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公开(公告)号：KR1020060058564A
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020040097648
申请日：2004-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03B19/00
Abstract: 본 발명은 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에 적용되는 주파수 체배기에 관한 것으로, 입력정합회로에 RC 병렬회로를 적용하여 높은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시키며, 게이트 바이어스 공급부의 저항값을 조절하여 낮은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시킨다. 또한, 출력정합회로의 출력단에 레이디얼-스터브(radial-stub)를 병렬로 연결하여 체배된 제 2 고조파(harmonic frequency)인 출력주파수(2fo)에 대해 입력주파수(fo)를 30dBc 이하로 억압시킨다. 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에서 발진 주파수의 한계를 극복할 수 있으며, 77GHz 대역의 자동차 충돌 방지 레이다 시스템에 적용이 가능하다.
밀리미터파, 주파수 체배기, 정합회로, 병렬회로, 억압 특성-
公开(公告)号：KR1020100065038A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020090031274
申请日：2009-04-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A built-in capacitor, a manufacturing method thereof, and a method for changing capacitance are provided to easily change capacitance by adjusting the location, the occupied area, the sectional area, and the number of holes formed in an upper electrode and a lower electrode. CONSTITUTION: A built-in capacitor comprises an upper electrode(10) and a lower electrode(20). First holes(14) are arranged on the upper electrode. A first via-hole(12) is arranged in one end that is projected from one side of the upper electrode. Second holes(24) are arranged on the lower electrode. A second via hole(22) is arranged in one end of an another projected side of the lower electrode. The first and second holes have a square shape. A dielectric substance(30) is inserted between the upper electrode and the lower electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种内置电容器及其制造方法以及改变电容的方法，通过调整位置，占用面积，截面面积和形成在上电极和 下电极。 构成：内置电容器包括上电极（10）和下电极（20）。 第一孔（14）布置在上电极上。 第一通孔（12）布置在从上电极的一侧突出的一端。 第二孔（24）布置在下电极上。 第二通孔（22）布置在下电极的另一个突出侧的一端。 第一和第二孔具有正方形形状。 电介质物质（30）插入在上电极和下电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100772927B1
公开(公告)日：2007-11-02
申请号：KR1020060095400
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/26
Abstract: A heterodyne RF transceiver for a radar sensor is provided to improve receive sensitivity which is more than 30dB compared with an existing homodyne at a 76-77GHz band. A transmitting unit(150) generates a transmission signal and transmits it to a transmission antenna(112). A local oscillating unit(160) generates a local oscillation wave. An up-mixer(106) up-mixes the transmission signal and the local oscillation wave. A receiving unit(170) receives reception signals through reception antennas(113-115). A down-mixer(111) down-mixes a mixed signal of the up-mixer(106) and the reception signals. An RF unit deduces a bit signal from a mixed signal of the down-mixer(111) and the local oscillation wave.
Abstract translation: 提供了一种用于雷达传感器的外差RF收发器，以提高与76-77GHz频带上现有零差相比超过30dB的接收灵敏度。 发送单元（150）生成发送信号并将其发送到发送天线（112）。 本地振荡单元（160）产生局部振荡波。 上混频器（106）将传输信号和本地振荡波混频。 接收单元（170）通过接收天线（113-115）接收接收信号。 下混频器（111）将上混频器（106）的混合信号和接收信号混频。 RF单元从下混频器（111）和本地振荡波的混合信号中推出比特信号。
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公开(公告)号：KR100737387B1
公开(公告)日：2007-07-09
申请号：KR1020040097648
申请日：2004-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03B19/00
Abstract: 본 발명은 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에 적용되는 주파수 체배기에 관한 것으로, 입력정합회로에 RC 병렬회로를 적용하여 높은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시키며, 게이트 바이어스 공급부의 저항값을 조절하여 낮은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시킨다. 또한, 출력정합회로의 출력단에 레이디얼-스터브(radial-stub)를 병렬로 연결하여 체배된 제 2 고조파(harmonic frequency)인 출력주파수(2fo)에 대해 입력주파수(fo)를 30dBc 이하로 억압시킨다. 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에서 발진 주파수의 한계를 극복할 수 있으며, 77GHz 대역의 자동차 충돌 방지 레이다 시스템에 적용이 가능하다.
밀리미터파, 주파수 체배기, 정합회로, 병렬회로, 억압 특성-
公开(公告)号：KR1020070059861A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060050820
申请日：2006-06-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04B1/40
Abstract: An RF transceiver module and a millimeter-wave FMCW(Frequency Modulated Continuous Wave) radar sensor using the same are provided to eliminate the signal interference between a transmitting unit and a receiving unit, which is generated in the case of directly using a modulation signal from a VCO(Voltage Controller Oscillator) of the transmitting unit, and to improve the performance of signal sensitivity. An RF transceiver module comprises a transmitting unit(117), a parallel frequency mixer(107), and a receiving unit(119). The transmitting unit(117) distributes a modulation signal, created from a VCO(106), through a power distributor(105), amplifies the modulation signal, and radiates the amplified modulation signal through a transmitting antenna(101). The parallel frequency mixer(107) up-converts and down-converts the modulation signal, outputted from the power distributor(105), using a local oscillation signal outputted from a local oscillator(108) and outputs the first signal and the second signal. The receiving unit(119) mixes an external signal, received through a receiving antenna(109), with the first signal through a down-mixer(112), mixes the mixed signal, or the third signal, with the second signal through an IF(Intermediate Frequency) mixer(115), and outputs the mixed signal.
Abstract translation: 提供使用其的RF收发器模块和毫米波FMCW（频率调制连续波）雷达传感器，以消除发送单元和接收单元之间的信号干扰，这是在直接使用来自 VCO（电压控制器振荡器），并提高信号灵敏度。 RF收发器模块包括发送单元（117），并行混频器（107）和接收单元（119）。 发射单元（117）通过功率分配器（105）分配由VCO（106）产生的调制信号，放大调制信号，并通过发射天线（101）辐射放大的调制信号。 并行混频器（107）使用从本地振荡器（108）输出的本地振荡信号对从分配器（105）输出的调制信号进行上变频和下变频，并输出第一信号和第二信号。 接收单元（119）通过下混频器（112）将通过接收天线（109）接收的外部信号与第一信号混合，通过IF将混合信号或第三信号与第二信号混合 （中频）混频器（115），并输出混合信号。
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公开(公告)号：KR1020060064980A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103679
申请日：2004-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03D7/12
Abstract: 본 발명은 주파수 혼합기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소오스 단자가 접지되는 전계효과 트랜지스터와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 LO 신호를 제공받아 소정의 LO 주파수 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 LO 정합부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 RF 신호를 제공받아 소정의 RF 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 RF 정합부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 게이트 바이어스부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 드레인 바이어스부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 상기 LO 신호와 상기 RF 신호가 혼합된 IF 신호를 제공받아 소정의 IF 대역의 신호를 출력단자에 출력하기 위한 IF 정합부를 포함함으로써, 마이크로파 또는 밀리미터파 대역의 혼합기에 용이하게 사용할 수 있고, 혼합기의 LO 삽입 손실을 감소시키며, DC 전력 소모를 감소시킴과 동시에 저주파수 대역의 불요신호의 영향을 차단할 수 있는 효과가 있다.
주파수 혼합기, 전계효과 트랜지스터, 드레인 바이어스부, RF 정합부, LO 정합부, IF 정합부-
公开(公告)号：KR1020060061043A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1020040099904
申请日：2004-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상부의 소정 영역이 노출되도록 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 노출된 상기 기판의 일부분이 노출되도록 상기 노출된 기판 및 상기 제1 감광막 패턴 상에 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 결과물의 전체 상부면에 소정 두께의 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제1,2 감광막 패턴 및 상기 제2 감광막 패턴의 상부에 형성된 금속층을 제거하는 단계를 포함함으로써, 종래의 티형 게이트 전극 형성 방법보다 간단한 공정을 통한 공정단가 절감과 공정 시간의 단축으로 생산성을 크게 증대시킬 수 있으며, 종래의 티형 게이트 전극 형성 방법보다 게이트 길이를 작게 할 수 있으므로 고주파 특성을 월등하게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 티형 게이트, 전자빔 리소그라피, 광 리소그라피, 화합물 반도체
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