公开(公告)号：KR100740235B1

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：KR1020050096439

申请日：2005-10-13

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  프라운호퍼 인스티튜트 포 컴퓨터 그라픽스 리서치

Inventor： 최상수

IPC: G06F9/455 ,  G06F9/00

Abstract: 본 발명은 3차원 데이터 변환 방법에 관한 것으로서, 변환대상 데이터에 대해 조정 및 재정의를 통해 변환을 실행하여 형상 정보를 생성하는 과정, 및 상호 작용과 시각적인 특성에 관한 특정 정보를 추가하는 과정을 통해 CAD(Computer Aided Design) 데이터 및 VRML 데이터를 X3D 데이터로 변환시켜줌으로써 CAD 시스템들과 가상현실 시스템과의 통합 효과를 가져올 수 있을 뿐만 아니라, CAD 데이터들을 가상현실 시스템에서 사용하기 위하여 특별한 모델링 소프트웨어를 가지고 데이터를 재생산하는 것이 필요 없게 되므로, 가상현실 데이터의 변환에 소요되는 시간의 절감 및 비용의 절감을 꾀할 수 있다.
X3D, VRML, 가상현실, CAD 시스템

公开(公告)号：KR100348902B1

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：KR1019990053887

申请日：1999-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  이진희 ,  김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  김대용

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/42316

Abstract: 본발명은저잡음고속정보통신용 GaAs 소자인 HEMTs(high electron mobility transistors) 의감마게이트용레지스트패턴의제조방법을개시한다. 본발명에따른감마게이트제조방법은, GaAs 기판상에제 1 레지스트를도포하고, 노광및 현상한후, 경화시켜서제 1 레지스트패턴을형성하는단계, 및상기 GaAs 기판및 제 1 레지스트패턴상에제 2 레지스트를도포하고, 노광및 현상한후, 경화시켜서제 2 레지스트패턴을형성하는단계를구비하며, 상기제 1 및제 2 레지스트패턴으로덮이지않은상기 GaAs 기판의부분을상기감마게이트의발이형성되는영역으로정의하고, 상기제 1 레지스트패턴으로덮여있지만상기제 2 레지스트패턴으로는덮이지않은상기 GaAs 기판의부분을상기감마게이트의머리가형성되는영역으로정의한다.

公开(公告)号：KR100324208B1

公开(公告)日：2002-02-16

申请号：KR1019990062468

申请日：1999-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤형섭 ,  이진희 ,  최상수 ,  이경호

IPC: H01L29/778

Abstract: 본발명은, Al 조성비가다른경사형 AlGaAs 쇼트키층및 n+GaAs/ n+AlGaAs/ n-GaAs로이루어지는 3층오믹층을갖는화합물반도체기판을사용하며, 내열성금속박막과절연막의 2단계건식식각및 양각의기울기를갖는절연막측벽(sidewall)을형성하여미세한비대칭형 T형게이트전극을제조하는방법을제공한다. 또한, 본발명은이러한게이트전극을사용하여화합물반도체소자의소스및 드레인오믹전극을비대칭형으로자기정렬시킨화합물반도체소자를제조하는방법을개시한다. 이러한본 발명을통하여, 즉내열성금속박막과절연막의 2단계건식식각및 양각의기울기를갖는절연막측벽을형성함으로써, 종횡비(high aspect ratio)가큰 T자형게이트전극을안정되게형성할수 있으며, 이러한비대칭형 T형게이트를사용하여소스와드레인오믹전극을자기정렬함으로써신뢰성이높은고전압저잡음화합물반도체소자를제조할수 있게된다.

公开(公告)号：KR1020010064139A

公开(公告)日：2001-07-09

申请号：KR1019990062273

申请日：1999-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  김도훈 ,  최상수 ,  정해빈 ,  김대용

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02B5/3083 ,  G02B7/04 ,  G02B13/143 ,  G02B26/0891 ,  G02B27/28 ,  H01L21/2026

Abstract: PURPOSE: An optical system for a crystallization apparatus is provided to enable a large area LCD fabrication by growing a uniform crystal having an equal grain size by performing a projection exposure as to micro stripe patterns by a projection optical system and by scanning gradually them. CONSTITUTION: The optical system makes an amorphous silicon thin film as a silicon thin film crystallized by an exposure of a micro stripe pattern using an eximer laser as a light source. The system includes the first lens-the tenth lens arranged along an optical axis from the eximer laser. The first lens(300) is a both convex lens, and the second lens(310) is a convex concave lens convex toward the light source, and the third lens(320) is a convex concave lens convex toward the light source, and the fourth lens(330) is a both concave lens. The fifth lens(340) is a both convex lens, and the sixth lens(350) is a concave convex lens concave toward the light source and the seventh lens(360) is a convex concave lens convex toward the light source. The eighth lens(370) is a both convex lens, the ninth lens(380) is a convex concave lens convex toward the light source, and the tenth lens(390) is a both convex lens. At least one of the ten lenses includes a CaF2 to improve an efficiency of a light intensity and to reduce a color aberration. The system further includes an optical component(200) made with a birefringent material to control a depth of focus of a light transmitted the tenth lens.

Abstract translation: 目的：提供一种用于结晶装置的光学系统，通过用投影光学系统对投影光学系统进行投影曝光，并逐渐扫描，通过生长具有相同晶粒尺寸的均匀晶体来实现大面积的LCD制造。 构成：光学系统通过使用准分子激光器作为光源通过微条纹图案的曝光而使非晶硅薄膜作为硅薄膜结晶。 该系统包括第一透镜 - 沿着来自准分子激光器的光轴布置的第十透镜。 第一透镜（300）是双凸透镜，第二透镜（310）是朝向光源凸出的凸凹透镜，第三透镜​​（320）是朝向光源凸起的凸凹透镜， 第四透镜（330）是两个凹透镜。 第五透镜（340）是双凸透镜，第六透镜（350）是朝向光源凹入的凹凸透镜，第七透镜（360）是朝向光源凸出的凸凹透镜。 第八透镜（370）是双凸透镜，第九透镜（380）是朝向光源凸出的凸凹透镜，第十透镜（390）是双凸透镜。 十个透镜中的至少一个透镜包括CaF2以提高光强度的效率并减少色差。 该系统还包括用双折射材料制成的光学部件（200），以控制透射第十透镜的光的焦深。

公开(公告)号：KR1020010063345A

公开(公告)日：2001-07-09

申请号：KR1019990060406

申请日：1999-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진희 ,  최상수 ,  윤형섭 ,  이경호

IPC: H01L29/772

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a fine T-typed(gamma-typed) gate is provided to reduce manufacturing cost by using a photolithography process to form the gate, and to guarantee repeatability by easily controlling a size and shape of a head and a leg of the fine gate. CONSTITUTION: The first sacrificial insulation layer is formed on a substrate having a predetermined lower layer. The first photoresist layer is applied on the first sacrificial insulation layer. A mask process is performed by using the first photo mask to form the first photoresist layer pattern exposing the first region including a gate leg region. The exposed first sacrificial insulation layer is selectively etched by using the first photoresist layer pattern as an etching mask. The second sacrificial insulation layer having etching selectivity with the first sacrificial insulation layer is formed along the entire structure in which the first photoresist pattern is eliminated. The second photoresist layer is applied. A mask process is performed in a state that the first photomask is shifted by a predetermined line width, to form the second photoresist layer pattern exposing the second region including a portion of the first region. The exposed sacrificial insulation layer is selectively etched to define the gate leg region and a gate head region by using the second photoresist layer pattern as an etching mask. A metal layer for a gate is formed on the resultant structure. The second photoresist layer pattern is lifted off to form a gamma-typed gate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造精细T型（γ型）门的方法，通过使用光刻工艺形成栅极以降低制造成本，并且通过容易地控制头部和腿部的尺寸和形状来保证重复性 的细门。 构成：第一牺牲绝缘层形成在具有预定下层的基板上。 将第一光致抗蚀剂层施加在第一牺牲绝缘层上。 通过使用第一光掩模来进行掩模处理，以形成暴露包括栅极支脚区域的第一区域的第一光致抗蚀剂层图案。 通过使用第一光致抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模来选择性地蚀刻暴露的第一牺牲绝缘层。 沿着除去第一光致抗蚀剂图案的整个结构形成具有与第一牺牲绝缘层的蚀刻选择性的第二牺牲绝缘层。 施加第二光致抗蚀剂层。 在第一光掩模偏移预定线宽的状态下进行掩模处理，以形成第二光致抗蚀剂层图案，曝光包括第一区域的一部分的第二区域。 通过使用第二光致抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻暴露的牺牲绝缘层以限定栅极支脚区域和栅极头部区域。 在所得结构上形成用于栅极的金属层。 第二光致抗蚀剂图案被提起以形成伽马型门。

公开(公告)号：KR100175351B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019950053651

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  정해빈 ,  이종현 ,  유형준

IPC: G03F1/22 ,  H01L21/30

Abstract: 본 발명은 높은 광투과 정렬창을 갖는 X-선 브랭크마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술의 X-선 마스크용 투과막은 광투과도가 낮고, 층간정렬도가 떨어졌던 문제점을 해결하기 위해 X-선 마스크에서 정렬광이 투과하는 부위는 광투과도가 우수한 멤브레인 물질을, X-선 노광에 의한 손상이 없는 멤브레인 물질을 하나의 웨이퍼에 형성한 구조로서, 정렬창의 멤브레인으로 Si
3 N
4 을, 칩부위의 멤브레인을 Si
3 N
4 /poly-Si/Si
3 N
4 을 사용하고, 또한 정렬창의 멤브레인으로 Si
3 N
4 /SiO
2 을 사용하고, 침부위의 멤브레인은Si
3 N
4 /poly-Si/Si
3 N
4 을 사용하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019980016375A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960035934

申请日：1996-08-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전영진 ,  정진만 ,  최상수 ,  김보우 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 마스트 패턴(mask pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜, 그 마스트 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer)위에 전사(transfer) 할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것으로서, X-선 마스크 구성 요소의 하나인 지지 링(support ring)의 구조를 개선한 것이다.
즉, 본 발명은 지지 링의 기계적 강도(mechanical strength)를 향상시키고, 마스크 기판(mask substrate)과 지지 링 간의 열팽창계수(coefficient of thermal expansion)차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 최소화 하기 위해, 상기 지지 링의 단면 구조를 종래의 단순 사각형 형태로부터 다각형이나 삼각형, 원형 등의 새로운 형태로 변경하거나, 보강용 홈(trench) 또는 보강용 빔(beam)을 종래의 지지 링에 추가한 새로운 구조의 지지 링을 사용하는 X-선 마스크에 관한 것이다. 본 발명은 상기의 X-선 마스크는 물론 전자빔 셀 투사용 리소그래피(electron-beam cell projection lithography)용 마스크 및 이온 빔 리소그래피(ion-beam lithography)용 마스크에도 응용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980015311A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034589

申请日：1996-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전영진 ,  정진만 ,  최상수 ,  김보우 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 마스크(mask) 패턴(pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜 그 마스크 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer) 위에 전사(transfer) 할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것이다.
즉, 마스크 기판(mask substrate)과 지지링 (support ring)과의 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion) 차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 근본적으로 제거하고, 외부의 기계적 스트레스(mechanical stress)에 대한 지지 링의 저항(resistance)능력을 향상시키기 위해 지지 링의 이면(the other side)에 마스크 기판과 동일한 재료로 구성되고, 마스크 기판과 동일한 공정 과정을 거친 변형 방지용 보조기판(supporting substrate to protect distortion)을 추가로 부착하여 구성한 X-선 마스크에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019970052733A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052662

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  전영진 ,  정해빈 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 X-선 마스크 제작공정중 실리콘의 습식식각시 웨이퍼의 외주연 부분이 식각액과 접촉하는 것을 방지하거나 웨이퍼의 일면에 실장된 소자가 식각액과 접촉하는 것을 방지할 수 있는 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 있어서, 단면에 L자 형상으로 절곡된 환 형상을 지니고 절곡된 평탄면의 중앙에는 O-링(11)이 부설되어 웨이퍼(50) 일면의 외주연 부분을 안착시키는 위한 하부 지지부(10); 및, 환 형상을 지니고 하면 중앙에 O-링(21)이 부설되며 상기한 하부 지지부(10)의 절곡면에 내설되어 웨이퍼(50) 타면의 외주연 부분을 고정하기 위한 상부 지지부(20)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019960009233A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019940019489

申请日：1994-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  이진희 ,  유형준

IPC: H01L29/812

Abstract: 본 발명은 HEMT 소자제작에 있어서 사용되는 T-게이트 형성방법에 관한 것으로, 종래기술에서 전자빔에 의한 이중 노광을 사용할 경우 전자빔 리소그래피의 단점인 처리량에 치명적인 영향을 미치는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 MIBK:IPA=1:1 현상액에서 60초 동안, PMMA 현상을 한후 섭씨 120도 열판에서 경화건조를 행하고 AZ5214E 레지스트(12)를 1.27um 도포한 후 연화건조(soft bake)를 120도에서 90초 동안 열판에서 행한 후, 250mW/㎠를 갖는 밀착기(contact printer)에서 20초 동안 수행한 후 게이트 금속막(5)을 1um 이하 원하는 두께만큼 증착하고서 리프트 오프 공정에 의해서 T-게이트를 형성하는 방법을 제공함으로써 T-게이트 헤드 부위의 단 면적이 크게되어 게이트 저항과 잡음을 최대한 줄일 수 있는 HEMT 소자제작이 가능하다.