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公开(公告)号：KR100233833B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019960048947
申请日：1996-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L29/66446 , H01L29/66977 , H01L29/772 , Y10S438/962
Abstract: 본 발명은 여러개의 온/오프(on/off) 상태를 갖는 다기능 트랜지스터 소자를 제작하기 위해 전자의 회절성을 2차원 전자 기체에 구현하는 것으로, 특히 전자의 통로에 반사 회절 그레이팅(grating) 모양의 구조를 삽입함으로써, 전자의 회절현상을 이용하여 드레인 전류의 크기를 조절하고, 여러개의 온/오프 상태를 갖는 양자 회절 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019990046907A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065066
申请日：1997-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 산화물 기판을 사용하여 산소의 분위기내에서 실리콘을 원재료로 하는 분자선 단결정 제조기법을 이용하여 산화물을 균일하게 성장시킨 다음, 계속하여 산소 분위기의 압력을 점차로 줄여감에 따라 산화물과 실리콘의 혼합계면을 성장시킨 후, 그 혼합 계면위에 계속하여 실리콘 분자선 단결정 제조 기법을 이용하여 일정 두께의 실리콘 단결정을 성장하므로써 실리콘층이 매우 균일하고 불순물의 농도가 작은 SOI 기판을 제조한다.
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公开(公告)号：KR100150533B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019950047406
申请日：1995-12-07
IPC: H04L12/861 , H04L12/933 , H04L12/70
Abstract: 본 발명은 공중전화망(PSTN) 가입자 연동용 비동기전달모드(ATM) 스위치 정합 장치에 관한 것으로, 사용자 셀 버퍼링 수단(12); 셀계수수단(13); ATM셀 송수신수단(14); ALI(Application Link Interface)수단(15); 루프백 선택수단(29); VME버스 제어수단(22); 클럭수신수단(27)을 구비하며, 기존의 TDM채널에 실린 사용자 정보를 ATM셀로 변환하는 셀 분해조립 기능, ATM셀 헤드 정보 삽입/삭제 및 호제어 신호의 변환 기능에 의하여, 변환된 ATM 셀의 ATM 스위치간 송수신 기능을 제공하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019980028589A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960047705
申请日：1996-10-23
IPC: H04L12/26 , H04L12/801 , H04L12/70
Abstract: 본 발명은 단말 대 단말 사이에서 기존망(PSTN, N-ISDN)과 ATM망과의 연동시 요구되는 기능 중 AAL 형태 1 헤더의 SN값을 이용하여 데이터의 투명성을 보장해주는 방법에 관한 것으로, 셀의 순서가 정상인지 손실이 발생하였는지, 또는 오삽입되었는지를 판단하여 오삽입된 셀의 데이터는 버리고 손실이 발생하면 발생한 셀의 수만큼 더미셀을 발생시켜 원래 데이터의 구조를 유지하게하여 서비스의 품질이 크게 저하되는 것을 방지할 수 있는 방법이다. 본 발명의 특징을 요약하면, 셀의 정상여부를 판단하는 알고리즘의 구조가 간단하고, 논리소자를 이용하여 구성할 수 있으며, 가변비트율 서비스 및 영상신호뿐만 아니라 존재가능한 모든 서비스의 ATM망 연동시에도 이용할 수 있도록 기능화시켜 범용성이 있도록 구성한 점을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100137601B1
公开(公告)日：1998-04-28
申请号：KR1019940023653
申请日：1994-09-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/80 , H01L29/205 , H01L29/68
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L29/66977
Abstract: 본 발명은 주기적인 게이트 폭의 변화를 갖는 양자간섭 트랜지스터에 관한 것이다. 전자의 파동성은 전자의 파장으로 표시되며 이 파장은 전자의 밀도 즉, 게이트 전압과 밀접한 관계가 있다. 트랜지스터의 구조에서 게이트를 주기적인 변화 폭을 갖도록 제작하여, 두가지의 전자통로 사이에 전자의 위상차를 만들어 준다. 이러한 위상의 차이에 따라 소스와 드레인 사이의 전자는 파동과 같이 간섭현상을 일으킨다. 이러한 간섭현상은 소스와 드레인 사이의 전류의 크고 작음으로 나타나며, 이 전류의 변화는 게이트의 전압으로 조절할 수 있다. 게이트 전압에 의한 전자의 양자간섭 현상에 의하여 드레인 전류의 크기는 고전적으로 생각되는 전류의 크기보다 크거나 작게되는 간섭 현상이 나타나게 되어, 기존의 동작영역에서 트랜스컨덕턴스는 증가되며, 여러가지 게이트 전압에 따른 드레인 전류의 극대/극소화 현상의 다기능성이 나타난다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100129133B1
公开(公告)日：1998-04-07
申请号：KR1019940016751
申请日：1994-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/304
Abstract: A method of processing the surface of a GaAs substrate includes the steps of introducing NH3 gas into a predetermined chamber in high-degree vacuum state, in which the GaAs substrate cleaned is being loaded, ionizing the NH3 gas according to plasma generation to form excited nitrogen atoms, heating the GaAs substrate to allow the As ion to be activated to form GaN on the GaAs substrate. When the GaAs is heated up to above 500 deg C, as atoms are out of the surface of GaAs. The excited nitrogen atoms replace the location of the GaAs, from which the As ion is escaped, to form GaN having a wide bandgap on the GaAs.
Abstract translation: 一种处理GaAs衬底表面的方法包括以下步骤：将NH 3气体引入到高度真空状态的预定室中，其中清洗的GaAs衬底被加载，根据等离子体产生电离NH 3气体以形成激发的氮 原子，加热GaAs衬底以允许As离子被激活以在GaAs衬底上形成GaN。 当GaAs被加热到高于500℃时，原子离开GaAs的表面。 激发的氮原子取代GaAs离子的位置，从而形成GaAs上具有宽带隙的GaN。
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公开(公告)号：KR1019960027738A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940037000
申请日：1994-12-23
IPC: H04L12/433
Abstract: 본 발명은 가상채널과 가상경로를 동시에 처리할 수 있는 ATM(Asynchronous Transfer Mode) VP/VC(Virtual Path/Virtual Channel) 교환시스템에서 가상경로와 가상채널의 운용유지보수를 목적으로 사용되는 OAM(Operation, Administration ＆ Maintenance) 셀의 분리를 위한 ATM VP/VC 교환시스템에서의 OAM 셀 구별 장치 및 방법에 관한 것으로, 교환단위인 가상채널과 가상경로의 구별뿐만 아니라 VP/VC 교환기의 역할에 따라 달라지는 F4 및 F5 OAM 셀의 처리를 위하여 VP/VC 교환기의 가상경로상에서의 역할(VP 링크연결점 또는 VPC 종단점)과 가상채널상에서 역할(VC 링크연결점 또는 VCC 종단점)을 구별할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019950007349B1
公开(公告)日：1995-07-10
申请号：KR1019920006000
申请日：1992-04-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: The method includes the steps of sequentially forming a Si3N4 layer (2) and a SiO2 layer (3) on a Si substrate (1), forming and patterning a polymethyl methacrylate layer (4) on the layer (3) to form an aperture, isotropically etching the exposed layer (3) to deposit a thin Si film (5) thereon to lift-off the layer (4) to remove the layer (3) to heat-treat the substrate, forming a SiO2 layer (6) thereon to apply and pattern a polymethyl methacrylate thereon to etch the layer (6), depositing and lifting-off an Al film to form a gate and a gate pad and forming an aperature, thereby forming a simple over hang structure to improve the process yield.
Abstract translation: 该方法包括在Si衬底（1）上顺序地形成Si 3 N 4层（2）和SiO 2层（3）的步骤，在层（3）上形成和图案化聚甲基丙烯酸甲酯层（4）以形成孔， 各向同性蚀刻暴露层（3）以在其上沉积薄Si膜（5）以剥离层（4）以去除层（3）以热处理基板，在其上形成SiO 2层（6） 施加和图案化聚甲基丙烯酸甲酯以蚀刻层（6），沉积和剥离Al膜以形成栅极和栅极焊盘并形成温度，由此形成简单的过悬挂结构以提高工艺产率。
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