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公开(公告)号：KR101208044B1
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：KR1020090081983
申请日：2009-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00 , G02F1/1335
Abstract: 본발명은백라이트유닛에포함되는도광판의제조방법및 이에의해제조된도광판을제공한다. 이방법은, 투명한평판의일면상에표면거칠기가큰 폴리머박막을형성함으로써, 후속의마이크로렌즈형성용액의젖음성(wettability)이떨어지게되어, 최종적으로형성되는마이크로렌즈의평균폭이작으며, 편평비(aspect ratio)가커지게된다. 이로써도광판의광손실을줄일수 있으며도광판의제조단가를낮출수 있다.
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公开(公告)号：KR101046336B1
公开(公告)日：2011-07-05
申请号：KR1020090051308
申请日：2009-06-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 윤두협
IPC: G02B6/00 , G02F1/1335 , H01L33/48
Abstract: 본 발명에 따르면 직접 프린팅 기술 중의 하나인 근접장 전기방사법을 이용하여 도광판의 하부에 반사 패턴을 균일하게 일체로 형성할 수 있으므로, 상기 반사 패턴의 형성 및 수정에 소요되는 시간 및 비용을 획기적으로 감소시킬 수 있으며, 상기 반사 패턴에 의해 상기 도광판 하부로 방출되는 광손실을 크게 감소시킬 수 있다.
반사 패턴, 일체, 도광판, LED, 조명, 근접장 전기방사법, 아크릴 모노머, 아크릴 중합체, PMMAAbstract translation: 你可以使用在直接打印技术的近场电纺过程中的一个根据本发明以均匀的反射图案的光管的底部一体地形成，以减少反射图案的形成和修改显着所需的时间和成本 并且由反射图案发射到导光板下部的光损失可以大大降低。
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公开(公告)号：KR100981733B1
公开(公告)日：2010-09-14
申请号：KR1020080014949
申请日：2008-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 전기방사법을 이용하여 나노 구조체를 원하는 장소에 원하는 형태로 배열하는 방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 방법은 무기 나노 소재를 유기 용제 중에 혼합하여 유-무기 혼합 용액을 준비하는 단계; 유-무기 혼합 용액을 전압이 인가된 상태로 분사 노즐로부터 토출시키는 단계; 및 분사 노즐로부터 하전된 토출물을 접지 특성을 갖는 콜렉터에 의해 정렬시키면서 증착시키는 단계를 포함한다. 이런 방법으로 제조된 정렬된 유-무기 나노 복합체는 그 상태로 또는 유기물이 제거된 무기 나노 구조체로 유기 박막 트랜지스터의 활성층 및 생화학 센서의 검출 소재로 사용될 수 있다.
전기방사법, 유-무기 나노 복합체, 바이오 생화학센서, 활성층, 검출-
公开(公告)号：KR1020100071424A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080130132
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L51/0012
Abstract: PURPOSE: A method for forming a fine pattern of a self aligned polymer film is provided to easily form the fine pattern of the polymer film by coating a second polymer material with a preset surface energy different from a first polymer material on a substrate. CONSTITUTION: A first polymer pattern(210) is spread on a substrate(200) by coating a first polymer material. A second polymer(P2) with the preset surface energy different from the first polymer is coated on a substrate. The second polymer material is de-wetted on the first polymer film pattern. A substrate with the second polymer material is thermally processed. A second polymer film pattern is formed on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成自对准聚合物膜的精细图案的方法，以通过以与基材上的第一聚合物材料不同的预设表面能涂覆第二聚合物材料来容易地形成聚合物膜的精细图案。 构成：通过涂覆第一聚合物材料将第一聚合物图案（210）铺展在基底（200）上。 具有与第一聚合物不同的预设表面能的第二聚合物（P2）涂覆在基材上。 第二聚合物材料在第一聚合物膜图案上脱湿。 具有第二聚合物材料的基底被热处理。 在基板上形成第二聚合物膜图案。
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公开(公告)号：KR1020100063598A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090021592
申请日：2009-03-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B82Y10/00 , B82Y15/00
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/53 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , H01L29/786
Abstract: PURPOSE: A biosensor of transistor structure and a manufacturing method thereof are provided to increase reactivity and a hydrophilic property between an antigen and antibody by forming a channel area of the transistor into a hydrophilic nanoparticle and an active Polymer sensing the antigen-antibody reaction. CONSTITUTION: A gate electrode(102) is formed on a substrate. A gate insulating layer(103) is formed on the gate electrode. A source and a drain electrode(104) are formed on the gate insulating layer. A channel area is formed between the source and the drain electrode. The channel area includes an active layer(105) and an active poly sensing an antigen-antibody reaction. The active layer is formed by using a hydrophilic nanoparticle.
Abstract translation: 目的：提供晶体管结构的生物传感器及其制造方法，以通过将晶体管的沟道面形成亲水性纳米粒子和检测抗原 - 抗体反应的活性聚合物来提高抗原与抗体之间的反应性和亲水性。 构成：在基板上形成栅电极（102）。 在栅电极上形成栅极绝缘层（103）。 源极和漏极（104）形成在栅极绝缘层上。 在源极和漏极之间形成沟道区。 通道区域包括活性层（105）和活性聚感测抗原 - 抗体反应。 活性层通过使用亲水性纳米颗粒形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100734830B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050048868
申请日：2005-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01M2/34
CPC classification number: H01M2/34 , H01M2/348 , H01M10/052 , H01M10/443 , H01M2200/00 , H01M2200/106
Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막-
公开(公告)号：KR1020060093266A
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：KR1020050111882
申请日：2005-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L49/003 , H01L27/0248
Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로-
公开(公告)号：KR100609699B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020040055096
申请日：2004-07-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/1625
Abstract: 본 발명의 급격한 금속-절연체 전이 반도체물질을 이용한 2단자 반도체 소자는, 제1 전극막과, 제1 전극막 위에 배치되는 2eV 이하의 에너지 갭과 정공 준위내의 정공을 갖는 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막과, 그리고 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막 위에 배치되는 제2 전극막을 구비한다. 이에 따르면 제1 전극막 및 제2 전극막 사이에 인가되는 전계에 의해 상기 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막에서는 구조적 상전이가 아닌 정공 도핑에 의한 급격한 금속-절연체 전이가 발생한다.
금속-절연체 전이, 반도체 소자, 온도센서, 광전센서, 메모리 소자-
公开(公告)号：KR100576703B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020030074115
申请日：2003-10-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: 본 발명은 340 K(68 ℃) 부근에서 절연체로부터 금속으로의 상전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 가지는 VO
2 (Vanadium Dioxide) 박막을 채널 층 재료로 이용한 금속-절연체 상전이 스위칭 소자 제작에 관한 것이다. 이 트랜지스터는 실리콘 기판, 실리콘 기판위에 위치하는 바닥 게이트 방식의 게이트, 게이트 위에 위치하며 일정 전압 인가에 의하여 정공(hole)을 VO
2 박막에 유기시키고 열적으로 안정한 특성을 가지는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 위치한 VO
2 채널 층, 및 VO
2 채널 층 좌우에 전기적으로 연결된 소스(Source) 및 드레인(Drain)을 포함하고 있다. 그리고, 게이트에 높은 전압을 인가할 경우에 소자 내부에서 발생되는 열에 의하여 소자 특성이 저하되는 것을 방지함으로써, 큰 전류 이득을 얻을 수 있도록 설계된 것이 특징이다. 그리고 상기 구성을 갖는 제작된 트랜지스터의 IV 특성 측정에서 높은 전류 이득이 최초로 관측 되었다.
VO2 채널 층, 모트(mott) 전계효과 트랜지스터, 고 전류 이득형 트랜지스터, 열전도-
公开(公告)号：KR1020050038834A
公开(公告)日：2005-04-29
申请号：KR1020030074115
申请日：2003-10-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: 본 발명은 340 K(68 ℃) 부근에서 절연체로부터 금속으로의 상전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 가지는 VO
2 (Vanadium Dioxide) 박막을 채널 층 재료로 이용한 금속-절연체 상전이 스위칭 소자 제작에 관한 것이다. 이 트랜지스터는 실리콘 기판, 실리콘 기판위에 위치하는 바닥 게이트 방식의 게이트, 게이트 위에 위치하며 일정 전압 인가에 의하여 정공(hole)을 VO
2 박막에 유기시키고 열적으로 안정한 특성을 가지는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 위치한 VO
2 채널 층, 및 VO
2 채널 층 좌우에 전기적으로 연결된 소스(Source) 및 드레인(Drain)을 포함하고 있다. 그리고, 게이트에 높은 전압을 인가할 경우에 소자 내부에서 발생되는 열에 의하여 소자 특성이 저하되는 것을 방지함으로써, 큰 전류 이득을 얻을 수 있도록 설계된 것이 특징이다. 그리고 상기 구성을 갖는 제작된 트랜지스터의 IV 특성 측정에서 높은 전류 이득이 최초로 관측 되었다.
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