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公开(公告)号：KR1020040047119A
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020020075213
申请日：2002-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/452 , C23C16/45529 , C23C16/45542
Abstract: PURPOSE: A method for forming and controlling a thin film of a semiconductor device is provided to predict and control a deposition rate of a thin film, a density and a physical characteristic like an index of refraction, a dielectric constant and electrical resistance by forming the thin film while an ALD(atomic layer deposition) method and a PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition) method are alternatively performed in which a repetitive performance rate is controlled. CONSTITUTION: An ALD method is performed on the upper surface of the substrate for only one cycle so as to form a thin film of a basic unit thickness. A PEALD method is performed on the upper surface of the substrate for only one cycle to form a thin film of a basic unit thickness. The ALD method and the PEALD method are alternatively and repeatedly performed to form a thin film of a desired thickness.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成和控制半导体器件的薄膜的方法，以通过形成半导体器件的薄膜来预测和控制薄膜的沉积速率，密度和物理特性，如折射率，介电常数和电阻 薄膜，同时执行ALD（原子层沉积）方法和PEALD（等离子体增强原子层沉积）方法，其中控制重复性能。 构成：在基板的上表面仅执行一个周期的ALD方法，以便形成基本单位厚度的薄膜。 在基板的上表面仅执行一个周期的PEALD方法以形成基本单位厚度的薄膜。 ALD方法和PEALD方法可选地并反复进行以形成所需厚度的薄膜。
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22.发明授权
公开(公告)号：KR100433622B1
公开(公告)日：2004-05-31
申请号：KR1020010054453
申请日：2001-09-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon film, a germanium film, and a silicon-germanium film using an atomic layer epitaxy method are provided to form a thin film under a low temperature by using an organic gas as a source gas. CONSTITUTION: SiR4 is injected into a process chamber during a predetermined time(30). The first purge process is performed by injecting a purging gas into the process chamber(31). GeH4 is injected into the process chamber during the predetermined time(32). The second purge process is performed by injecting the purging gas into the process chamber(33). The injection of hydrogen radicals or hydrogen ions is determined according to a composition ratio of silicon-germanium(34). The hydrogen radicals or hydrogen ions are injected into the process chamber(35). The third purge process is performed(36). The thickness of the silicon-germanium is checked(37).
Abstract translation: 目的：提供使用原子层外延方法形成硅膜，锗膜和硅锗膜的方法，以通过使用有机气体作为源气体在低温下形成薄膜。 构成：SiR4在预定时间（30）内被注入处理室。 第一吹扫过程通过将吹扫气体注入处理室（31）中来执行。 GeH4在预定时间（32）期间被注入到处理室中。 通过将吹扫气体注入处理室（33）来执行第二吹扫处理。 氢自由基或氢离子的注入根据硅锗的组成比（34）确定。 氢自由基或氢离子被注入到处理室（35）中。 执行第三清除过程（36）。 检查硅锗的厚度（37）。
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公开(公告)号：KR1020030008992A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：KR1020010044056
申请日：2001-07-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon germanium layer using different kinds of sources according to a composition ratio of germanium is provided to improve a characteristic of the silicon germanium layer by changing easily the composition ratio of the germanium of silicon germanium layer. CONSTITUTION: A forming method of a silicon germanium layer includes a process for forming an Si1-xGex layer on a substrate within a process chamber having temperature of 150 to 400 degrees centigrade by using a unit atomic layer epitaxy method. In the forming process of the Si1-xGex layer, a silicon source is supplied to an upper surface of the substrate. The first purge gas is supplied to the upper surface of the substrate. A germanium source is supplied to the upper surface of the substrate. The second purge gas is supplied to the upper surface of the substrate. A hydrogen radical is supplied to the upper surface of the substrate. The different kinds of sources are supplied according to a value of x of the Si1-xGex layer.
Abstract translation: 目的：提供根据锗的组成比使用不同种类的源形成硅锗层的方法，通过容易地改变硅锗层的锗的组成比来改善硅锗层的特性。 构成：硅锗层的形成方法包括通过使用单位原子层外延法在150至400摄氏度的温度的处理室内的衬底上形成Si1-xGex层的工艺。 在Si1-xGex层的形成工序中，将硅源供给到基板的上表面。 第一吹扫气体被供给到基板的上表面。 锗源被提供给衬底的上表面。 第二吹扫气体被供给到基板的上表面。 向基板的上表面供给氢根。 根据Si1-xGex层的x值提供不同种类的源。
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公开(公告)号：KR102208083B1
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：KR1020140008469
申请日：2014-01-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/055
Abstract: 본발명은태양전지및 그를포함하는태양전지모듈을개시한다. 태양전지는, 하부전극층과, 하부전극상에배치되고, 가시광영역의태양광을흡수하는광 흡수층과, 상기광 흡수층 상의상부전극층과, 상기상부전극층 상의광 변환층을포함한다. 여기서, 상기광 변환층은상기상부전극층으로입사되는상기태양광을반사없이투과하는제 1 반사방지층과, 상기제 1 반사방지층과결합(coupling)되어상기제 1 반사방지층에투과되는상기가시광영역이외의적외선영역또는자외선영역의상기태양광을흡수하여상기가시광영역의방출광으로변환하는제 1 광변환입자들을포함한다.
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公开(公告)号：KR102204686B1
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR1020140002921
申请日：2014-01-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/056
Abstract: 본발명은투명태양전지및 그를구비하는후면반사투명태양전지모듈을개시한다. 투명태양전지는, 투명기판과, 상기투명기판상의제 1 투명전극과, 상기제 1 투명전극상의광 흡수층과, 상기광 흡수층 상의재흡수증진층과, 상기재흡수증진층 상의제 2 투명전극을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101871809B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020140113902
申请日：2014-08-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/302 , H05H1/46
Abstract: 본발명은공정가스모니터링장치및 그를구비한플라즈마공정설비를개시한다. 그의장치는, 가스유입구, 가스배출구, 및윈도우들을갖는하우징과, 상기윈도우들중 어느하나에인접하여상기하우징외부에배치되고, 상기가스유입구및 상기가스배출구사이에제공되는가스에소스광을제공하는광원과,상기윈도우들중 나머지하나에인접하여상기하우징외부에배치되고, 상기소스광에의해상기가스로부터발광되는형광을감지하는센서와, 상기가스유입구및 상기가스배출구사이의상기하우징내에배치되고, 상기광원및 상기센서사이의상기가스를가열하여상기가스로부터의상기형광을증가시키는코일을포함한다..
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公开(公告)号：KR1020170098143A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：KR1020160103158
申请日：2016-08-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09 , H01L31/0392 , H01L31/036 , H01L31/109
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은광 검출소자에관한것이다. 광검출소자는서로대향된제1 면및 제2 면을갖는광전변환층; 상기광전변환층의제1 면상에배치된투명한제1 전극; 상기광전변환층의제2 면아래에배치된투명한제2 전극; 상기제1 전극과상기광전변환층사이에배치되는 p형반도체층; 상기제2 전극과상기광전변환층사이에배치되는 n형반도체층; 및상기 p형반도체층과상기광전변환층사이, 또는상기 n형반도체층과상기광전변환층사이에배치되고, 상기광전변환층과다른에너지밴드갭을갖는캐리어이동층을포함할수 있다.
Abstract translation: 光检测元件技术领域本发明涉及光检测元件。 其中光检测器包括：具有彼此相对的第一表面和第二表面的光电转换层; 设置在光电转换层的第一侧上的透明的第一电极; 设置在光电转换层的第二表面下方的第二透明电极; 设置在第一电极和光电转换层之间的p型半导体层; 设置在第二电极和光电转换层之间的n型半导体层; 载流子迁移率层设置在p型半导体层和光电转换层之间或者n型半导体层和光电转换层之间，并具有与光电转换层不同的能带隙。
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公开(公告)号：KR1020150143264A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140190604
申请日：2014-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 임정욱
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022491 , H01L31/022466
Abstract: 본발명은저방사투명전극및 이를이용한태양전지에관한것으로, 상기투명전극은기판상에순차적으로적층된제1 유전막및 다층금속막을포함하되, 상기다층금속막은주 금속막및 다리금속막을포함하고, 상기주 금속막은평평하지않은표면을갖고, 상기다리금속막은상기주 금속막의상기평평하지않은표면을덮으며, 상기다층금속막의면저항은상기주 금속막의면 저항보다더 작다.
Abstract translation: 本发明涉及一种低放电透明电极和使用其的太阳能电池。 透明电极依次包括堆叠在基板上的第一电介质层和多金属层。 多金属层包括主金属层和桥金属层。 主金属层具有不平坦的表面，并且桥接金属层覆盖主金属层的不平坦表面。 多金属层的表面电阻小于主金属层的表面电阻。
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公开(公告)号：KR1020150096622A
公开(公告)日：2015-08-25
申请号：KR1020140113902
申请日：2014-08-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/302 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/302 , H01L22/10 , H01L22/34 , H05H1/46
Abstract: 본 발명은 공정 가스 모니터링 장치 및 그를 구비한 플라즈마 공정 설비를 개시한다. 그의 장치는, 가스 유입구, 가스 배출구, 및 윈도우들을 갖는 하우징과, 상기 윈도우들 중 어느 하나에 인접하여 상기 하우징 외부에 배치되고, 상기 가스 유입구 및 상기 가스 배출구 사이에 제공되는 가스에 소스 광을 제공하는 광원과,상기 윈도우들 중 나머지 하나에 인접하여 상기 하우징 외부에 배치되고, 상기 소스 광에 의해 상기 가스로부터 발광되는 형광을 감지하는 센서와, 상기 가스 유입구 및 상기 가스 배출구 사이의 상기 하우징 내에 배치되고, 상기 광원 및 상기 센서 사이의 상기 가스를 가열하여 상기 가스로부터의 상기 형광을 증가시키는 코일을 포함한다..
Abstract translation: 公开了一种用于监测气体的装置和包括其的等离子体处理装置。 该装置包括：具有气体入口，气体出口和窗户的壳体; 光源，其被封闭到一个窗口并且布置在壳体的外部，并且将源光提供给设置在气体入口和气体出口之间的气体; 传感器，其被封闭到另一个窗口并且布置在壳体中，并且检测由于源光而从气体发射的荧光; 布置在气体入口和气体出口之间的壳体内的线圈，加热光源和传感器之间的气体，并增加来自气体的荧光。
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