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公开(公告)号：KR100684983B1
公开(公告)日：2007-02-20
申请号：KR1020050033735
申请日：2005-04-22
IPC: C01B25/234 , C01B25/237
Abstract: 본 발명은 세정을 포함한 경막결정화에 의한 인산의 정제방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 원료 인산을 사용하여 일정한 온도로 조절이 가능한 경막 용융결정화 장치에 이러한 인산을 주입하여 냉각시키면서 인산 종(seed)을 일부 주입하여 인산 결정을 형성시켜 성장시킨 후, 여기에 비이온 계면활성제, 음이온 계면활성제 또는 킬레이트 형성제를 미량 첨가한 초순수를 결정표면에 분사시켜 인산의 결정 표면에 부착되어 있는 불순물을 세정시키는 간단한 조작에 의해 불순물이 포함된 인산을 정제하는 방법에 관한 것이다. 또한, 세정 효율을 더욱 향상시키기 위하여, 결정화 후 이를 일정한 속도로 온도를 다시 어느 정도 올려주면서 세정을 수행하여 인산의 정제 효율을 더욱 향상시키는 방법에 관한 것이다.
세정, 경막결정화, 비이온 계면활성제, 음이온 계면활성제, 킬레이트 형성제, 초순수, 인산 정제-
公开(公告)号：KR1020060111282A
公开(公告)日：2006-10-27
申请号：KR1020050033735
申请日：2005-04-22
IPC: C01B25/234 , C01B25/237
CPC classification number: C01B25/234 , C30B29/14
Abstract: A purification method of phosphoric acid through a layer crystallization including the washing operation is provided to perform the layer crystallization process and the cleansing process and to minimize the metal impurity content within phosphoric acid. A phosphoric acid material is maintained at 10-30 degrees centigrade and a phosphoric acid seed crystal of 0.02-0.1g is injected into the material so that the phosphoric acid crystal is grown. Thereafter, the phosphoric acid crystal is cooled to -10-20 degrees centigrade at a cooling speed of 0.1-10 K/min so that a phosphoric acid crystal layer is formed. An ultra pure water of 10-100ml is projected into the crystal layer surface. An anion surfactant, an non-ion surfactant or chelate formating agent are added into the ultra pure water with the ratio of 0.001-0.1g with reference to the phosphoric acid injection amount of 245 ml.
Abstract translation: 提供了通过包括洗涤操作在内的层析结果的磷酸的纯化方法来进行层结晶过程和清洗过程，并使磷酸内的金属杂质含量最小化。 将磷酸材料保持在10-30摄氏度，并将0.02-0.1g的磷酸晶种注入材料中，使磷酸晶体生长。 此后，以0.1-10K / min的冷却速度将磷酸晶体冷却至-10-20摄氏度，形成磷酸晶体层。 将10-100ml的超纯水投影到晶体层表面。 相对于磷酸注射量为245ml，将阴离子表面活性剂，非离子表面活性剂或螯合物形成剂加入到超纯水中，其比例为0.001-0.1g。
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公开(公告)号：KR1020120066537A
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020100127917
申请日：2010-12-14
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 단일 건식 흡착제를 이용하여 원소 수은(Hg(0)) 및 산화 수은(Hg(II))을 흡착한 후에, 이를 제어된 조건하에 탈착시켜 원소 수은 및 산화 수은의 농도를 측정하는 방법에 관한 것이다. 탈착 시, 분위기 기체 및 온도의 조절을 통해서 원소 수은 및 산화 수은을 각각 별개로 탈착시킴으로써, 원소 수은 및 산화 수은의 종별 농도 측정이 가능한 측정 방법을 제공한다. 본 발명에서 제공하는 방법은 기존의 일회용 트레인을 사용하지 않고 재생이 가능한 흡착제를 사용함으로써, 계속적으로 주기적으로 사용이 가능하며, 또한 원소 수은 및 산화 수은 각각의 종별 농도를 고감도로 구할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100598082B1
公开(公告)日：2006-07-07
申请号：KR1020040053173
申请日：2004-07-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/326 , C09D11/38
Abstract: 본 발명은 부분 소수화된 잉크젯용 수계 고농도 금속 나노 졸의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제로 처리하여 금속 나노 졸을 제조함에 있어서, 상기 고분자 전해질로서는 아크릴계 반복단위, 폴리에틸렌글리콜류가 결합된 아크릴레이트계 반복단위 및 아크릴아마이드 반복단위를 포함하여 구성되어, 친수부와 소수부가 함께 도입된 주쇄(main chain)와, 상기 주쇄의 일부분에 친수성이 강한 고분자 측쇄(side chain)가 결합되어 있는 그래프트(graft) 공중합체를 선택 사용함으로써, 생성된 금속 나노 졸의 입자크기가 100 ㎚ 이하로 작고 균일하면서도 잉크젯 기법으로 소수성 기판에 직접 인쇄가 가능하도록 부분 소수화된 잉크젯용 수계 고농도 금속 나노 졸의 제조방법에 관한 것이다.
고분자 전해질, 금속 나노 졸, 소수성 기판-
公开(公告)号：KR1020060004162A
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：KR1020040053173
申请日：2004-07-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/326 , C09D11/38
CPC classification number: C09D11/326 , C08L33/26 , C09D11/38
Abstract: 본 발명은 부분 소수화된 잉크젯용 수계 고농도 금속 나노 졸의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제로 처리하여 금속 나노 졸을 제조함에 있어서, 상기 고분자 전해질로서는 아크릴계 반복단위, 폴리에틸렌글리콜류가 결합된 아크릴레이트계 반복단위 및 아크릴아마이드 반복단위를 포함하여 구성되어, 친수부와 소수부가 함께 도입된 주쇄(main chain)와, 상기 주쇄의 일부분에 친수성이 강한 고분자 측쇄(side chain)가 결합되어 있는 그래프트(graft) 공중합체를 선택 사용함으로써, 생성된 금속 나노 졸의 입자크기가 100 ㎚ 이하로 작고 균일하면서도 잉크젯 기법으로 소수성 기판에 직접 인쇄가 가능하도록 부분 소수화된 잉크젯용 수계 고농도 금속 나노 졸의 제조방법에 관한 것이다.
고분자 전해질, 금속 나노 졸, 소수성 기판-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100180568B1
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019950027425
申请日：1995-08-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01F27/245
Abstract: 본 발명은 연자성체 박판위로 코일을 구성하는 도체가 상하연결관계로 다수 적층되어 매몰되게 한 적층 칩 인덕터를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 1회전 이상 회전하는 내부도선 인쇄패턴을 사용하여 동일 평면상에 1회 이상 스크린 인쇄를 행하면서 상하층 내부도선과 완전히 절연되도록 연자성 재료의 스크린 인쇄시에 상하 도선 연결용 개구(開口)를 하위층의 내부도선이 위치하지 않는 곳에 형성하고 하부의 내부도선 연결부분 끝단과 일치하도록 내부도선과 연자성 페이스트를 교대로 인쇄하여 적층해 나가는 것으로 이루어진다. 본 발명의 방법은 단지 6가지 스크린 인쇄 패턴을 사용하여 적은 횟수의 스크린 인쇄를 행하여 층간절연성이 양호한 적층 칩 인턱터를 제조할 수 있다. 본 발명의 방법에 의하면 스크린 인쇄, 즉 적층 횟수(m)로써 내부도선인 코일의 회전수(n)를 간단히 알 수 있다.
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公开(公告)号：KR100170541B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950030315
申请日：1995-09-16
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07C243/22
Abstract: [목적]
복잡한 반응단계를 단순화시키고 수율을 향상시키고 폐수를 감소시키기 위한 방향족 페닐하이드라진의 제조방법이다.
[구성]
2, 4, 6-트리클로로 페닐하이드라진 합성에 있어서, 물 보다 비중이 큰 염소기를 갖는 유기용매 존재하에서 아닐린과 염소화 반응직후, 이에 염소가스와 반응시키고, 이에 염산수용액과 아질산소다를 반응시킨 후, 설폰화, 가수분해, 중화시켜서 방향족 페닐하이드라진을 얻는다.-
公开(公告)号：KR100171499B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019960029058
申请日：1996-07-19
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B01D61/42
CPC classification number: B01D61/422 , B01D57/02 , C08F6/20
Abstract: [목적]
폐수의 발생이 전혀 없으며, 농축과정에서 발생될 수 있는 응집체의 형성이 완전히 방지되고, 또한 피티에프이 에멀젼 중합과정에 사용되는 유화제의 회수가 가능하며 피티에프이 농축 소요시간이 종래의 방법보다 매우 짧은 방법 및 그 단순한 농축 장치를 제공함에 있다.
[구성]
원료 피티에프이 에멀젼에 계면활성제를 넣고 PH를 조절한 후 이를 전기투석장치의 셀 사이에 주입하고 또는 장치의 높이차이에 의하여 피티에프이 에멀젼의 회분식 또는 연속식 농축방법 및 그의 회분식 또는 연속식 장치. -
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