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公开(公告)号：KR1020140146467A
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：KR1020130069249
申请日：2013-06-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: A light emitting diode according to the present invention includes a substrate, an n-type semiconductor layer which is located on the substrate, an active layer which is located on the n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer which is located on the active layer, a first electrode which is located on the p-type semiconductor layer and is made of metal-oxide, a second electrode which is located on the first electrode and is made of graphene, a p-type electrode which is located on the second electrode, and an n-type electrode which is located on the n-type semiconductor layer. The work function of the first electrode is smaller than the work function of the p-type semiconductor layer and is greater than the work function of the second electrode.
Abstract translation: 根据本发明的发光二极管包括衬底，位于衬底上的n型半导体层，位于n型半导体层上的有源层，位于第n型半导体层上的p型半导体层 有源层，位于p型半导体层上并由金属氧化物制成的第一电极，位于第一电极上并由石墨烯制成的第二电极，位于第一电极上的p型电极 第二电极和位于n型半导体层上的n型电极。 第一电极的功函数小于p型半导体层的功函数，大于第二电极的功函数。
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公开(公告)号：KR1020140082439A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020120152407
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05K3/1258 , H05K1/097 , H05K2201/0323 , H05K2201/09036 , H05K2203/095
Abstract: Disclosed is a method for forming a graphene pattern. The forming method thereof includes a step of forming a fine pattern defined by at least one trench on a substrate; a step of coating the fine pattern with a graphene solution; and a step of selectively forming a graphene layer on the fine pattern coming into contact with the graphene solution.
Abstract translation: 公开了一种形成石墨烯图案的方法。 其形成方法包括在衬底上形成由至少一个沟槽限定的精细图案的步骤; 用石墨烯溶液涂覆精细图案的步骤; 以及在与石墨烯溶液接触的微细图案上选择性地形成石墨烯层的步骤。
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公开(公告)号：KR1020170049366A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020160078800
申请日：2016-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: 본발명은광결합시스템및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른광결합시스템은, 기판, 상기기판상에형성되는광도파로, 상기광도파로상에형성되는결합기및 제1 그래핀을발광시켜광 신호를발생하는그래핀광원을포함하고, 상기그래핀광원으로부터발생된광 신호는상기결합기를통해상기광도파로로전달될수 있다.
Abstract translation: 光耦合系统及其制造方法技术领域本发明涉及一种光耦合系统及其制造方法。 根据本发明，该系统包括一基板，一石墨烯光源，用于通过发射组合器和第一石墨烯在光波导形成产生光信号的一个实施例的光耦合，形成在所述基板上的光波导 并且从石墨烯光源产生的光信号可以通过耦合器传输到光波导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170019307A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020160029510
申请日：2016-03-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른가스센서는기판과, 상기기판상에제공된절연층과, 상기절연층상에배치된제1 활성층과, 상기절연층상에배치되며상기제1 활성층의일부와이종접합(heterojunction)한제2 활성층과, 상기제1 활성층상에배치되며일정간격이격된제1 전극과제2 전극, 및상기제2 활성층상에배치되며일정간격이격된제3 전극과제4 전극을포함하고, 상기제1 활성층과상기제2 활성층은서로상이한물질을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160027404A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140114013
申请日：2014-08-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C12Q1/686 , B01L7/52 , B01L2200/12 , B01L2300/0654 , B01L2300/0816 , B01L2300/1827 , G01N21/6486 , G01N2201/0231 , H05B3/145 , H05B3/42 , H05B2203/013 , H05B2203/037 , C12M1/38 , C01B32/05 , C12Q1/68
Abstract: 유전자증폭및 검출장치는내부에형성된챔버를포함한유전자증폭칩; 상기챔버내에충진되고, 형광물질을포함하는반응액; 상기유전자증폭칩의일 측에위치된광원; 상기유전자증폭칩의타 측에위치된광 검출기; 및상기반응액을가열하도록, 상기유전자증폭칩의내부또는외부에형성된그래핀히터를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明，基因扩增和检测装置包括：基因放大芯片，其包括内部形成的室; 反应溶液，其填充室并包括荧光材料; 布置在基因放大芯片一侧的光源; 布置在所述基因放大芯片的另一侧的光检测器; 以及在基因放大芯片的内部或外部形成石墨烯加热器，以加热反应溶液。 本发明的基因扩增和检测装置进行热循环以使用石墨烯加热器放大基因，并通过穿过石墨烯加热器和反应溶液的光路检测基因。
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公开(公告)号：KR1020150093977A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020140014679
申请日：2014-02-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01B13/00
CPC classification number: H01L21/02628 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/1606 , H01L29/24 , H01L29/778
Abstract: 본 발명은 이차원 물질들을 화학적으로 박리(exfoliation)하여 원하는 위치에 배치하여 접합 전자 소자를 제작하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 기판의 표면을 표면처리하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴이 형성된 기판 상에 이차원 물질 조각을 용해시킨 액체 용액을 분사하여 이차원 물질을 전사하는 단계; 기판 상에 배치된 이차원 물질 양쪽에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 형성된 제 1 전극위에 유전체층을 형성하는 단계; 및 상기 유전체층 위에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 이와 같은 방법을 통해 특정 기판 위에 선택적으로 이차원 물질 만을 배치할 수 있어 다양한 이차원 물질 기반 접합 소자를 용이하게 제작할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过化学去除二维材料并将其布置在所需位置来制造结电装置的方法。 该方法包括：通过处理衬底的表面形成图案的步骤; 通过将二维材料片溶解在其上形成有图案的基板上的液体溶液来转印二维材料的步骤; 在布置在基板上的二维材料的两面上形成第一电极的步骤; 在形成的第一电极上形成电介质层的步骤; 以及在所述电介质层上形成第二电极的步骤。 通过上述方法，仅通过选择性地在特定基板上排列二维材料，可以容易地制造基于各种二维材料的接合装置。
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公开(公告)号：KR1020150082728A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：KR1020140001435
申请日：2014-01-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01J1/02
CPC classification number: H01L31/028 , G02B6/12004 , G02B6/1226 , G02B2006/12123 , H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L31/09 , Y02E10/547
Abstract: 본발명은광검출기에관한것이다. 본발명의광검출기는제 1 유전체층, 제 1 유전체층의상부에형성된그래핀광 전송선로, 제 1 유전체층의상부에형성되고, 그래핀광 전송선로를따라전송되는광을검출하는그래핀광검출기, 그래핀광검출기상부에형성된전기배선들, 그래핀광검출기의양 끝단에위치하고, 전기배선들이연결되는금속패드들, 및그래핀광 전송선로의상부에형성된제 2 유전체층을포함하고, 상기그래핀광검출기는상기그래핀광 전송선로의표면에수평방향으로입사되는광의세기를검출한다.
Abstract translation: 本发明涉及光检测器。 本发明的光检测器包括：第一电介质层; 形成在第一电介质层的上部的石墨烯光传输路径; 石墨烯光学检测器，形成在第一电介质层的上部，并检测沿着石墨烯光传输路径传输的光; 形成在石墨烯光学检测器的上部的电线; 金属垫放置在石墨烯光学检测器的两端，并与电线连接; 以及形成在石墨烯光传输路径的上部的第二电介质层。 石墨烯光学检测器检测在水平方向上发射到石墨烯光传输路径的表面的光的强度。
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公开(公告)号：KR1020140107968A
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020130022261
申请日：2013-02-28
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C01B31/0484 , C01B32/194 , B41M5/10 , B41F16/0073 , B82B3/0095
Abstract: A method for transferring graphene is provided. A method for transferring graphene, according to an embodiment of the present invention, includes the steps of: forming a graphene layer by synthesizing graphene on a base layer; depositing a self-assembled monolayer on the graphene layer; and separating a combination layer comprising the self-assembled monolayer and the graphene layer from the base layer.
Abstract translation: 提供了转移石墨烯的方法。 根据本发明的实施例的转移石墨烯的方法包括以下步骤：通过在基层上合成石墨烯来形成石墨烯层; 在石墨烯层上沉积自组装单层; 以及从基层分离包含自组装单层和石墨烯层的组合层。
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