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公开(公告)号:DE60326959D1
公开(公告)日:2009-05-14
申请号:DE60326959
申请日:2003-08-07
Applicant: ESSILOR INT
Inventor: SCHERER KARIN , LACAN PASCALE , ROISIN PHILIPPE , BOSMANS RICHARD
Abstract: The method according to the invention comprises forming on a SiO x F y layer a silica SiO 2 and/or metal oxide protective layer obtained through ion beam-assisted vapor phase deposition, comprising bombarding the layer being formed with a beam of positive ions formed from a rare gas, oxygen or a mixture of two or more of such gases, or through cathodic sputtering of a silicon or metal layer followed by an oxidation step of the silicon or the metal layer. Application to the production of antireflection coatings.
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公开(公告)号:DE602004018514D1
公开(公告)日:2009-01-29
申请号:DE602004018514
申请日:2004-09-02
Applicant: ESSILOR INT
Inventor: SCHERER KARIN , LACAN PASCALE , BOSMANS RICHARD
Abstract: A method for depositing, under vacuum, an amorphous layer primarily containing fluorine and carbon onto a substrate (9), characterized in that it comprises a step for depositing this layer with an ion gun (1) for ejecting ions in the form of a beam of accelerated ions that is created from at least one compound containing fluorine and carbon in a gaseous form or saturated vapor supplied to the ion canon. A method of this type makes it possible, in particular, to improve the adherence of an outer layer having a low index of refraction to the underlying layer of an anti-reflective stack. A device suited for carrying out the method is also described.
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公开(公告)号:DE602004017754D1
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:DE602004017754
申请日:2004-09-01
Applicant: ESSILOR INT
Inventor: SCHERER KARIN , LACAN PASCALE , BOSMANS RICHARD
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公开(公告)号:FR2859487B1
公开(公告)日:2006-12-15
申请号:FR0311238
申请日:2003-09-25
Applicant: ESSILOR INT
Inventor: SCHERER KARIN , LACAN PASCALE , BOSMANS RICHARD
IPC: C01B7/20 , C23C14/30 , C03C17/32 , C03C17/34 , C03C17/42 , C23C14/06 , C23C14/12 , C23C14/22 , C23C14/56 , G02B1/11
Abstract: A method for depositing, under vacuum, an amorphous layer primarily containing fluorine and carbon onto a substrate (9), characterized in that it comprises a step for depositing this layer with an ion gun (1) for ejecting ions in the form of a beam of accelerated ions that is created from at least one compound containing fluorine and carbon in a gaseous form or saturated vapor supplied to the ion canon. A method of this type makes it possible, in particular, to improve the adherence of an outer layer having a low index of refraction to the underlying layer of an anti-reflective stack. A device suited for carrying out the method is also described.
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25.
公开(公告)号:CA2947115C
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CA2947115
申请日:2014-04-28
Applicant: CORP DE LECOLE POLYTECHNIQUE DE MONTREAL , ESSILOR INT
Inventor: ZABEIDA OLEG , SCHMITT THOMAS , SAPIEHA JOLANTA , MARTINU LUDVIK , SCHERER KARIN
IPC: G02B1/11
Abstract: L'invention concerne un article comprenant un substrat ayant au moins une surface principale revêtue d'une couche A d'un matériau obtenu par dépôt sous vide et assisté par une source d'ions d'au moins un oxyde de titane et d'au moins un composé B organosilicié, ledit matériau présentant un indice de réfraction à 550 nm supérieur ou égal à 1,8, un coefficient d'extinction k à 550 nm inférieur ou égal à 0,02, un ratio H/E supérieur ou égal à 0,046, où H et E désignent respectivement la dureté du matériau et le module d'élasticité du matériau.
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公开(公告)号:EA022784B1
公开(公告)日:2016-03-31
申请号:EA201101392
申请日:2010-03-26
Applicant: ESSILOR INT (COMPAGNIE GENERALE D'OPTIQUE)
Inventor: CONTE DOMINIQUE , PASSARD DELPHINE , SCHERER KARIN , SIRJEAN JEAN-LOUIS
Abstract: Объектомизобретенияявляетсяоптическийэлементс антистатическимии антибликовымиилиотражающимисвойствами, содержащийподложку, имеющуюпоменьшеймереоднуглавнуюповерхность, покрытуюантибликовымилиотражающимпокрытием, приэтомуказанноепокрытиесодержитпоменьшеймереодинэлектропроводящийслой, содержащийпоменьшеймере 30 мас.%, предпочтительнопоменьшеймере 40 мас.% иещепредпочтительнеепоменьшеймере 50 мас.% оксидаолова (SnO) поотношениюк общеймассеэлектропроводящегослоя, приэтомуказанныйэлектропроводящийслойнанесенионнымнапылениеми указаннаяподложкаимееткоэффициентпоглощениявлаги, превышающийилиравный 0,6 мас.% поотношениюк общеймассеуказаннойподложки, приэтомкоэффициентпоглощениявлагиизмеренпослепредварительнойсушкиуказаннойподложкис последующейвыдержкойэтойподложкив течение 800 чв закрытойкамерепри 50°С, приотносительнойвлажности 100% иприатмосферномдавлении.
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公开(公告)号:CA2757168C
公开(公告)日:2015-11-24
申请号:CA2757168
申请日:2010-03-26
Applicant: ESSILOR INT
Inventor: CONTE DOMINIQUE , PASSARD DELPHINE , SCHERER KARIN , SIRJEAN JEAN-LOUIS
Abstract: L'invention concerne un article d'optique à propriétés antistatiques et antireflet ou réfléchissantes, comprenant un substrat ayant au moins une surface principale revêtue d'un revêtement antireflet ou réfléchissant, ledit revêtement comprenant au moins une couche électriquement conductrice comprenant au moins 30% % en masse d'oxyde d'étain (SnO2) par rapport à la masse totale de la couche électriquement conductrice, le dépôt de ladite couche électriquement conductrice ayant été réalisé sous assistance ionique, et ledit substrat ayant un taux de reprise en eau supérieur ou égal à 0,6 % en masse par rapport à la masse totale dudit substrat, le taux de reprise en eau étant mesuré après séchage préalable dudit substrat puis stockage de ce substrat pendant 800 heures dans une enceinte à 50 °C sous une humidité relative de 100 % et à pression atmosphérique.
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28.
公开(公告)号:CA2862139A1
公开(公告)日:2013-07-04
申请号:CA2862139
申请日:2012-12-27
Applicant: ECOLE POLYTECH , ESSILOR INT
Inventor: MARTINU LUDVIK , SAPIEHA JOLANTA , ZABEIDA OLEG , CHIAROTTO SEBASTIEN , SCHERER KARIN
Abstract: L'invention concerne un article comprenant un substrat ayant au moins une surface principale revêtue d'un revêtement interférentiel multicouche, ledit revêtement comprenant une couche A ayant un indice de réfraction inférieur ou égal à 1,55, caractérisé en ce que : - ladite couche A constitue : o soit la couche externe du revêtement interférentiel, o soit une couche intermédiaire, directement en contact avec la couche externe du revêtement interférentiel, cette couche externe du revêtement interférentiel étant une couche B ayant un indice de réfraction inférieur ou égal à 1,55, - et ladite couche A a été obtenue par dépôt, sous faisceau d'ions, d'espèces activées issues d'au moins un composé C, sous forme gazeuse contenant dans sa structure au moins un atome de silicium, au moins un atome de carbone, au moins un atome d'hydrogène et, optionnellement au moins un atome d'azote et/ou au moins un atome d'oxygène, le dépôt de la dite couche A s'effectuant en présence d'azote et/ou d'oxygène lorsque le composé A ne contient pas d'azote et/ou d'oxygène et - ladite couche A n'est pas formée à partir de composés précurseurs inorganiques.
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公开(公告)号:FR2917510B1
公开(公告)日:2012-01-27
申请号:FR0755749
申请日:2007-06-13
Applicant: ESSILOR INT
Inventor: NOUVELOT LUC , ROTTE JOHANN , SCHERER KARIN , VALLET DANIEL
IPC: G02B1/11
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公开(公告)号:FR2943798B1
公开(公告)日:2011-05-27
申请号:FR0901475
申请日:2009-03-27
Applicant: ESSILOR INT
Inventor: CONTE DOMINIQUE , PASSARD DELPHINE , SCHERER KARIN , SIRJEAN JEAN LOUIS
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