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公开(公告)号：KR1019960012323A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940023880
申请日：1994-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 박막을 성장할때 가열된 기판에 초음파를 인가하여 기판에 형성되는 박막의 질을 개선하는 장치에 관한 것으로, 종래의 박막성장장치에 고품질의 성장박막을 얻기 위하여 성장중인 기판에 초음파를 인가하는 장치를 제공하는데 목적이 있다. 이러한 목적으로 본 발명은 기판에 성장박막을 강하게 융착시킬 수 있고, 성장이 어려운 물질도 쉽게 성장이 가능하도록 하여 박막의 질을 향상시킬 수 있고 전기적, 광학적 특성이 좋은 박막을 제조할 수 있다. 본 발명은 상술한 작용으로 박막성장 중 기판에 인가한 초음파에 의하여 부착력이 향상되므로 기존의 부착력이 낮아 성장이 어려웠던 물질의 성장이 가능하여지고, 부착계수가 반인 물질은 배로 증가하게 되므로 결정성장 중 배경압력을 충분히 낮추어 성장박막의 질을 향상시킬 수 있고 소오스를 절감할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019950034821A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019940010640
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 알루미늄 갈륨비소의 불순물 초핑층(chopping layer)을 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에피기판 구조에 관한 것으로서, 종래의 갈륨비소의 반 절연성 기판(1)위에 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브 콜렉터층(2), 저농도로 도핑된 갈륨비소의 콜렉터층(3), 갈륨비소의 베이스층(4), 알루미늄 갈륨 비소의 에미터층(5) 및 갈륨비소의 캡층(6)을 순차로 형성한 에피기판 구조에서 상기 갈륨비소의 반절연성 기판(1)과 상기 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브 콜렉터층(2) 사이에 누설 전류를 제거하기 위한 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초격자층(7)을 삽입하고, 상기 갈륨비소의 베이스층(4) 대신에 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초핑층(8)을 삽입하므로써 고주파 특성을 좋게하고, 누설전류의 원인이 되고 있는 탄소오염이 경계면의 효과를 차 하므로서 고효율의 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019950034418A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019940010642
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 반도체 소자를 제조하는데 있어서 경사면을 이용한 저항성 접촉의 형성방법에 관한 것으로서, 종래의 합금화에 의한 제조방법에서 반절연성 기판(1) 상에서 서로다른 물성을 가진 여러층을 통하여 저항성 접촉(6)을 합금화 시켜야 하기 때문에 고온의 열처리 과정과 이로 인한 원하지 않는 화합물 재료의 생성과 특성의 변질이 발생되는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 저항성 접촉부분을 2차원 전자가스 채널층까지 경사면으로 습식식각하고 저항성 접촉용 금속층을 증착하여 저항성 접촉과 2차원 전자가스 채널층이 경사면에서 직접 접하도록 하는 공정들을 제공하므로써 접촉면적을 극대화하고, 서로다른 물성을 가진 여러층과 저항성 접촉의 금속과의 복잡한 반응기구를 이해하여 제어할 필요가 없으며, 게이트 방향으로의 확산 작으므로 정확한 채널 길이를 제어할 수 있어 재현성 있는 소자 제작에 유리하다.
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公开(公告)号：KR100205068B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950052671
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 금속-반도체 전계 효과 트랜지스터에 관한 것으로서, 반절연성 갈륨 비소의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상부에 불순물이 도핑되지 않은 갈륨 비소로 이루어진 제1완충층과, 상기 제1완충층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 갈륨 비소의 우물과 불순물이 도핑되지 않은 알루미늄 갈륨비소의 장벽이 초격자 구조로 이루어진 제2완충층과, 상기 제2완충층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 갈륨 비소로 이루어진 제3완충층과, 상기 제3완충층의 상부에 형성된 실리콘이 도핑된 갈륨 비소로 이루어진 채널층과, 상기 채널층의 상부에 형성된 실리콘이 도핑된 갈륨 비소로 이루어진 캡층을 포함한다. 따라서, 본 발명은 무릎 전압 특성을 낮게하여 소비 전력을 줄일 수 있고 전달 콘덕턴스를 향상시킬 수 있으며 전도 특성이 전압의 변화에 대하여 넓은 영역에서 작용하므로 소자의 동작 범위가 넓다.
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公开(公告)号：KR1019980044520A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062613
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/20
Abstract: 본 발명에서는 InP를 기판으로 사용한 InGa(Al)As 고전자 이동도 트랜지스터 소자제작을 위한 소자구조의 완충층에서 일반적으로 격자상수를 맞추기 위해 In의 조성을 InGaAs일경우 53%, InAlAs일 경우 52%로 유지하고 있으나 완충층의 In 조성을 점차적으로 변화시켜 격자불일치를 극복하고 In의 조성을 높여 전도층의 In조성을 원하는만큼 높일 수 있는 구조에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970054464A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052671
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 금속-반도체 전계 효과 트랜지스터에 관한 것으로서, 반절연성 갈륨 비소의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상부에 불순물이 도핑되지 않은 갈륨 비소로 이루어진 제1완충층과, 상기 제1완충층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 갈륨 비소의 우물과 불순물이 도핑되지 않은 알루미늄 갈륨 비소의 장벽이 초격자 구조로 이루어진 제2완충층과, 제2완충층의 상부에 불순물이 도핑되지 않는 갈륨 비소로 이루어진 제3완충층과, 상기 제3완충층의 상부에 형성된 실리콘이 도핑된 갈륨 비소로 이루어진 채널층과, 상기 채널층의 상부에 형성된 실리콘이 도핑된 갈륨 비소로 이루어진 캡층을 포함한다.
따라서, 본 발명은 무릎 전압 특성을 낮게하여 소비 전력을 줄일 수 있고 전달 콘덕턱스를 향상시킬 수 있으며 전도 특성이 전압의 변화에 대하여 넓은 영역에서 작용하므로 소자의 동작 범위가 넓다.-
公开(公告)号：KR1019970054368A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950047071
申请日：1995-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 격자비정합 고전자이동도 트랜지스터에 관한 것으로서, (100)방향을 갖는 반절연 InP기판(1)으로부터의 적층순서에 따라 InAlAs화합물 반도체로 구성된 완충층(2), InGaAs화합물 반도체로 구성된 채널층(3), 도우프되지 않는 InAlAs화합물반도체로 구성된 격리층(4), n형 실리콘 델타도우프된 층(5)와 도우프되지 않은 InAlAs화합물반도체로 구성된 제2의 격리층(6), n형 도우프된 InGaAs화합물반도체로 구성된 뚜껑층(7)으로 구성되어 있고 각 에피택셜층의 조성은 도우프되지 않은 53% In조성의 InGaAs격자정합예비채널층과 60% In조성에서 70% In조성의 경사조성을 가지는 도우프되지 않는 격자비정합 스트레인층으로 구성되어 있는 채널층을 제외하고 InAlAs화합물반도체층은 52%의 In, 48%의 Al으로 구성되어 있는 Ⅲ족 원소와 As의 V족 원소가 각각 1:1의 조성비를 이 어야하고, InGaAs화합물반도체층은 53%의 In, 47%의 Ga으로 구성되어 있는 Ⅲ족 원소와 As의 V족 원소가 각각 1:1의 조성비를 이룬다.
따라서, 채널층의 두께를 감소시키지 않으면서 In의 조성비를 증가시킬 수 있으므로 전자이동도를 향상시킬 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019960006751B1
公开(公告)日：1996-05-23
申请号：KR1019920024458
申请日：1992-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: The method of fabricating a hetero-junction bipolar transistor includes the steps of forming a sub-collector layer(2) on a GaAs substrate(1), forming a collector layer(3) on the sub-collector layer(2) and implanting p-type impurities to form a high-concentration base layer(4), forming a multiple quantum wells(6c) and potential barrier(6b) alternately on the base layer(4) and forming a AlGaAs layer(6d) thereon, selectively etching the wells(6c) and potential barrier(6b) to expose the base layer(4), forming an emitter resistant contact layer(8) and etching the base layer(4) and collector layer(3) for isolation, and forming a base resistant contact layer(10) on the base layer(4) and forming a collector resistant contact layer(11) on the sub-collector layer(2).
Abstract translation: 制造异质结双极晶体管的方法包括以下步骤：在GaAs衬底（1）上形成副集电极层（2），在子集电极层（2）上形成集电极层（3），并将p 形成高浓度基底层（4），在基底层（4）上交替形成多个量子阱（6c）和势垒（6b）并在其上形成AlGaAs层（6d），选择性地蚀刻 阱（6c）和势垒（6b）以暴露基底层（4），形成发射极抵抗接触层（8），并蚀刻基底层（4）和集电极层（3）以进行隔离，并形成耐碱性 接触层（10），并且在子集电极层（2）上形成集电极抵抗接触层（11）。
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公开(公告)号：KR1019960010911A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940023881
申请日：1994-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B25/02
Abstract: 본 발명은 초고진공 중에서 질소 래디칼을 생성하는 소오스로서 특히 반응에 활성화된 질소 래디칼을 형성하고 프라즈마 챔버의 자체 형태에 의해 프라즈마를 추출하면서 초음파를 이용해 균일도를 높여 질화물 화합물 반도체 제작시 결정성과 전기적인 특성을 향상시킬 수 있는 질소 래디칼 생성장치에 관한 것이다.
본 발명은 분자선 에피택시 장비를 이용한 질소 래디칼 발생장치에 있어서, 하전된 질소 래디칼과 화학결합하여 질화물 반도체를 형성할 수 있는 기판; 프라즈마가 밀도차에 의해 상기 기판을 향하여 입사될 수 있도록 원추형상의 구조를 갖는 챔버; 상기 챔버의 외측벽에 형성되어 프라즈마를 형성하기 위한 마그네트; 상기 챔버내로 불활성 가스인 질소를 주입하기 위한 니들밸브; 상기 니들밸브로부터 유입된 질소가스를 침버내로 확산시키기 위한 확산자; 확산된 질소가스를 이온화시키기 위한 필라멘트; 및 형성된 프라즈마와 균일한 분포를 이룰 수 있도록 상기 챔버의 하측외벽에 부착된 초음파 진동자로 구성된다.
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