公开(公告)号：FR2910704A1

公开(公告)日：2008-06-27

申请号：FR0754324

申请日：2007-04-05

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POIROUX THIERRY ,  BILLIOT GERARD ,  VINET MAUD ,  FRABOULET DAVID

IPC: H01L21/98 ,  H01L23/50 ,  H01L25/065

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif à circuit intégré interconnecté (100), comportant les étapes de :a) réalisation d'un circuit intégré (108) comportant plusieurs dispositifs semi-conducteurs (128, 130) et une première couche d'interconnexions (110, 112) reliée à l'un des dispositifs, lesdits dispositifs étant disposés entre la première couche d'interconnexions et le premier substrat,b) collage du circuit intégré sur un second substrat (116) sans motif d'alignement, le circuit étant disposé entre les deux substrats,c) suppression d'une partie passive (102, 104) du premier substrat, la couche active étant conservée,d) réalisation d'une seconde couche d'interconnexions (122, 124), reliée à l'un des dispositifs et/ou la première couche d'interconnexions et/ou la couche active, du côté d'une seconde face de la couche active.

公开(公告)号：FR2888990A1

公开(公告)日：2007-01-26

申请号：FR0552279

申请日：2005-07-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LOLIVIER JEROME ,  VINET MAUD ,  POIROUX THIERRY

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108 ,  H01L41/00

Abstract: La présente invention concerne un dispositif microélectronique amélioré doté d'un ou plusieurs transistors (T1) et de moyens de nature piézoélectriques (220), ayant un agencement amélioré et permettant d'exercer une contrainte mécanique modulable sur le canal des transistors. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un tel dispositif microélectronique.

公开(公告)号：FR2979482A1

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：FR1157530

申请日：2011-08-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： NEMOUCHI FABRICE ,  GERGAUD PATRICE ,  POIROUX THIERRY ,  PREVITALI BERNARD

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/335

Abstract: La présente demande concerne un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique à transistors dans lequel on forme une couche de contrainte sur un ensemble de transistors et on libère la contrainte exercée sur au moins un transistor donné de cet ensemble par retrait d'une couche sacrificielle située entre ledit transistor donné et ladite couche de contrainte.

公开(公告)号：FR2963156B1

公开(公告)日：2012-08-31

申请号：FR1055979

申请日：2010-07-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MORAND YVES ,  POIROUX THIERRY

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/31

公开(公告)号：FR2950332A1

公开(公告)日：2011-03-25

申请号：FR0956426

申请日：2009-09-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GABRIEL JEAN-CHRISTOPHE ,  ANDREUCCI PHILIPPE ,  ERNST THOMAS ,  POIROUX THIERRY

IPC: B81C1/00 ,  B81B5/00

Abstract: Procédé de réalisation d'un micro-système électromécanique doté d'au moins un organe fixe comprenant un barreau, et d'au moins un organe mobile en rotation autour d'au moins une portion dudit barreau, le procédé comprenant des étapes de : a) formation dans une couche d'au moins matériau donné reposant sur un support, d'au moins un barreau, b) formation autour du barreau d'au moins un premier feuillet de graphène, et d'au moins un deuxième feuillet de graphène, séparé du premier feuillet et mobile par rapport au premier feuillet.

公开(公告)号：FR2949901A1

公开(公告)日：2011-03-11

申请号：FR0904321

申请日：2009-09-10

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： SARACCO EMELINE ,  DAMLENCOURT JEAN FRANCOIS ,  POIROUX THIERRY

IPC: H01L21/30

Abstract: Le substrat (2) comporte une première couche en silicium, une couche cible (1) en matériau à base d'alliage de silicium-germanium formant un motif tridimensionnel avec des première et seconde zones de maintien et au moins une zone de liaison. La première couche en silicium est contrainte en tension et/ou la couche cible (1) comporte des atomes de carbone. La première couche en silicium est éliminée dans la zone de liaison. La couche cible (1) de la zone de liaison est oxydée thermiquement de manière à former le nanofil (8). Le paramètre de maille de la première couche en silicium est identique au paramètre de maille du matériau constituant la poutre suspendue, après élimination de ladite première couche en silicium.

公开(公告)号：AT390709T

公开(公告)日：2008-04-15

申请号：AT05354040

申请日：2005-11-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BARBE JEAN-CHARLES ,  VINET MAUD ,  PREVITALI BERNARD ,  POIROUX THIERRY

IPC: H01L21/762

公开(公告)号：FR2888990B1

公开(公告)日：2007-09-07

申请号：FR0552279

申请日：2005-07-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LOLIVIER JEROME ,  VINET MAUD ,  POIROUX THIERRY

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108 ,  H01L41/00

Abstract: An improved microelectronic device, and method for making such a microelectronic device. The device includes one or plural transistors and piezoelectric mechanisms, with an arrangement capable of applying a variable mechanical strain on transistor channels.

公开(公告)号：FR2879020B1

公开(公告)日：2007-05-04

申请号：FR0413061

申请日：2004-12-08

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： VINET MAUD ,  BARBE JEAN CHARLES ,  PREVITALI BERNARD ,  POIROUX THIERRY

IPC: H01L21/31

公开(公告)号：FR2886763A1

公开(公告)日：2006-12-08

申请号：FR0505701

申请日：2005-06-06

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MORAND YVES ,  POIROUX THIERRY ,  VINET MAUD

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/20

Abstract: Le procédé comporte successivement la réalisation, sur un substrat (1), d'un empilement de couches (2, 3) comportant au moins une première couche (3) en composé de germanium et silicium ayant initialement une concentration de germanium comprise entre 10 et 50%. La première couche (3) est disposée entre des secondes couches (2) ayant des concentrations de germanium comprises entre 0 et 10%. Ensuite, on délimite par gravure, dans ledit empilement, une première zone (5) correspondant à l'élément à base de germanium et ayant au moins une première dimension latérale comprise entre 10nm et 500nm. Puis est effectuée une oxydation thermique, au moins latérale, de la première zone (5), de manière à ce qu'une couche de silice (6) se forme à la surface de la première zone (5) et en ce que, dans la première couche (3), une zone centrale (8) de germanium condensé se forme, constituant l'élément à base de germanium.