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公开(公告)号:KR1020160065329A
公开(公告)日:2016-06-09
申请号:KR1020140168729
申请日:2014-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/24
CPC classification number: H01L35/24 , Y10S977/742
Abstract: 본발명의일 실시예에따른열전소자는제 1 기판이제공되고, 상기제 1 기판상에제 1 냉각부가제공되고, 상기제 1 냉각부상에제 1 전극및 제 2 전극이제공되고, 상기제 1 전극상에제 1 레그가제공되고, 상기제 2 전극상에제 2 레그가제공되고, 상기제 1 및제 2 레그들상에제 3 전극가제공되고, 상기제 3 전극상에제 2 냉각부가제공되고, 상기제 2 냉각부상에제2 기판이제공된다. 상기제 1 및제 2 냉각부는실리콘기반의일체형냉각부를포함한다. 접착부재로이용되는실리콘층을일체형으로형성함으로서접합저항을감소시킬수 있다. 상기냉각부들을식각하여절연성을향상시킬수 있다. 접착부재로사용되는실리콘층을내각부로이용함으로써기판과일체형으로형성할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的热电元件包括:第一基板; 设置在第一基板上的第一冷却单元; 设置在第一冷却单元上的第一电极和第二电极; 第一腿设置在第一电极上; 设置在所述第二电极上的第二支腿; 设置在第一和第二腿上的第三电极; 设置在所述第三电极上的第二冷却单元; 以及设置在第二冷却单元上的第二基板。 第一和第二冷却单元包括硅基集成冷却单元。 可以一体地形成用作粘合部件的硅层,以降低接触电阻。 可以对冷却单元进行蚀刻以改善绝缘性能。 用作粘合剂构件的硅层可以用作与衬底一体形成的冷却单元。
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公开(公告)号:KR1020150053488A
公开(公告)日:2015-05-18
申请号:KR1020130135482
申请日:2013-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N25/18
Abstract: 본발명은열전소자의열전전도도계측장치및 그의계측방법을개시한다. 그의장치는, 시편인열전소자의물성측정을위한환경을제공하고, 상기시편의양단각각에접촉되는접점들을형성하는전극부를포함하는시편고정모듈과, 상기시편을가열하는제 1 주파수의소스교류전압을상기전극부에제공하고상기전극부와상기시편사이의상기접점들에서발생하는온도변화로부터생성되는상기제 1 주파수보다큰 제 2 주파수의제 1 열전교류전압과, 상기시편의저항변화에의해생성되는상기제 2 주파수보다큰 제 3 주파수의제 2 열전교류전압을검출하여열전전도도를획득하는측정회로모듈을포함한다.
Abstract translation: 提供热电装置的热电导率测量装置及其测量方法来改变接触点的温度并同时测量热电导率。 仪器包括:样品固定模块,其提供用于测量作为样品的热电装置的性质的环境,并且包括形成与样品的两端接触的接触点的电极单元; 以及测量电路模块,其向所述电极单元提供向所述样品提供热量的第一频率的源极交流电压,检测到大于由所述温度变化产生的所述第一频率的第二频率的第一热电交流电压 发生在电极单元和样品之间的接触点处,以及第三频率的第二热电交流电压,其大于由样品的电阻变化产生的第二频率,并测量热电导率。
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公开(公告)号:KR101395088B1
公开(公告)日:2014-05-16
申请号:KR1020100011284
申请日:2010-02-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/30
Abstract: 본 발명은 열전 어레이에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 열 흡수부, 제1 열 방출부, 제2 열 방출부, 제1 도전형 레그 및 제2 도전형 레그를 포함하는 복수의 열전소자들이 m행 n열(m, n은 1 이상의 정수)로 배치된 구조를 갖되, 행 방향 또는 열 방향으로 이웃한 상기 열전소자들에 포함된 상기 열 흡수부는 열 흡수부끼리, 상기 이웃한 열전소자들에 포함된 상기 제1,제2 열 방출부는 열 방출부들끼리 인접하도록 배열된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 열전 어레이에서 인접하는 각 열전소자간의 열적 간섭을 최대한 억제할 수 있으므로, 높은 열전효율을 갖는 열전 어레이를 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 반도체 공정을 이용하여 열전소자의 열 흡수부, 레그 및 열 방출부를 동시에 형성할 수 있으므로, 열 흡수부, 레그 및 열 방출부를 각각 형성한 후 이를 조립하는 종래의 열전 어레이에 비해 제조비용을 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号:KR101249292B1
公开(公告)日:2013-04-01
申请号:KR1020080118110
申请日:2008-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 열전소자, 열전소자 모듈, 및 그 열전 소자의 형성 방법을 제공한다. 상기 소자는 하나의 이상의 제1 장벽영역을 포함하는 제1 도전형의 제1 반도체 나노와이어, 하나의 이상의 제2 장벽영역을 포함하는 제2 도전형의 제2 반도체 나노와이어, 제1 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제1 전극, 제2 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제2 전극, 및 제1 반도체 나노와이어의 타단 및 제2 반도체 나노와이어 타단에 연결된 공통 전극을 포함한다. 제1 장벽 영역의 열전도도(thermal conductivity)는 제1 반도체 나노와이어의 열전도도보다 크고, 제2 장벽 영역의 열전도도는 제2 반도체 나노와이어의 열전도도보다 클 수 있다.
열전 소자, 반도체 나노 와이어, 열적 장벽-
公开(公告)号:KR101072295B1
公开(公告)日:2011-10-12
申请号:KR1020080123488
申请日:2008-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 이를위해본 발명에따른센서노드는외부환경으로부터이벤트를감지하는센서부와, 상기이벤트에대응되는센싱신호와미리설정된임계값을비교하여, 임계상황을판단하는제어부와, 상기센서부및 상기제어부에구동전력을공급하며출력가능한전력값을판단하고상기출력가능한전력값이최소구동전력값보다작으면전력을생성및 저장하는전원제어부를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号:KR1020110071291A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:KR1020090127812
申请日:2009-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/32
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device a super lattice structure is provided to dry-etch the entire insulation film without forming a photo resist pattern, thereby forming upper and lower electrodes through one time lithography process. CONSTITUTION: A first insulation layer(120) and a second insulation layer(130a) are formed on a substrate(110). An n-type electrode(140n) and a p-type electrode(140p) are separated on the first insulation layer. A lower electrode(140) is formed on the second insulation layer. Super lattice structures(150n,150p) are formed on the n-type electrode and the p-type electrode respectively. A common electrode(170) is formed on the super lattice structures.
Abstract translation: 目的:提供一种超晶格结构的热电装置,用于干燥蚀刻整个绝缘膜而不形成光刻胶图案,由此通过一次光刻工艺形成上电极和下电极。 构成:在基板(110)上形成第一绝缘层(120)和第二绝缘层(130a)。 n型电极(140n)和p型电极(140p)在第一绝缘层上分离。 下电极(140)形成在第二绝缘层上。 分别在n型电极和p型电极上形成超晶格结构(150n,150p)。 公共电极(170)形成在超晶格结构上。
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公开(公告)号:KR1020110061751A
公开(公告)日:2011-06-10
申请号:KR1020090118257
申请日:2009-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01B1/128 , B82Y30/00 , D01D5/0007 , D01F1/10 , D01F6/76 , D01F6/96 , H01L35/14 , H01L35/26 , Y10T428/298
Abstract: PURPOSE: An organic-inorganic hybrid nanofiber for a thermoelectric device, and a manufacturing method thereof are provided to produce the nanofiber by hybridizing an organic material with the low thermal conductivity and an inorganic material with the high conductivity. CONSTITUTION: An organic-inorganic hybrid nanofiber(100) for a thermoelectric device contains an inorganic material in a nanoparticle or nano-crystalline state with the high conductivity, and an organic material(120) with the lower thermal conductivity than the inorganic material. The organic material contains the inorganic material. The inorganic material and the organic material are arranged in a composite material form to offer the thermoelectric property.
Abstract translation: 目的:提供一种用于热电装置的有机 - 无机混合纳米纤维及其制造方法,其通过与低导热性的有机材料和具有高导电性的无机材料杂交来制造纳米纤维。 构成:用于热电装置的有机 - 无机混合纳米纤维(100)包含具有高导电性的纳米颗粒或纳米晶状态的无机材料和具有比无机材料低的导热性的有机材料(120)。 有机材料含有无机材料。 无机材料和有机材料以复合材料形式布置以提供热电性质。
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公开(公告)号:KR1020110028713A
公开(公告)日:2011-03-22
申请号:KR1020090086271
申请日:2009-09-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H02J7/0068 , H01M10/46 , Y10T307/25 , Y10T307/305 , Y10T307/391 , Y10T307/414
Abstract: PURPOSE: An integrated circuit device for managing power and energy is provided to semi-permanently use energy without a battery replacement by environmentally-friendly collecting and converting energy. CONSTITUTION: A plurality of energy converting units(310) collect energy from each energy conversion source and converts the collected energy into electric energy. An energy management integrated circuit(322) converts the electric energy into stable energy. A storage unit(330) stores power or energy converted by the energy management integrated circuit. A power management integrated circuit(324) receives and distributes the power stored in the storage unit. A plurality of output load units(340) consume power distributed by the power management integrated circuit.
Abstract translation: 目的:提供用于管理电力和能源的集成电路设备,以通过环境友好的收集和转换能量半永久地使用能量而无需更换电池。 构成:多个能量转换单元(310)从每个能量转换源收集能量,并将收集的能量转换成电能。 能量管理集成电路(322)将电能转换成稳定的能量。 存储单元(330)存储由能量管理集成电路转换的能量或能量。 电源管理集成电路(324)接收并分配存储在存储单元中的电力。 多个输出负载单元(340)消耗由电力管理集成电路分配的功率。
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公开(公告)号:KR1020100072610A
公开(公告)日:2010-07-01
申请号:KR1020080131061
申请日:2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/775 , H01L31/10
CPC classification number: H01L29/122 , B82Y10/00 , H01L31/113 , Y10S977/937 , Y10S977/953
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to detect the charge quantity of low amount suspension of power supply induced with sing photon. CONSTITUTION: A single electron box comprises a charge storage gate(120) changing charge with a first quantum dot(110) and also includes a first gate electrode(130) for controlling the electric potential of the first quantum dot on the charge storage gate. A single electron transistor comprises a second quantum dot(210) which is capacitively combined under the first quantum dot in the first quantum dot, source(220) touching in one side of the second quantum dot, a drain(230) touching other side corresponding to the one side, and a second gate electrode(240) controlling the electric potential of the second quantum dot under the second quantum dot.
Abstract translation: 目的:提供半导体器件及其制造方法,以检测由光子引起的电源的低量悬浮的电荷量。 构成:单个电子盒包括用第一量子点(110)改变电荷的电荷存储栅极(120),并且还包括用于控制电荷存储栅极上的第一量子点的电位的第一栅电极(130)。 单电子晶体管包括第二量子点(210),其在第一量子点内的第一量子点下电容性地组合,源(220)在第二量子点的一侧接触;漏极(230)接触另一侧对应 以及控制第二量子点下的第二量子点的电位的第二栅电极(240)。
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