Abstract:
본 발명은 유한 상태 머신(FSM) 및 스페어 메모리의 행과 열에 재배치할 수 있는 알고리즘을 이용하여 기존의 결함 모델뿐만 아니라 새롭게 모델링된 결함까지도 검출해 낼 수 있고 메모리 생산 과정의 안정화에 따라 좀 더 다양한 알고리즘을 선택하여 적용할 수 있는 내장 자체 테스트 회로와 검출된 결함을 효율적으로 복구하기 위한 내장 복구 회로를 제공한다. 본 발명에 따른 메모리 장치는 데이터를 저장하고 저장된 데이터를 출력하기 위한 데이터 저장부, 외부에서 입력되는 선택 신호에 대응하여 다수개의 알고리즘 중 하나를 선택하여 출력하는 알고리즘 생성부 및 알고리즘 생성부에서 출력된 알고리즘을 이용하여 데이터 저장부를 테스트하여 결함이 있는 영역을 검출해 내는 테스트 제어부를 포함한다. 본 발명은 여러 가지의 메모리를 포함하는 SOC의 경우 다양한 결함이 발생하여도 결함을 검출하여 SOC를 정상동작시킬 수 있으며 SOC 내 메모리 장치를 스페어 행과 열 메모리를 이용하여 결함을 복구하여 사용할 수 있어 메모리의 수율을 증가시킬 수 있다. 임베디드 메모리, 자가 테스트, 자가 복구, 마치 요소, 유한상태머신
Abstract:
본 발명은 반도체 메모리 장치 내 비트 라인에 스트레스를 주어 단위셀 간 흐를 수 있는 교류 전류를 직접 검출하여 테스트하는 반도체 회로 및 그 테스트 방법을 제공한다. 이를 위해 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는 데이터를 저장하기 위한 복수의 단위셀 및 테스트 모드시 복수의 단위셀에 연결된 비트 라인 쌍에 서로 다른 테스트 신호를 입력하고 노멀 모드시 데이터를 전달하기 위한 비트 라인 테스트 구동부를 포함한다. 따라서, 본 발명은 고가의 테스트장비나 긴 시간을 들이지 않고 간단한 회로를 추가하여 메모리 셀에서 발생하는 위와 같은 문제점들을 검출하고 문제가 있는 단위셀을 수리하거나 사용하지 않음으로써 추가적인 전력소비의 원인을 제거하여 반도체 메모리 장치의 동작에서 신뢰성을 높일 수 있다. 메모리, 커플링 캐패시턴스, 연결고장, 테스트, 비트라인, 스트레스
Abstract:
A method for creating a pixel block and a buffering apparatus and method using the same are provided to create data blocks by unit to create block information, and determine whether to transmit pixel data using the created block information, thereby reducing the amount of data transmission and performing buffering without unnecessary operation. A method for creating a pixel block comprises the following steps of: storing the number of pixels included into a block and the shape information of the block(701); creating pixel blocks based on the reference information(702); generating block information about the block and transmitting the generated block information to a z-buffering apparatus(703); checking whether the z-buffering apparatus requests the transmission stoppage of pixel depth values(704); transmitting the pixel depth values of the block in order if the transmission stoppage of the pixel depth values is not requested(705); and closing the pixel block generation if there is a residual block(706); and selecting a next block if there is the residual block(707).
Abstract:
An embedded memory device and a system integrated with a programmable self-test, and a self-recovery method thereof are provided to detect a new fault model as well as a usual fault model capable of providing transparency to a user and apply more various algorithms selectively according to stabilization of a memory manufacturing process. An embedded memory(20) stores data and outputs the stored data. An algorithm generator(10) selects and outputs one of a plurality of algorithms by responding to a selection signal received from the outside. A test controller(50) detects a region including a fault by testing the embedded memory with the algorithm output from the algorithm generator. The test controller includes an address generator(80) increasing or decreasing an address of the embedded memory to be tested by receiving the MSB(Most Significant Bit) among a code received from the algorithm generator, a signal generator(70) generating a control signal for testing read/write operations of the embedded memory by receiving the remaining part of the code, and a comparator(60) determining the fault by comparing the data output from the embedded memory with reference data.
Abstract:
본 발명은 비터비 복호기의 메모리 제어장치에 관한 것으로서, 특히 상태메트릭스 메모리 초기화에 적당하도록 한 메모리 제어장치에 관한 것이다. 본 발명은 상태메트릭스 메모리(SM)에 직접 초기값을 저장하지 않고도 동일한 효과를 가질 수 있는 회로를 구현하고자 한다. 상기의 목적 달성을 위하여 본 발명에 따른 비터비 복호기의 메모리 장치는 상태메트릭스 메모리(SM)에 직접 초기 값을 지정하는 별도의 과정을 수행하지 않고 바로 경로메트릭스 모듈(ACS)을 수행하는 비터비 복호기의 메모리 제어 장치를 제공하고자 한다. 상기와 같이 구성된 본 발명은, 상태메트릭스 메모리(SM)의 초기화를 위하여 상태메트릭스 메모리(SM)에 직접 초기값을 저장하는 별도의 과정을 수행하지 않고도 동일한 효과를 가질 수 있는 비터비 복호기에서 메모리 제어장치를 구현할 수 있다는 것이다.
Abstract:
PURPOSE: A multipoint data collection apparatus and method are provided to reduce a data line number between an analog block and a digital block, thereby reducing the load of the analog block. CONSTITUTION: A multipoint data collection apparatus (100) comprises a channel data collection group (110) and a channel data processing unit (140). The channel data collection group has data acquisition modules (130) for collecting channel data at different points and includes at least two channel data collection units in which data acquisition modules are serially connected with each other. Channel data collection units are parallelly connected to each other in the channel data processing unit. The channel data processing unit controls each data acquisition module to shift channel data in each data acquisition module to a predetermined size. [Reference numerals] (110) Channel data collection group; (120) Channel data collection unit 1; (130) Data acquisition module1; (140) Channel data processing unit; (150) Power unit; (160) Main control unit; (AA) Data acquisition module 2; (BB) Data acquisition module M; (CC) Channel data collection unit 2; (DD) Channel data collection unit N
Abstract:
PURPOSE: An apparatus of increasing a common mode rejection ratio and a method thereof are provided to improve a common mode rejection ratio by using three instrumentation amplifiers. CONSTITUTION: A measurement amplification device comprises a first instrument amplifier(110), a second instrument amplifier(120), and a third instrument amplifier(130). The first instrument amplifier has a positive input terminal(112) and a negative input terminal(114). A signal is inputted to the first instrument amplifier through the positive input terminal and the negative input terminal. The first instrument amplifier generates an output signal by performing a measurement amplifying function for the inputted signal. The second instrument amplifier has a positive input terminal(122) and a negative input terminal(124). The third instrument amplifier has a positive input terminal(132) and a negative input terminal(134).
Abstract:
PURPOSE: A voltage controlled oscillator and a method for eliminating phase noise are provided to eliminate phase noise by blocking currents flowing into a variable frequency transistor in a voltage level conversion section. CONSTITUTION: A voltage controlled oscillator(10) comprises a first delay cell(110), a second delay cell(120), a third delay cell(130), and a fourth delay cell(140) consisting of a plurality of stages. The voltage controlled oscillator is composed of four stages. A first stage includes the first delay cell. A second stage includes the second delay cell. A third stage includes the third delay cell. A fourth stage includes the fourth delay cell. The first delay cell to the fourth delay cell can be formed into a ring shape.
Abstract:
본 발명은 구동전압에 따라 펌핑량을 조절하여 파워손실을 감소시켜 전하 펌핑 효율을 증대시켜 줄 수 있도록 하는 전하 펌핑 회로에 관한 것으로, 상기 전하 펌핑 회로는 전하 펌핑 회로에 구동전압을 센싱하여 전하 펌핑량을 결정하는 하나 이상의 센싱 신호를 발생하는 구동전압 센싱부; 상기 하나 이상의 센싱 신호의 신호값에 상응하는 진폭을 가지는 클럭 신호쌍을 발생하는 멀티 레벨 클럭 발생부; 및 상기 클럭 신호쌍을 충전하여 충전 전압을 발생하고, 상기 충전 전압을 상기 구동전압에 더하여 출력하는 전하 펌핑부를 포함할 수 있다.
Abstract:
A method for creating a pixel block and a buffering apparatus and method using the same are provided to create data blocks by unit to create block information, and determine whether to transmit pixel data using the created block information, thereby reducing the amount of data transmission and performing buffering without unnecessary operation. A method for creating a pixel block comprises the following steps of: storing the number of pixels included into a block and the shape information of the block(701); creating pixel blocks based on the reference information(702); generating block information about the block and transmitting the generated block information to a z-buffering apparatus(703); checking whether the z-buffering apparatus requests the transmission stoppage of pixel depth values(704); transmitting the pixel depth values of the block in order if the transmission stoppage of the pixel depth values is not requested(705); and closing the pixel block generation if there is a residual block(706); and selecting a next block if there is the residual block(707).