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公开(公告)号：KR100193381B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960048687
申请日：1996-10-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C04B24/02
Abstract: 본 발명은 그린쉬트용 세라믹 슬러리에 관한 것으로서, 더욱 상세하기로는 세라믹 분말, 음이온성 고분자전해질 분산제, 아크릴릭코폴리머 바인더, 폴리알코올 가소제 및 수계-비수계 분산용매를 함유하면서 분산용매로서 비수계용매의 함량을 최소화하고 대신에 물의 함량을 높여 환경친화성을 향상시킴은 물론 제조단가를 낮추어 산업적인 이용가치를 높이고, 특히 음이온성 고분자전해질 분산제와 함께 음이온을 띠는 바인더 성분을 함유시켜 그린쉬트에 유연성을 크게 부여하는 그린쉬트용 세라믹 슬러리에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019980029430A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960048687
申请日：1996-10-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C04B24/02
Abstract: 본 발명은 그린쉬트용 세라믹 슬러리에 관한 것으로서, 더욱 상세하기로는 세라믹 분말, 음이온성 고분자전해질 분산제, 아크릴릭코폴리머 바인더, 폴리알코올 가소제 및 수계-비수계 분산용매를 함유하면서 분산용매로서 비수계용매의 함량을 최소화하고 대신에 물의 함량을 높여 환경친화성을 향상시킴은 물론 제조단가를 낮추어 산업적인 이용가치를 높이고, 특히 음이온성 고분자전해질 분산제와 함께 음이온을 띠는 바인더 성분을 함유시켜 그린쉬트에 유연성을 크게 부여하는 그린쉬트용 세라믹 슬러리에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970006254A
公开(公告)日：1997-02-19
申请号：KR1019950019313
申请日：1995-07-03
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07C17/38
Abstract: 목적본원발명은 TFE 원료가스를정제함에있어서, 100단이상의정제탑이나정밀한제어장치를사용하지않고 TFE의원료가스를 99.995%이상정제하고, 디플루오로메탄의함량을 3ppm 이하로정제하는방법에관한것이다. 구성스테인레스스틸의정제탑에활성탄을충전하고, TFE 원료가스가응축되지않을정도의가압, 냉각하에서이에 TFE의원료가스를일정시간통과시켜서 TFE의순도 99.995%이상, 디플루오로메탄 3ppm 이하정제하는기술이다.
Abstract translation: 目的，本发明提供了用于纯化的方法中，TFE代表超过99.995％充电气体而不使用一百多个精制塔和精确的控制器件作为净化TFE源气体，并且下面3ppm的甲烷二氟含量的纯化 它涉及。 的不锈钢结构，并通过气体冷却TFE斯图99.995％或更高下填充有活性炭的精制塔，关于原料气体不凝结TFE压力，由此TFE代表出口的一段时间，用于纯化或更少的甲烷3ppm的二氟 该技术。
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公开(公告)号：KR1019950003266A
公开(公告)日：1995-02-16
申请号：KR1019930014239
申请日：1993-07-26
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07C309/28 , C07C309/29 , C07C309/30
Abstract: 본 발명은 다음 일반 화학반응식(I)과 같이
R＋H
2 SO
4 ← →RSO
3 H＋H
2 0 … … … … … … … … … … … (I)
「식(I)에서 R은 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠, 키실렌, 디에틸벤젠, 페놀, 크레졸, 키실렌올, 클로로페놀, 메톡시벤젠, 디히드록시벤젠, 나프탈렌, 메틸나프탈렌, 클로르나프톨, 나프톨, 안트라센, 아닐린, 나프틸아민, 아미노페놀, 톨루이딘, 니트로벤젠, 디에틸벤젠, 디부틸아민, 키놀린, 트리아릴아민, 메틸나프탈렌, 도데칸, 디헥실아민 등임」방향족 탄화수소 화합물과 황산을 반응시켜 방향족 탄화수소 화합물에 술폰화시킴을 통하여 방향족 술폰산을 제조함에 있어서, 방향족 탄화수소를 증류탑형 반응기의 탑중앙으로 공급하고, 황산을 분할(다수개의 공급구를 통하여) 연속공급하여 화학량론적으로 Ke=
식에 「Ke는 반응평형상수 R은 식(I)에서와 같음」이론상 알맞는 범위내에서(적정한 온도와 압력하) 반응시키되 항상 황산이 부족한 상태하에서 과량으로 존재하는 방향족 탄화수소를 술폰화시키며 이때 반응 생성품인 방향족 술폰산의 농도가 작아지게 함으로서 화학반응이 일어남과 거의 동시에 증류·분리·정제가 이루어지도록 탑정에서 나오는 기체를 응축하여 상분리기에서 물을 제거하고 이를 다시 반응탑으로 환류시키며 탑하부에 정제영역을 두어 생성된 방향족 술폰산을 고순도로 정제하는 것을 특징으로 하는 방향족 술폰산의 신규한 연속제조방법 및 그 새로운 제조장치에 관한 것이다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019910006252B1
公开(公告)日：1991-08-19
申请号：KR1019890002110
申请日：1989-02-22
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B01J20/02
Abstract: The adsorbent for treating hazardous, gaseous halogen compounds is prepared by (1) impregnating porous active carbon made from coconut shell with a solution containing copper, chromic acid (or 3.5-7.5 wt.% boric acid), silver, ammonium and carbon dioxide, and (2) filtering and drying the impregnated active carbon, successively. Especially as an active component, 1 wt.% pyridine is added to the above solution.
Abstract translation: 用于处理危险的气态卤素化合物的吸附剂通过以下步骤制备：（1）用含有铜，铬酸（或3.5-7.5重量％硼酸），银，铵和二氧化碳的溶液浸渍由椰子壳制成的多孔活性炭， 和（2）依次过滤和干燥浸渍的活性炭。 特别是作为活性成分，向上述溶液中加入1重量％的吡啶。
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公开(公告)号：KR100684983B1
公开(公告)日：2007-02-20
申请号：KR1020050033735
申请日：2005-04-22
IPC: C01B25/234 , C01B25/237
Abstract: 본 발명은 세정을 포함한 경막결정화에 의한 인산의 정제방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 원료 인산을 사용하여 일정한 온도로 조절이 가능한 경막 용융결정화 장치에 이러한 인산을 주입하여 냉각시키면서 인산 종(seed)을 일부 주입하여 인산 결정을 형성시켜 성장시킨 후, 여기에 비이온 계면활성제, 음이온 계면활성제 또는 킬레이트 형성제를 미량 첨가한 초순수를 결정표면에 분사시켜 인산의 결정 표면에 부착되어 있는 불순물을 세정시키는 간단한 조작에 의해 불순물이 포함된 인산을 정제하는 방법에 관한 것이다. 또한, 세정 효율을 더욱 향상시키기 위하여, 결정화 후 이를 일정한 속도로 온도를 다시 어느 정도 올려주면서 세정을 수행하여 인산의 정제 효율을 더욱 향상시키는 방법에 관한 것이다.
세정, 경막결정화, 비이온 계면활성제, 음이온 계면활성제, 킬레이트 형성제, 초순수, 인산 정제-
公开(公告)号：KR1020060111282A
公开(公告)日：2006-10-27
申请号：KR1020050033735
申请日：2005-04-22
IPC: C01B25/234 , C01B25/237
CPC classification number: C01B25/234 , C30B29/14
Abstract: A purification method of phosphoric acid through a layer crystallization including the washing operation is provided to perform the layer crystallization process and the cleansing process and to minimize the metal impurity content within phosphoric acid. A phosphoric acid material is maintained at 10-30 degrees centigrade and a phosphoric acid seed crystal of 0.02-0.1g is injected into the material so that the phosphoric acid crystal is grown. Thereafter, the phosphoric acid crystal is cooled to -10-20 degrees centigrade at a cooling speed of 0.1-10 K/min so that a phosphoric acid crystal layer is formed. An ultra pure water of 10-100ml is projected into the crystal layer surface. An anion surfactant, an non-ion surfactant or chelate formating agent are added into the ultra pure water with the ratio of 0.001-0.1g with reference to the phosphoric acid injection amount of 245 ml.
Abstract translation: 提供了通过包括洗涤操作在内的层析结果的磷酸的纯化方法来进行层结晶过程和清洗过程，并使磷酸内的金属杂质含量最小化。 将磷酸材料保持在10-30摄氏度，并将0.02-0.1g的磷酸晶种注入材料中，使磷酸晶体生长。 此后，以0.1-10K / min的冷却速度将磷酸晶体冷却至-10-20摄氏度，形成磷酸晶体层。 将10-100ml的超纯水投影到晶体层表面。 相对于磷酸注射量为245ml，将阴离子表面活性剂，非离子表面活性剂或螯合物形成剂加入到超纯水中，其比例为0.001-0.1g。
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公开(公告)号：KR100601392B1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020040091006
申请日：2004-11-09
IPC: C07C67/08
Abstract: 본 발명은 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에틸렌글리콜과 (메타)아크릴산의 혼합물에 중합금지제와 탈수촉매를 가하고, 일정 유속으로 산소를 포함하는 기체를 주입하면서 에스테르화 반응 수행 후 알칼리 수용액을 가하여 추출함으로써, 기존과는 달리 에틸렌글리콜과 (메타)아크릴산의 에스테르화 반응시 생성된 물을 제거하기 위한 유기용제를 사용하지 않으면서도 에스테르화 반응이 효율적으로 진행될 수 있고, 미반응 물질의 중합반응을 효과적으로 억제할 수 있으며, 또한 에스테르화 반응 후 미반응 물질 및 부반응물질 등의 제거를 위한 추출용 유기용제를 사용하지 않고 간단한 알칼리 처리만으로 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트를 제조할 수 있으며, 추가적으로 박막진공증류 단계를 � ��행할 경우 수득물의 순도를 더욱 높일 수 있는 개선된 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트의 제조방법에 관한 것이다.
에틸렌글리콜, (메타)아크릴산, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트-
公开(公告)号：KR1020060042362A
公开(公告)日：2006-05-12
申请号：KR1020040091006
申请日：2004-11-09
IPC: C07C67/08
Abstract: 본 발명은 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에틸렌글리콜과 (메타)아크릴산의 혼합물에 중합금지제와 탈수촉매를 가하고, 일정 유속으로 산소를 포함하는 기체를 주입하면서 에스테르화 반응 수행 후 알칼리 수용액을 가하여 추출함으로써, 기존과는 달리 에틸렌글리콜과 (메타)아크릴산의 에스테르화 반응시 생성된 물을 제거하기 위한 유기용제를 사용하지 않으면서도 에스테르화 반응이 효율적으로 진행될 수 있고, 미반응 물질의 중합반응을 효과적으로 억제할 수 있으며, 또한 에스테르화 반응 후 미반응 물질 및 부반응물질 등의 제거를 위한 추출용 유기용제를 사용하지 않고 간단한 알칼리 처리만으로 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트를 제조할 수 있으며, 추가적으로 박막진공증류 단계를 수행할 경우 수득물의 순도를 더욱 높일 수 있는 개선된 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트의 제조방법에 관한 것이다.
에틸렌글리콜, (메타)아크릴산, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트
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