公开(公告)号：KR100345452B1

公开(公告)日：2002-07-26

申请号：KR1020000076661

申请日：2000-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  권오균 ,  주영구

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 1.3 ㎛ 내지 1.6 ㎛ 대역의 장파장 표면방출 반도체 레이저 소자의 공진기 내에서 p형 불순물 도핑층의 흡수 손실을 억제하고, 거울층에서의 산란 손실과 효과적 전류유도에 의한 운반자 손실을 감소시킬 수 있는 표면방출 레이저 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 제1 도전형의 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1 도전형의 반도체층으로 이루어지는 하부 거울층, 상기 하부거울층 상에 형성된 활성층 및 상기 활성층 상부에 형성되며 그 중심부는 도핑되지 않고 그 양단부에 제2 도전형의 불순물 확산영역을 구비하는 상부거울층을 포함하는 표면방출 레이저 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR100440254B1

公开(公告)日：2004-07-15

申请号：KR1020020031972

申请日：2002-06-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한원석 ,  유병수 ,  권오균 ,  노정래 ,  신재헌 ,  주영구

IPC: H01S5/18

Abstract: PURPOSE: An anti-guide type surface emitting laser and a method for manufacturing the same are provided to realize a high power with a low current at a single mode since the output light is small in size and it scarcely diverges, thereby reducing the manufacturing cost thereof. CONSTITUTION: An anti-guide type surface emitting laser includes a lower Bragg mirror layer(102), a resonance layer(103), a beam width control layer(113) and an upper Bragg mirror layer(109). The beam width control layer(113) formed on top of the resonance layer(103) includes a first thin film(104) defining the central portion as a current injection region, a second thin film layer(105) for generating an effective refraction index difference between the peripheral portion and the central portion and a third thin film(107) formed between the first thin film(104) and the second thin film(105). The lower Bragg mirror layer(102) is formed on a semiconductor substrate and the resonance layer(103) is formed on top of the lower Bragg mirror layer(102). The upper Bragg mirror layer(109) formed on top of the beam width control layer(113) has a step at a boundary between the edge portion and the central portion by the second thin film(105).

Abstract translation: 目的：提供一种抗引导型表面发射激光器及其制造方法，以在单模下实现低电流的高功率，因为​​输出光尺寸小并且几乎不发散，从而降低了制造成本 它们。 构成：一种防引导型表面发射激光器包括下布拉格镜面层（102），谐振层（103），射束宽度控制层（113）和上布拉格反射镜层（109）。 形成在谐振层（103）顶部的束宽控制层（113）包括限定中心部分作为电流注入区的第一薄膜（104），用于产生有效折射率的第二薄膜层（105） 周边部分和中央部分之间的差异以及在第一薄膜（104）和第二薄膜（105）之间形成的第三薄膜（107）。 下布拉格镜像层（102）形成在半导体衬底上，并且谐振层（103）形成在下布拉格镜像层（102）的顶部上。 在光束宽度控制层（113）顶部形成的上布拉格镜层（109）在第二薄膜（105）的边缘部分和中心部分之间的边界处具有台阶。

公开(公告)号：KR100427583B1

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：KR1020020002494

申请日：2002-01-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  한원석 ,  권오균 ,  신재헌 ,  유병수 ,  노정래

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18308 ,  H01L33/145 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/2063

Abstract: The present invention relates to a method of fabricating vertical-cavity surface emitting lasers being watched as a light source for long wavelength communication. The present invention includes forming a layer having a high resistance near the surface by implanting heavy ions such as silicon (Si), so that the minimum current injection diameter is made very smaller unlike implantation of a proton. Further, the present invention includes regrowing crystal so that current can flow the epi surface in parallel to significantly reduce the resistance up to the current injection part formed by silicon (Si) ions. Therefore, the present invention can not only effectively reduce the current injection diameter but also significantly reduce the resistance of a device to reduce generation of a heat. Further, the present invention can further improve dispersion of a heat using InP upon regrowth and thus improve the entire performance of the device.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造垂直腔表面发射激光器的方法，该激光器被视为用于长波长通信的光源。 本发明包括通过注入诸如硅（Si）的重离子在表面附近形成具有高电阻的层，使得与质子的注入不同，最小电流注入直径非常小。 此外，本发明包括再生晶体，使得电流能够平行地流过epi表面，以显着降低直到由硅（Si）离子形成的电流注入部分的电阻。 因此，本发明不仅能够有效地减小电流注入直径，而且还能够显着降低器件的电阻以减少热量的产生。 此外，本发明在再生长时可以进一步改善使用InP的热量的分散，从而改善装置的整体性能。

公开(公告)号：KR100340037B1

公开(公告)日：2002-06-15

申请号：KR1020000047840

申请日：2000-08-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  권오균 ,  유병수

IPC: H01S5/18

Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 개선된 전류 감금 구조를 가진 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 전류 주입 직경이 감소함에 따라 저항이 급격히 증가하는 문제가 없고, 낮은 임계 전류를 실현할 수 있으며, InAlGaAs, InAlAs, InP로 구성된 1.3 ∼ 1.55 ㎛ 장파장용 수직 공진 표면광 레이저에서 적용할 수 있으며, 제작 공정이 간단하고 안정적이어서 실제 소자의 양산에 적용될 수 있음을 물론, 열 방출 효율을 증대시킬 수 있는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 하부 거울층을 포함하는 하부 구조와, 전류 감금층 및 그 상부에 제공되는 상부 거울층을 포함하는 레이저 기둥을 구비하는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저에 있어서, 상기 하부 구조 최상부에 제1 InP층이 배치되며, 상기 레이저 기둥의 상기 상부 거울층 하부에 제2 InP층이 배치되며, 상기 제1 및 제2 InP층 사이에 배치되는 상기 전류 감금층의 직경이 상기 레이저 기둥의 직경보다 작게 제공되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020020014508A

公开(公告)日：2002-02-25

申请号：KR1020000047840

申请日：2000-08-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  권오균 ,  유병수

IPC: H01S5/18

Abstract: PURPOSE: An InAlGaAs VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser) having an improved current confinement scheme is provided, which prevents a rapid increase of a resistance by a decrease of a current confinement diameter and has a low threshold current and can increase a heat release efficiency. CONSTITUTION: An InAlGaAS/InAlAs bottom reflective mirror layer(10) and an active medium and a cladding layer(11) and the first InP wet etching mask layer(12a) are stacked on an InP substrate, and an InAlGaAs/InAlAs current confinement layer(13) is arranged on a center of the upper part. An InP insulation layer(14) is arranged to surround the InAlGaAs/InAlAs current confinement layer on an upper part of the first InP wet etching mask layer. Also, the second InP wet etching mask layer(12b), an InAlGaAs/InAlAs top reflective mirror layer(15) and an electrode(16) are stacked. The top/bottom reflective mirror are distributed Bragg reflectors and are formed with InAlGaAs/InAlAs. The InP insulation layer or an air gap act as an insulation layer and a current pass diameter of a current injected through the electrode is decreased at the InAlGaAs/InAlAs current confinement layer. Also, when the current confinement layer is arranged on a laser active medium, a threshold current is reduced without carrier loss.

Abstract translation: 目的：提供具有改进的电流限制方案的InAlGaAs VCSEL（垂直腔表面发射激光器），其通过减小电流限制直径来防止电阻的快速增加并且具有低的阈值电流并且可以增加放热效率 。 构成：将InAlGaAS / InAlAs底部反射镜层（10）和有源介质和包层（11）和第一InP湿蚀刻掩模层（12a）堆叠在InP衬底上，并且将InAlGaAs / InAlAs电流限制层 （13）布置在上部的中心。 InP绝缘层（14）被布置成围绕第一InP湿蚀刻掩模层的上部上的InAlGaAs / InAlAs电流限制层。 此外，堆叠第二InP湿式蚀刻掩模层（12b），InAlGaAs / InAlAs顶部反射镜层（15）和电极（16）。 顶部/底部反射镜是分布式布拉格反射器，并由InAlGaAs / InAlAs形成。 InP绝缘层或气隙充当绝缘层，并且在InAlGaAs / InAlAs电流限制层处降低了通过电极注入的电流的电流通过直径。 此外，当电流限制层布置在激光活性介质上时，阈值电流减小而没有载波损耗。