公开(公告)号：KR1020180085841A

公开(公告)日：2018-07-30

申请号：KR1020170009022

申请日：2017-01-19

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김동균 ,  원종찬 ,  이성구 ,  이미혜 ,  김진수 ,  김용석 ,  가재원 ,  유영재 ,  김병각 ,  김윤호 ,  박노균 ,  송희석

IPC: C09K5/08 ,  C09K19/32 ,  C09K19/04

CPC classification number: C09K5/08 ,  C09K19/32 ,  C09K2019/0429

Abstract: 본발명은디스코틱(discotic) 액정화합물을포함하는방열용조성물, 이로부터제조된방열필름및 이의제조방법에관한것으로, 본발명인반응성디스코틱(discotic) 액정화합물을포함하는방열용조성물은대면적으로화합물의평면방향으로배향될수 있고, 이로부터제조된방열필름은화합물의평면방향으로우수한 2D의열전도도를보이며화합물의수직방향(필름의두께방향)으로낮은열전도도를나타내는효과가있어다양한전자기기및 디스플레이장치등에응용될수 있다.

公开(公告)号：KR20180012353A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：KR20160094569

申请日：2016-07-26

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤호 ,  원종찬 ,  윤현우 ,  강이영 ,  박재연 ,  박노균 ,  김동균

IPC: B32B27/18 ,  B32B27/08 ,  C08K3/22 ,  C08L101/00 ,  H01G4/20 ,  H01L51/56

CPC classification number: B32B27/18 ,  B32B27/08 ,  C08K3/22 ,  C08K9/00 ,  C08L101/00 ,  H01G4/20 ,  H01L51/56

Abstract: 본발명은제1 유전성무기입자; 및상기제1 유전성무기입자표면에형성된제1 전도성물질;을포함하는제1 복합입자; 및제1 고분자매트릭스;를포함하는제1 층; 제2 유전성무기입자; 및상기제2 유전성무기입자표면에형성된제2 전도성물질;을포함하는제2 복합입자; 및제2 고분자매트릭스;를포함하는제2 층; 및상기제1 층및 제2 층사이에배치되고, 제3 유전성무기입자; 및제3 고분자매트릭스를포함하는절연층;을포함하는고분자복합체를제공한다. 본발명에따른고분자복합체는높은유전율과높은파괴전압특성을가지기때문에, 높은에너지밀도달성이가능하다. 또한, 전도성나노입자를세라믹나노입자표면에직접성장시킴으로써, 전도성나노입자의응집을최소화할수 있어, 분산성향상및 전도성경로(pathway) 형성을최소화할수 있다. 나아가, 내장형커패시터에이용될수 있는, 고유전성고분자복합필름제조가능하며, 유연박막전자소자에적용가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造包含第一介电无机颗粒的磁记录介质的方法， 并且在第一介电无机颗粒的表面上形成第一导电材料; 并且第一聚合物基质; 第二介电无机颗粒; 并且在第二介电无机颗粒的表面上形成第二导电材料; 和包含第二聚合物基质的第二层; 和设置在第一和第二层之间的第三介电无机颗粒; 以及包含第三聚合物基质的绝缘层。 由于根据本发明的聚合物复合材料具有高介电常数和高击穿电压特性，所以可以实现高能量密度。 另外，通过直接在陶瓷纳米颗粒的表面上生长导电纳米颗粒，可以使导电纳米颗粒的聚集最小化，由此改善分散性并使导电通路的形成最小化。 此外，可以制造可用于嵌入式电容器的高介电聚合物复合膜，并且可应用于柔性薄膜电子器件。