화염의 온도가 산화물 미립자의 녹는 온도와 유사하여 버너에 구성되어 있는 석영관 내부에 유리녹음현상이 발생되어 공기중의 이물질과 접촉하여 미립자증착층에 치명적인 오염을 유발시킬 수 있다.
이와 같은 문제점을 개선하기 위하여 본 발명에서는 종래의 FHD방법에서 발생되는 복굴절, 기판의 휨(Bowing)현상과 이러한 결함에 의한 손실문제를 근본적인 개선하여 향후 광통신망에서 사용될 도파로형 광수동부품의 질적 향상을 이룰 수 있도록 하며, 또한 FHD법에서 사용되는 액체원료와 화염형성 연료가스를 저온화에 중점을 두고 고온 화염에서 발생되는 열불균형과 석영관내 증착등의 상기한 문제점을 극복하고 극저손실 실리카 도파로를 제조하도록 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템에 관한 것임.-
公开(公告)号：KR1019970048646A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950050103
申请日：1995-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용되는 수동부품을 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하고 광회로를 구현하기 위한 저온화염가수분해증착장치의 반응토치에 관한 것으로 종래의 FHD 방법은 첫째 기판과 화염이 직접 접촉하는 공정으로 상온의 기판에 일부분을 접촉하기 때문에 열분포의 불균형이 발생할 수 있고, 둘째, 화염의 온도가 산화물 미립자의 녹는 온도와 유사하여 토치에 구성되어 있는 석영관내부에 유리녹음현상이 발생되어 공기중의 이물질과 접촉하여 미립자 증착층에 치명적인 오염을 유발시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 종래의 FHD 방법에서 발생되는 손실문제를 근본적으로 개선하고, 향후 광통신망에서 사용될 도파로형 광수동부품의 질적향상을 위한 것으로 도파로형 광부품을 제조하기 위한 FHD 반응시스템에서 화염을 일으키며 화염의 형성점과 종방향의 균일한 성막을 위하여 앵글회전과 상하좌우 이동이 가능하도록 Step Moter에 의해 구동되며 석영관을 정밀 가공된 테프론 홀더블럭에 구성하여 오염여부나 동축형성의 불일치를 실시간에 보수 및 보정하도록 하고, 반응가스의 정밀한 제어와 더불어 중요한 역할을 하며, 원료의 반응온도를 낮추는 기능을 갖도록 한 No Shield 구조로 구성된 저온 화염가수분해증착장치의 반응토치에 관한 것임.-
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019960004904B1
公开(公告)日：1996-04-17
申请号：KR1019920024318
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B29/42
Abstract: The method of growing GaAs on a porous silicon substrate includes the steps of forming a porous layer(2) on a silicon substrate(1) containing impurities, and trimethyl gallium and AsH3 gas are alternately sprayed to the porous layer(2) on the silicon substrate(1) using ALE and UHVCVD apparatuses, thereby forming a GaAs thin film(3) which is an epitaxial layer.
Abstract translation: 在多孔硅衬底上生长GaAs的方法包括在含有杂质的硅衬底（1）上形成多孔层（2）的步骤，并将三甲基镓和AsH 3气体交替地喷射到硅上的多孔层（2）上 基板（1）使用ALE和UHVCVD装置，从而形成作为外延层的GaAs薄膜（3）。
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公开(公告)号：KR1019960004590B1
公开(公告)日：1996-04-09
申请号：KR1019920024319
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/18
Abstract: The surface stabilizing method of a porous silicon substrate is characterized by forming a porous layer on the other side of the silicon substrate doped with an impurity and formed with a positive electrode on the one side of the substrate, (b) removing the positive electrode, (c) spraying a trimethyl gallium and an arsine gas to the other side of the substrate at 400˜500deg. C, and (d) depositing a surface stabilizing layer of gallium arsenic(GaAs) compound on the other side of the substrate by the automatic layer epitaxy(ALE) process.
Abstract translation: 多孔硅衬底的表面稳定化方法的特征在于在掺杂有杂质的硅衬底的另一侧上形成多孔层，并在衬底一侧形成正极，（b）去除正极， （c）以400〜500度将三甲基镓和胂气体喷射到基材的另一侧。 C，和（d）通过自动层外延（ALE）工艺在衬底的另一侧上沉积砷化镓（GaAs）化合物的表面稳定层。
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